内部存储器RAM和ROM使用说明

内部存储器RAM和ROM用户指南

1、介绍内部存储器模块

本用户指南介绍了实现以下内存模式的宏功能： ■ RAM:1-Port—Single-port RAM 单口RAM ■ RAM:2-Port—Dual-port RAM 双口RAM ■ ROM:1-Port—Single-port ROM 单口ROM ■ ROM:2-Port—Dual-port ROM 双口ROM

Altera公司提供了两种宏功能来实现内存模式：ALTSYNCRAM和ALTDPRAM宏功能。QuartusII软件会自动选择其中一个宏功能来实现内存模式。选择那种宏功能模式取决于目标器件，存储器模式和RAM和ROM的功能。

本用户指南会让您熟悉宏功能，以及如何创建它们。如果您不熟悉的Altera宏功能或“the MegaWizard? Plug-In Manager”，请参阅介绍宏功能用户指南。

内部存储器具有如下功能： ■ 内存模式配置 ■ 存储模块类型 ■ 端口宽度设置 ■ 存储器最大深度设置 ■ 时钟模式和时钟使能 ■ 地址时钟使能 ■ 字使能 ■ 异步清零 ■ 读使能 ■ 同时读写 ■ 存储器初始化 ■ 错误校正码

2、参数设置

Altera建议您使用参数编辑器来配置来构建您的RAM和ROM内存块,以确保您

所选择的选项组合是有效的。下表是双口RAM参数设置

选项 你将如何使用 双端口RAM ? 有效值 一个读/写端口 或者两个读/写端口 一个字的数量 或者一个位的数量 — 默认值 一个读端口和一个写端口 一个字的数量 功能描述 指定如何使用双口RAM 你想指定的存储器的位宽？ 确定用字或者位来指定内存大小 指定存储器有多少个字或者字节 指定不同的端口使用不同的数据宽度 存储器的有多少个字？ 256 不同的端口使用不同的数据宽度 当你选择单端口读/写时，以下选项有用： 输出总线q_a位宽？ 输入总线data_a位宽? 输出q宽度？ 当你选择双端口读/写时，下面的选项有效： 输出总线q_a位宽？ 输出总线q_b位宽？ 开/关 关 — 8 指定输入输出端口位宽 存储块类型是什么？ M-RAM, M4K,M512, M9K, M10K,M144K, MLAB, M20K,LCs AUTO 指定存储块的类型，选择什么样存储块类型的取决于目标设备 内存该如何实现？ 使用默认的逻辑单元模式或者Stratix M512 仿真逻辑单元模式 使用默认的逻辑单元模式 指定逻辑单元实现选项。只有当你选择LCS内存类型时此项才有效。 32, 64, 128, 256, 设置存储器的最大深度 512, 1024, 2048, 4096 AUTO 指定内存的最大深度。只有当你选择内存类型是“AUTO”时此选项有效 当你选择单端口读/写时，下面的值有效： ■单时钟 ■双时钟：用单独的输入输出时钟 ■双时钟：用单独的读写时钟 使用什么样的时钟模式 当你选择两个读写端口时，下面的值有效： ■单时钟 ■双时钟：用单独的输入输出时钟 ■双时钟：对A和B端口分别使用单独的时钟 单时钟 单时钟：一个时钟和一个时钟使能控制内存块中所有的寄存器 双时钟：使用单独的输入和输出时钟，一个输入和一个输出时钟控制相关的所有寄存器的数据输入和输出/内存块，包括数据，地址，字使能，读使能，和写使能。 双时钟：使用单独的读写时钟，一个写时钟控制数据输入，写地址，写使能，而读时钟控制数据输出，读地址，读使能寄存器。 双时钟：A和B端口分别使用单独的时钟。时钟A控制A端口所有的寄存器。时钟B控制B端口所有的寄存器。每个端口还支持单独的时钟使能。 当你选择单端口读写时，下面的选项有效： 创建一个读使能信号：“rden” — 当你选择双端口读/写时，下面的选项有效： 创建读使能信号：“rden_a”和“rden_b” off 对端口B是否创建一个读使能信号 对端口A和B是否创建读使能信号 端口A创建字节使能 — 端口B创建字节使能 Off 指定对端口A和B是否创建字节使能。 使能ECC来检查和纠正单比特错误和检查双比特错误 On/off off 指定是否使能ECC特性来纠正单比特错误和检查双比特错误在存储器的输出端。这个选项只有在内存块模式是M144K的器件中有效。 使能ECC来检查和纠正单比特错误，两相邻比特错误和检测三相邻位错误 On/off Off 指定是否使能ECC特性来检查和纠正单比特错误，两相邻比特错误和检测三相邻位错误。此选项只有在支持内存块类型是M20K的器件中有效 那个端口需要寄存？ 当你选择一个读端口和一个写端口时，以下选项可用： ◆写输入口‘data’, ‘wraddress’, ‘wren’ ◆读输入口‘raddress’ and ‘rden’ ◆读输出口：‘q’ 当你选择两个读写端口时，以下选项可用： ◆写输入口‘data_a’, ‘wraddress_a’, ‘wren_a’ ◆读输出口：’q_a’ ‘q_b’ On/off off 指定是否寄存读/写输入和输出端口 是否创建时钟使能信号？ 双端口RAM的使用方式选择为“一个读端口”和“一个写端口”时可以选择Use clock enable for write input registers写入寄存器使用时钟使能；双端口RAM的使用方式选择为“两个端口都可用读/写”时的可选项包括：Use clock enable for port A input registers（端口A输入寄存器使用时钟使能）、Use clock enable for port B input registers（端口B输入寄存器使用时钟使能）、Use clock enable for On/Off Off 指定是否打开这个选项，来为每个时钟信号创建一个时钟使能信号。 时 钟 使 能 选 项 On/Off Off 端口B的输入和输出寄存器的时钟使能是默认选中的，只需要指定端口A的输入和输出寄存器是否使用时钟使能。

