磁芯螺线管微电感的计算机模拟
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磁芯螺线管微电感的计算机模拟
第41卷第1l期2007年11月
上海交通大学学报
JOURNALoFSHANGHAlJlAOToNGUNIVERSITY
VoI.41No.1I
Nov.2007
文章编号:1006—2467(2007)11—1867一04
磁芯螺线管微电感的计算机模拟
郭绍寅,
周
勇,
周志敏,曹
莹,丁
文
(上海交通大学微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,
薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海200030)
摘要:采用电磁场理论建立了FeNi磁芯螺线管微电感的物理模型,并对交流载荷下的微电感进行了模拟.通过与磁芯厚度为10、20、30和40pm的微电感的实验结果对比,表明该物理模型能够较准确地模拟磁芯螺线管微电感的主要损耗,进而可计算微电感的电感量和品质因子.模拟结果与实验符合较好.
关键词:螺线管;微电感;磁芯}物理模型
中图分类号:TN602
文献标识码:A
APhysicaIModelofSoJenoidMicrolnductorwithMagneticCOre
GUoS^口D_y抽,ZHOUYong,
ZHoUZ^i一优in,CA0Ⅵng,
DjNG’%”
(NationalKeyLab.ofNano/MicroFab“cationTechn0109y,KeyLab.for
ThinFilmandMicroFabricationofMinistryofEducation,Inst.ofMicro/Nano
Science&Techn0109y,ShanghaiJiaotongUniv.,Shanghai200030,China)
Abstract:Thispaperpresented
physicalmodelof
solenoidmicr伊inductorwithmagnetic
are
aacoreon
the
basisofelectromagnetictheory.Inthismodel,thepropertiesofmicro_inductoratMHzcomparedwiththeexpe“mentalresuItsfor
a
simulated,and
s01enoidmicro—inductorwith
can
acore
thickness主n10,20,30
and40"m,respectively.Theresultsshowthatthemodelductor,which
can
simulatethemajorpower10ssofmicroin—
beusedtocalculatetheinductanceandqualityfactorofmicro-inductor.Thecalculated
resultsagreewiththeexpefimentaldatawell.
Keywords;solenoid;micro—inductor;magneticcore;physicalmodel
在各种电子线路中,磁性器件如电感器件以及由其构成的电源变压器、DC-DC变压器、振荡器、滤波器、放大器和调谐器等是电子线路中不可缺少的重要元器件.近年来,随着电子产品的小型化、微型化发展,高性能的微型化、集成化电感器件成为国内外学者研究的重点,而微电感器件结构参数的设计
模拟也成为微电感器件研究的重要组成部分.
作为微电感器件的设计,其物理模型主要针对各种平面螺旋电感,方法有分段等效电路法(Partial
EkmentEquivalent
circuits,PEEc)[“,H型集总参
数等效电路”1和2Ⅱ型集总参数等效电路o“3等,不完全适合磁芯结构螺线管微电感结构参数的设计模拟.本文在经典的Ⅱ型模型基础上,结合一维磁芯涡
收稿日期:2007一01一04
基金项目:国家高技术研究发展计划(863)项目(2006AA032301),上海应用材料研究与发展基金(0515),非硅精密徽机械制造技术研究基
金(D2320060098)和上海市纳朱专项基金(0652啪004)赍助项目
作者简介:郭绍寅(1982一).男.浙江台州人,硕士,主要从事磁芯螺线管搬电感的模拟和制造研究.
周勇(联系人),男,教授.博士生导师-电话(Tel.)1021—62933717}E_删I:y曲ou@sjtu万方数据
edu.cn.
磁芯螺线管微电感的计算机模拟
1868
上海交通大学学报
第41卷
流分析,建立了磁芯螺线管微电感的物理模型.1微电感的集总参数等效电路
微电感中存在多种损耗,最主要的有欧姆损耗、寄生电容以及衬底损耗.综合3类损耗,磁芯螺线管微电感(见图1(a))的电感量和品质因子可根据Ⅱ型集总参数等效电路03(见图1(b))及下式计算:
L:堕盈,Q一型罂
∞
^eL厶,
(1)
式中:z为整个电路的复数阻抗;L和Q为电路的等效电感和品质因子;m为角频率.图中,L,、R。分别为不同频率下的电感量剽导体电阻值;e为集总电容;c“、R-分别为衬底的电容和电阻.
