管式PECVD工艺流程 - 图文
更新时间:2023-12-19 13:59:01 阅读量: 教育文库 文档下载
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赛维LDK太阳能高科技(合肥)有限公司 文件编号 文件名称 管式PECVD工艺流程 生效日期 页码 第1 页 共6 页 一、目的
制定管式PECVD工序工艺流程规范,作为工艺人员工作依据,保证镀膜质量。 二、适用范围
管式PECVD工序所有工艺人员。 三、工艺人员职责
3.1 负责管式PECVD工序生产工艺运行的正常性、稳定性。
3.2负责部门内工艺运行原始资料的累积,保管,随时检查工艺运行状态,并记录异常,积极处理工艺 异常。
3.3 负责应对管式PECVD设备常见、突出、重大的工艺异常,制定落实整改措施、预防措施、应急方案。 四、名词定义
4.1 PECVD:即等离子增强化学气相沉积,在外加能量的作用下,NH3、SiH4发生电离,反应后在硅片表面生成SiN薄膜。
4.2 管式PECVD:区别于板式PECVD,镀膜过程中,硅片插在石墨舟中,由SiC桨送入石英炉管内进行镀膜,因此称为管式PECVD。此种镀膜方式中,石墨舟及硅片是作为电极的一部分参与镀膜,在外加高频电源的作用下,石墨舟片之间形成电场,将通入的SiH4和NH3电离,在硅片表面反应生成SiN膜。 五、工作内容
5.1 PECVD工序产品检验点
5.1.1 镀膜后过程检验内容:膜厚、折射率
5.1.2 检验仪器:椭偏仪
5.2 工艺参数及SiN膜的控制规范
5.2.1 管式PECVD工艺参数(SiH4、NH3气体流量,高频功率、炉管内压强)均在程序中设定,不同功能对应的工艺程序也不一样,正常生产时,由工艺人员指导生产人员调用正确的程序。
最常用的程序主要有两种:预处理舟程序、正常镀膜程序(程序名待定)。
预处理舟程序的作用是,因为SiN在石墨上与硅片上的沉积速度有差异,使用刚清洗好的石墨舟镀膜时,
赛维LDK太阳能高科技(合肥)有限公司 文件编号 文件名称 管式PECVD工艺流程 生效日期 页码 第2 页 共6 页 硅片与石墨片接触的地方(即硅片边缘)的SiN膜偏薄,为了减少此差异,需要对刚清洗好的石墨舟进行饱和,预先在石墨舟表面沉积一层SiN薄膜。此外,高温环境也对石墨舟起到干燥作用。
在太阳能生产工艺中,镀膜主要有两种作用:钝化与减反射,正常镀膜过程的作用就是达到此目的。 5.2.2 管式PECVD镀膜各项参数(待定):
参数 范围值
5.2.3 SiN膜的控制要求
SiN膜的具体控制范围可见控制要求(控制要求另行规定)。 5.3 膜厚、折射率异常的处理方法
5.3.1 膜厚偏薄时,可适当增加镀膜时间,偏厚则减少镀膜时间。更改时间的效果在下次镀膜时体现。 5.3.2 折射率的大小可通过更改SiH4和NH3的流量比来进行调节。提高SiH4与NH3的流量比,可提高折射率。对于centrorherm的管式设备来讲,正常生产过程中,折射率比较稳定,一般不做修改。若是实验需要,可在程序中进行修改,修改后一定要另存为其他的文件名,避免与正常程序混淆。 5.4 软件使用方法
5.4.1 工艺参数修改方法
5.4.1.1 管式PECVD的参数调整在控制电脑中进行,首先打开桌面上的“CCC.RM”;
5.4.1.2 打开后,出现的标题栏下面出现几个图标,每个图标对应不同的功能,主要用到的有3个,见图1中标示;
图1
5.4.1.3 点击第二个图标,在出现的对话框中输入密码;
T-Paddle Pressure HF Power SiH4 NH3 图2
赛维LDK太阳能高科技(合肥)有限公司 文件编号 文件名称 管式PECVD工艺流程 生效日期 页码 第3 页 共6 页 5.4.1.4 输入密码之后,出现图3所示窗口,其中最右边一栏为“Recipe Pool”,所有的程序均保存在此Pool中。在Pool中选择要修改的程序,选中后点击下方的“check out”,被选程序则出现在中间一栏,再点击“Export/Import”;