port A output registers（端口A输出寄存器使用时钟使能）、Use clock enable for port B output registers（端口B输出寄存器使用时钟使能）。 时 钟 使 能 选 项 双端口RAM的使用方式选择为“一个读端口”和“一个写端口”时可以选择：Create an ‘wr_addressstall ’ input port.（创建一个wr_addresstall输入端口）和Create an ‘rd_addressstall’ input port.（创建一个rd_addresstall输入端口）；双端口RAM的使用方式选择为“两个端口都可用读/写”时的可选项包括：Create an ‘addressstall_a’ input port（创建一个addresstall_a输入端口）和Create an ‘addressstall_b’ input port.（创建一个addresstall_b输入端口）。 On/Off Off 指定是否为地址寄存器创建时钟使能，创建这些端口可以作为地址寄存器的低电平时钟使能输入。 为寄存器端口创建异步清零信号aclr On/Off Off 指定是否为为寄存器端口创建异步清零信号aclr 当读写同时发生时，指定输出的类型。显示内存原来的值：RAM的输出反映的是写操作之前改地址所指的旧数据。 不定值：此选项功能不同，当你打开它取决于 以下内存块类型选择： 当你设置内存块的类型为：Auto，M144K，M512，M4K，M9K，M10K M20K或者其他类型，在同时进行读写操作时RAM输出不定值，不需要考虑时序路径。 当你想让RAM输出不确定值时，打开此选项，在进行读写操作时不分析时序路径。此功能只对LUTRAM有效，并且只有当你设置存储块类型为MLAB时才能使用此功能。 指定存储器的初始内容。选择置空RAM时，初始化存储器为零。选择用文件初始化时，使用一个内存初始化文件（.mlf）或者是（.hex）文件 当一个内存位置同时读/写操作时，如何控制输出Q？ 显示内存原来的值/不定值 不定值 不分析读操作和写操作之间的时序。在同一时刻向同一存储器地址进行读写操作时亚稳态问题无法解决。 On/Off Off 是否初始化RAM？ 不初始化，空的RAM，或者初始化，用文件数据来初始化RAM。 不初始化 当读写同时发生指定输出行为。 写期间读时q_a的输出 New Data（新数据）：在写数据的同一个时钟周期New data（新数New data（新的上升沿新写入据）, Old Data（原数据） 的数据可用； 来的数据） Old data（原来的写期间读时q_b的输出 数据）：RAM的输出是写入新数据之前原来存储在存储器中的数据。 使用字节使能时用X（不定值）代替原来的数据

On/off On 打开此功能时在被屏蔽的字节位置获得X值。

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