图1微电感屁微结构图及其z型集总参数
等效电路罔
Fig.1
Aphotographofsolenojdmicroinductorwithmagnetic
core
a
J1di饵Ⅱ一shapedcompact
e口uivaIentcIrcuIt
本文研究的磁苍螺线管微电感中,欧姆损耗R,=R。+R。.其中:R。为线圈电阻;尺。为磁芯等效电阻;电感量为磁芯在涡流效应影响下的等效电感量
Lm,即Ls—Lm-
在频率为1~10MHz时,铜的趋肤深度大于线
耋窖警堂堂耋警妻:要兰:!,直流电阻来代替交
流电阻,根孥电阻计算公式可得
K一耻i—P。“
f盟!!』±<!塾±!型!±!12+墨竺11
(2)
式中;Pc、z。和&分别为线圈导体的电阻率、线圈的总体长度和线圈导体的截面积;N为螺线管线圈的
万
方数据匝数;w。和s分别为线圈导体的宽度、线圈导体的
间距;£。为上层导线长度; ̄/fzp+("。+s)2为下层导
线长度;f。。为支柱导线长度;f。为支柱导线厚度.
2螺线管电感量、磁芯等效电阻和电
容的计算‘51j
本文所研究微电感的磁芯为环状闭合结构,磁力线主要集中于磁芯内部,因此可忽略绝缘材料中的磁场强度和线圈边界的漏磁.假设在直流情况下,螺线管内部磁场均匀分布.由安培环路定理,取磁芯中心线作为环路,螺线管内部磁场可表示为
H一掣
(3)
£“
式中:z。为磁芯平均长度,即磁芯中心线的长度;I
为电流.
根据电磁学分析,螺线管的电感值即为整个螺线管导体包围的总的磁通口和电流I的比值,即
【,一里=尘堕一垒生!丝!垫!!!一出些!盟:竺!生
j
j
j
f。.
(4)
式中:‰为磁芯宽度;f。为磁芯厚度.此处L为直流电感,记为k.
在高频交流情况下,磁芯产生涡流效应.考虑到设计方案的磁芯厚度为5~30“m,而宽度为800pm以上,可忽略磁芯边缘的涡流效应,近似地用一维情况“。3来分析.
图2所示为一维涡流分析情况下微电感的截面
图,上下为线圈导线,中间为磁芯.根据假设条件,磁场仅存在z向分量,且在磁芯表面均匀分布,记表面磁场为H。.
图2一维涡流分析示意图
FIg
2
onedime。sio。aleddy
current啪lysis
量HX;高丽≤薇4…
由M。。。eIl方程组可得一维情况下谐振时变
…~……”1
罂一口zH
(5)
。
式中.
。一旦#,占一√—L
。
o。印。趣
磁芯螺线管微电感的计算机模拟
第11期
郭绍寅,等:磁芯螺线管微电感的计算机模拟
口、舯和产,分别为磁芯材料的电导率、真空磁导率和相对磁导率.
解方程(5),代人边界条件H。。求得
“炉警=以嵩
蹦y)=巩高卷知
其中:H;(,)为H。沿y方向的分布函数;,,(y)为电流密度,,沿y方向的分布函数.
由于绝缘材料的磁导率很小,忽略绝缘材料的磁场(即介于磁芯和线圈之间的部分),由积分算得螺线管截面上的磁通量:
垂邓肚匕删y
(6)
将式(6)代人式(4),根据电感的定义,得
Lm(舻Ldc争兰釜摹∽“cosh≥+cos导
对J,在y方向积分,可以得到涡流损耗:
P。一玎√2
J,Jz曲
(8)
由P。=12R。,代人L“,可得交流载荷下磁芯的
等效电阻:
蹦胪也磬豢蔫㈣
对于微电感的寄生电容e,主要存在于3个方面oJ:同层导线间的耦合电容c,、线圈导线与磁芯问的耦合电容c:以及四周导线层间的耦合电容
G.
同层线圈匝问电容c-由电容计算公式可得
cl=(N一1)£。eHf生粤+
笠鳖攀兰堕土业+塾血](10)
式中.£0和e,。分别为真空和绝缘材料的介电常数}其他参数同前.式(10)中括号第1项来自顶层导线匝间的电容,第2项来自底层导线匝间的电容,第3项来自支柱导线匝间的电容.
线圈与磁芯之间电容为
C2一竺鱼掣+竺鱼掣
(11)
式中:凼和也分别为上层线圈和支柱与磁芯问的距离;其他参数同前.
c3相对C,、c2很小,可以忽略,故整个微电感的寄生电容c|一cl+G.