图4
5.4.1.5 点击“Export/Import”之后,出现图5所示的窗口,窗口主要有三栏,上一步中选择的程序出现在左边第一栏,左边两栏中间有方向相反的箭头,点击“→”,程序出现在第二栏,此时点击下面的“Edit”,出现显示程序内容的窗口;
图5
5.4.1.6 在出现的程序窗口中,找到相应的参数并修改,修改完成之后保存,保存时根据需要选择“save”或是“save as”,注意,修改时,只可修改镀膜时间、气体流量、高频功率以及压强等数值,语句部分勿擅自更改;
图6
赛维LDK太阳能高科技(合肥)有限公司 文件编号 文件名称 管式PECVD工艺流程 生效日期 页码 第4 页 共6 页 5.4.1.6 保存完之后,关闭程序,回到图5所示的窗口,更改后的程序出现在在中间一栏,依次选中程序,点击“←”,并关闭此窗口;
5.4.1.7 回到图4所示的窗口,在中间一栏中依次选中程序名,点击“check in”将程序导入至“Pool”中,程序修改完成。
5.4.2 如何调用新程序
图7
程序修改完之后,首先要将其加载到设备炉管,然后才能在该炉管中调用,未加载该程序的炉管则不能调用该程序,具体方法如下:
5.4.2.1 打开“CCC.RM”软件之后,点击左边第一个图标;
图8
5.4.2.2 在出现的窗口中选择炉管号,然后从“Pool”中选择要加载的程序名,点击“←”将其加载至特定的炉管。
设备名称,如PECVD1就是指1炉管号,1-1指1号机第一根炉管 “Pool”中程序 目前1-1炉管中的程序 号设备
图9
赛维LDK太阳能高科技(合肥)有限公司 文件编号 文件名称 管式PECVD工艺流程 生效日期 页码 第5 页 共6 页 5.4.2.3 将程序加载至炉管之后,就可调用改程序。
5.4.3 如何查看运行过程记录
5.4.3.1 点击“CCC.RM”,在出现的窗口中点击最后面一个图标,之后出现如图11所示的窗口,按照图示点击相应的图标;
图11 图10
5.4.3.2 点击之后出现的对话框中,可以选择查询的炉管号、时间段以及查询内容等信息,选好之后点击“OK”,出现查询内容。
六、异常产片处理流程 6.1 异常片定义
查询内容
查询时间
炉管号
赛维LDK太阳能高科技(合肥)有限公司 文件编号 文件名称 管式PECVD工艺流程 生效日期 页码 第6 页 共6 页 异常片可分两种,一种是镀膜前发现的硅片表面颜色异常的硅片,另一种是,镀膜后膜厚、折射率不在工艺控制范围内,颜色异常的硅片。 6.2 异常片处理规范
6.2.1 对于第一类异常片,其产生原因不在PECVD段,发现此种异常,及时通知前面工段的工艺人员,由他们负责处理。
6.2.2 出现第二种异常片时,首先判断其出现原因,根据原因作出相应调整,以免出现更多的不良片。已经出现的不良片若是颜色均匀,只是膜厚整体偏小,可进行加镀,若是膜厚偏大,或是片内颜色不均匀,有色差,无需返工,直接流至印刷工序。(对于膜厚偏大或是色差片的具体处理流程待定) 七、其他注意事项
7.1 若确定是其他原因导致镀膜异常,及时与相关人员联系。
赛维LDK太阳能高科技(合肥)有限公司 文件编号 文件名称 管式PECVD工艺流程 生效日期 页码 第6 页 共6 页 异常片可分两种,一种是镀膜前发现的硅片表面颜色异常的硅片,另一种是,镀膜后膜厚、折射率不在工艺控制范围内,颜色异常的硅片。 6.2 异常片处理规范
6.2.1 对于第一类异常片,其产生原因不在PECVD段,发现此种异常,及时通知前面工段的工艺人员,由他们负责处理。
6.2.2 出现第二种异常片时,首先判断其出现原因,根据原因作出相应调整,以免出现更多的不良片。已经出现的不良片若是颜色均匀,只是膜厚整体偏小,可进行加镀,若是膜厚偏大,或是片内颜色不均匀,有色差,无需返工,直接流至印刷工序。(对于膜厚偏大或是色差片的具体处理流程待定) 七、其他注意事项
7.1 若确定是其他原因导致镀膜异常,及时与相关人员联系。
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