25LC640中文翻译资料

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山东泰开自动化 李凯

设备选择表(25AA640 25C640 )64K SPI 总线串口 EEPROM：

封装类型： 方块图

特征：

? 低功率COMS工艺 -写电流：3mA标准 -读电流：500u标准 -待机电流：500nA标准 ? 8192×8位 组织 ? 32字节页

? 写周期时间：5mA最大 ? 自动同步擦除和写入周期 ? 块写入保护

-未保护，1/4，1/2，或全部数组 ? 内置的写保护

-电源 开/关 数据保护电路

-写允许锁存器 -写保护管脚 ? 连续读 ? 高可靠性

-耐久度：1M周期（可保证的） -数据保持：大于200年 -静电防护：大于4000V

? 8脚PDIP,SOPC,和TSSOP封装 ? 温度范围支持; -商业级：（C) 0℃ 至 +70℃ -工业级：（I) -40℃ 至 +85℃ -汽车级：（E) -40℃ 至 +125℃

说明：

美国微芯科技公司的25AA640/25LC640/25C640(25XX640)是64K比特电可擦除PROM。这个存储器的使用通道是简单串行外围接口（SPI）兼容串行总线。这个总线信号需要时钟输入（SCK)加单独数据在（SI)和数据输出（SO)连线。进入装置的控制是通过芯片选择（CS)输入。

通信到装置能够暂停通道保持管脚（HOLD)。虽然装置是暂停，转变在输入将是忽略，除了志片的选择，允许主动服务较高优先级的中断。

1.0电气特性 图形1-1： AC 测试电路 1.1 最大等级

Vcc .................................7.0V 全部输入和输出w.r.t.Vss...-0.6至Vcc+1.0V 储存温度.....................-65℃至150℃ 引线的焊接温度（10秒）.............+300℃ 静电保护在全部管脚...................4kV 注意：强调以上这些列出关于“最大等级”可能 引出永久损伤到设备。这强调的等级仅和设备的 功能操作，而且那些或任何其它的条件超出那些 声明在说明书的操作表中是未隐含的。受到最大 等级条件为可以影响设备可靠性的延长时间。

表1-1 管脚功能表

名称 CS SO SI WP Vss Vcc HOLD 功能 芯片选择输入 串行数据输出 串行数据输入 写保护管脚 地 供电电压 保持输入 1.2 AC试验条件

AC波形 VLO=0.2V VHI=VCC-0.2V (VCC≤4.0V) VHI=4.0V (VCC > 4.0V) 时序测量参考电平

输入 0.5VCC 输出 0.5VCC 表1-2 直流特征

全部参数工作于规定的工作范围除另外说明 参数 高电平输入电压 低电平输入电压 低电平输出电压 高电平输出电压 输入泄漏电流 输出泄漏电流 内部电容 （全部输入和输出） 商业级（C) 环境温度 0℃至+70℃ VCC=1.8V至5.5V 工业级（I) 环境温度 -40℃至+85℃ VCC=1.8V至5.5V 汽车级（E) 环境温度 -40℃至+125℃ VCC=4.5V至5.5V 符号 VIH1 VIH2 VIL1 VIL2 VOL VOL VOH ILI ILO CINT ICC读 最小 最大 单位 试验条件 2.0 VCC+1 V VCC≥2.7V(注释） 0.7VCC VCC+1 V VCC< 2.7V(注释） -0.3 0.8 V VCC≥2.7V(注释） -0.3 0.3VCC V VCC≥2.7V(注释） - 0.4 V IOL=2.1mA - VCC-0.5 -10 -10 - - - - - - - 0.2 - 10 10 7 1 500 5 3 5 1 V IOL=2.1mA VCC<2.5V V IOH=-400uA uA CS=VCC VIN=Vxx至VCC uA CS=VCC VOUT=Vxx至VCC pF mA uA mA mA TAMB=25℃,CLK=1.0MHz VCC=5.0V(注释） VCC=5.5V FCLK=3.0MHz SO=开 VCC=2.5V FCLK=2.0MHz SO=开 工作电流 ICC写 VCC=5.5V VCC=2.5V 待机电流 ICCS CS=VCC=5.5V,输入关联至VCCA或VXX uA uA CS=VCC=2.5V,输入关联至VCCA或VXX 注释:这个参数是周期性取样的，不是100%检测。

表1-2 直流特征

全部参数工作于规定的工作范围除另外说明 参数 时钟频率 商业级（C) 环境温度 0℃至+70℃ VCC=1.8V至5.5V 工业级（I) 环境温度 -40℃至+85℃ VCC=1.8V至5.5V 汽车级（E) 环境温度 -40℃至+125℃ VCC=4.5V至5.5V 符号 FCLK CS建立时间 TCSS CS保持时间 CS禁止时间 数据建立时间 TCSH TCSD TSU 数据保持时间 时钟上升时间 时钟下降时间 时钟高时间 THD TR TF THI 时钟低时间 时钟延时时间 时钟使能时间 时钟低起始输出 输出保持时间 输出禁止时间 TLD TCLD TCLD TV THO TDIS HOLD建立时间 HOLD保持时间 THS THH 最小 - - - 100 250 500 150 250 475 500 30 50 50 50 100 100 - - 150 250 475 150 250 475 50 50 - - - 0 - - - 100 100 200 100 100 最大 3 2 1 - - - - - - - - - - - - - 2 2 - - - - - - - - 150 250 475 - 150 250 500 - - - - - 单位 试验条件 MHz VCC=4.5V至5.5V MHz VCC=2.5V至4.5V MHz VCC=1.8V至2.5V ns VCC=4.5V至5.5V ns VCC=2.5V至4.5V ns VCC=1.8V至2.5V ns VCC=4.5V至5.5V ns VCC=2.5V至4.5V ns VCC=1.8V至2.5V ns ns VCC=4.5V至5.5V ns VCC=2.5V至4.5V ns VCC=1.8V至2.5V ns VCC=4.5V至5.5V ns VCC=2.5V至4.5V ns VCC=1.8V至2.5V us (注释1） us (注释1） ns VCC=4.5V至5.5V ns VCC=2.5V至4.5V ns VCC=1.8V至2.5V ns VCC=4.5V至5.5V ns VCC=2.5V至4.5V ns VCC=1.8V至2.5V ns ns ns VCC=4.5V至5.5V ns VCC=2.5V至4.5V ns VCC=1.8V至2.5V ns (注释1） ns VCC=4.5V至5.5V(注释1） ns VCC=2.5V至4.5V(注释1） ns VCC=1.8V至2.5V(注释1） ns VCC=4.5V至5.5V ns VCC=2.5V至4.5V ns VCC=1.8V至2.5V ns VCC=4.5V至5.5V ns VCC=2.5V至4.5V HOLD低至输出高Z THZ HOLD高至输出有效 THV TWC - 内部写周期时间 耐久 200 100 150 200 100 150 200 - 1M - - - - - - - 5 - ns VCC=1.8V至2.5V ns VCC=4.5V至5.5V(注释1） ns VCC=2.5V至4.5V(注释1） ns VCC=1.8V至2.5V(注释1） ns VCC=4.5V至5.5V ns VCC=2.5V至4.5V ns VCC=1.8V至2.5V ms E/W(注释2） 周期 注释：1：这个参数是周期性取样和不是100%检测。

2：这个参数描述不是仅对测试的担保。在特殊应用中的耐久估计，请查阅全部耐久模型用在集成电路的BBS或网站上可以获得。 图1-2 控制时序

图1-3 连续输入时序

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/pvtt.html