万
方数据3模拟结果及分析
本文模拟的微电感磁芯宽度为800“m,磁芯长
度8840pm,导线宽度20卜m,导线间距35Pm,支
柱高度55pm,导线长度980pm.模拟微电感的电感量和品质因子模拟结果与实验测量值的比较如图
3所示.
,,MHz(b)曲厦凼于
罔3模拟结果与实验测最值的比较图
Fig.3(二ompa“sonofthecalculatedthe
andtheexperimentalresults
由图3(a)可见,模拟值的曲线特征与实验测量值随频率,的变化一致,即随着磁芯厚度f。的增大,电感量L增大,且随着工作频率,的上升,同一磁芯螺线管微电感的L下降.由图3(b)呵见,随着£。的增大,趋肤教应变得明显,各厚度的磁芯螺线管微电感的品质因子Q的模拟值和实验值均减小,且达到最大Q值的,降低.当,>5MHz时,模拟值与实验值误差相对较大.
模拟结果和实验结果差别的主要原因如下:
(1)理论推导过程假设的是理想情况,在实际电感中并不完全成立,由于磁芯内部磁场强度存在不均匀性,线圈存在漏磁;
(2)实际制备工艺存在误差,如电镀时厚度误差,电镀时电流分布不均也会造成磁芯厚度的不均
磁芯螺线管微电感的计算机模拟
1870
上海交通大学学报
第41卷
匀性;
EIectmⅡDevio婚M神ti“g.SanFrancisco,CAtUsA
(3)实际材料参数和理论值也存在一些差距,IEEE.1996:155—158.如磁性材料经多次热处理后磁芯磁导率会发生变[3]
caoY,GrovesRA,Hua“g
x,Pf“.Frequency-in-
化,电镀的金属材料电阻率与理论值也存在差别等.
dependentequivalentcircuitmodelfor
on-chip¥piral
lnductors[J].1EEE
Js0Jid state
circⅡI协t
2003,
4结语
38(3):419—423.
[4]
wat80n
A
c,MeIendyD,FrancisP'“口f.Acom—
本文基于电磁场理论对磁芯螺线管微电感的物prehensive
compact—modelingmethodologyfofspiral理模型进行了详细分析,重点研究了器件的欧姆损inductor8in
silicon-based
RFIcs[J].
IEEE
Tr蛆s
耗、寄生电容损耗两个最重要的损耗因素.分析表MicM“eTh∞ryTech,2004,52(3){849—857.
明,本物理模型能够较准确地模拟磁芯螺线管微电r5]
GrandiG,Kazimlerczuk
MKtMassariniA,以“.
感的电感量和品质因子.与实验结果对比,本文物理Modeloflamjnatediron.coreinductorsforhighfre—
模型能得到较准确的结果,从而为微电感的设计研quencIes[刀,lEEE
Tr嗍Ma罟11.z004,40(4):1839
一1845.
制起指导作用.[6]stroIl
R
LTheanalysi8ofeddycurrents[M].史乃
参考文献:
译.哈尔滨:黑龙江科学技术出版社,1983.
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Ruehli
AE.
Equivalent
circ小t
models
for
threP
社,2000.
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wang
s,
Modeltnganddesignofpla船rintegrated
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magnetlc
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Virginla
usA:Virginia
[z]Yuec
P,Ryuc,Lau
J,““,Aphy甑calmo如lfoz
andstateUniver3icy,Z003.
planarspjral
inductors。n
sllicon[c]//Inte哪ntIoMI
PolytechnicInstituce专。神托凸々}眯川4啦々坩々簟畔啃o々,9590叫he’o口。口}口酋口舌州水唁凶々o口。口-叫蝌咕o々o口蕾稍—oto口o々-々,啦^o’。々o口。畔^e崎}“蚺
霪灏囔蠢鳆瓣囊糕i
技术变迁路径依赖的演化博弈分析
姜晨1,
刘汉民2,谢富纪1
(1.上海交通大学安泰经济与管理学院,上海200052;2.暨南大学管理学院,广州510632)
摘要:针对学术界对技术变迁过程中路径便触的争议现象,运用演化博弈的非对称夏制动态博彝模型进行分析.结果显示:技术芟迁过程可托出现非效率往木“镶踅”,也可能出现非效牟技术被更有效率的技拳取代l最终郦个技术取得优势地位,受初始状态、策略的集体改变、技术兼容性等多方面因素影响.因此t渍化的结果具有复杂和不确定性,路径依赖和非路径依赖都可能存在,而且路径依赖在一定条件下可以破蚌.
基于日内流动性模式的大额指令交易策略
张丽芳,刘海龙
(上海交通大学金融工程研究中心,上海200052)
摘
要:基于Polimeni3的研究方法,针对风险证券市场日内深度的倒U_型模式厦成变量的U一型模式,根据最优控
制理论,给出了太颠指令的最优交易策略.其中不仅包括指令规模的分拆,还包括指夸提交速率的选择.研究发现,最优策略依赖于交易时段内成变量和深度的变化模式.通过比较发现 若成交量模式不变 市场深度水平整体较高.投资者在开市时或尾市时交易最佳;若市场深度水平整体较低,则投资者在中午时交易曼佳.与太额风险头寸的一次交易比较,访幕略能显著降低预期执行成皋.
万
方数据
磁芯螺线管微电感的计算机模拟
磁芯螺线管微电感的计算机模拟
作者:作者单位:刊名:英文刊名:年,卷(期):被引用次数:
郭绍寅, 周勇, 周志敏, 曹莹, 丁文, GUO Shao-yin, ZHOU Yong, ZHOU Zhi-min, CAO Ying, DING Wen
上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030
上海交通大学学报
JOURNAL OF SHANGHAI JIAOTONG UNIVERSITY2007,41(11)1次
参考文献(8条)
1.Ruehli A E Equivalent circuit models for threedimensional multiconductor systems 1974(03)2.Yue C P.Ryu u J A physical model for planar spiral inductors on silicon 1996
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2.会议论文 方东明.赵小林.王西宁.周勇 射频螺线管微电感的设计和仿真 2006
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5.学位论文 郭绍寅 MEMS磁芯螺线管微电感的模拟和制造工艺研究 2007
目前的通讯工程中仍使用大量射频(RF)技术必不可少的片外分离单元如谐振器、滤波器、耦合器等,阻碍了微型化,高性能,低成本的无线终端产品的进一步发展,即将各种功能单元实现在一个单一的芯片上,实现SOC(System On a Chip)。近年来,MEMS技术的迅速发展使其成为可靠而有效地实现硅SOC的必然途径,而各种基于MEMS技术的射频器件和磁性器件也成为学者们的重要研究课题。
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(1) 磁芯螺线管微电感的ANSYS有限元建模分析本文应用ANSYS三维谐振电磁场单元边分析法建立了磁芯螺线管微电感的有限元模型,分析了微电感内部的磁场分布情况,并且根据ANSYS得到的能量储存和损耗计算磁芯的等效电感和等效电阻。
(2) 磁芯螺线管微电感的数值建模分析本文从电磁场理论出发,借助MatLab编程,建立了微电感的数值模型,并将计算结果与ANSYS结果和实验结果
磁芯螺线管微电感的计算机模拟
对比,三者结果吻合较好。在4mm×4mm外形面积下,从材料性质和几何参数两个方面,磁芯、线圈、绝缘材料和衬底四个部分研究和分析各种相关参数对微电感的性能影响,并提出了优化设计方案。
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8.期刊论文 吴茂松.杨春生.茅昕辉.赵小林.蔡炳初 铁芯和空芯螺线管型微电感器的性能比较 -微细加工技术2003(1)
为了满足RF电路、电源电路、微执行器和微传感器等领域对高性能和工艺简单的电感器的广泛需求,用正、负胶结合的微加工工艺,在硅基片上制作了有坡莫合金铁芯的和在玻璃基片上没有铁芯的、其它结构和参数均相同的两种螺线管型微电感器,测试了它们在1~40MHz频率范围的电感、电阻和Q因子,并进行了比较和讨论.其结果与现有理论知识相一致.实验证明了具有坡莫合金铁芯的螺线管型微电感器在低于30MHz的频率下使用更有意义.而无铁芯螺线管型微电感器还可以用于更高频率的场合.
9.期刊论文 高孝裕.陈吉安.周勇.雷冲.王明军.张亚民.周志敏.毛海平.GAO Xiao-yu.CHEN Jian.ZHOU Yong.LEIChong.WANG Ming-jun.ZHANG Ya-min.ZHOU Zhi-min.MAO Hai-ping 磁性薄膜微电感器件的研究进展 -电子元件与材料2005,24(4)
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引证文献(1条)
1.李春生.杨中海.黄桃 有限长通电螺线管空间磁场分析[期刊论文]-现代电子技术 2009(11)
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