ISD1110、1420语音录放电路

更新时间:2024-05-29 05:17:01 阅读量: 综合文库 文档下载

说明:文章内容仅供预览,部分内容可能不全。下载后的文档,内容与下面显示的完全一致。下载之前请确认下面内容是否您想要的,是否完整无缺。

ISD1110、1420语音录放电路

一、管脚排列图

二、应用线路图 A0 1 A1 2 A2 3 A3 4 A4 5 A5 6 NC 7 NC 8 A6 9 A7 10 NC 11 VSSD 12 VSSA 13 SP+ 14 28 VCCD 27 /REC 26 XCLK 25 /RECLED 24 /PLAYE 23 /PLAYL 22 NC 21 Ana Out 20 Ana In 19 AGC 18 Mic Ref 17 Mic 16 VCCA 15 SP- DIP / SOIC / COB

注: ISD1110的/PLAYL、/PLAYE、/REC、A7和A6内部有上拉电阻,A5~A0内部有下

拉电阻。因此R6、R7和R8不用接;不分段的话,地址也不必接地。按键和A7、A6接地会产生100微安的电流。

5

三、工作模式

1、单段录放音模式:

单段录放音时,需全部地址线接地,按住REC键录音,放开或录满时 自动停止,录音期间RECLED点亮,录音结束时熄灭。放音时,按住PL键放音,松开停止;按一下PE键全段放音,放音结束,LED闪动一次。

2、操作模式:

ISD1420内置了若干操作模式,可用最少的外围器件实现最多的功能。操作模式也由地址端控制:当A7和A6都为1时,其它地址端置高就可选某个或几个模式。因此,操作模式和直接寻址互相排斥,操作模式可由微控制器,也可由硬件实现。使用操作模式要注意以下两点:1、所有初始操作模式是从0地址开始,后续操作根据所选用的模式可从其它地址开始。此外,A4模式中,当电路由录转为放时地址计数器复位为0,而由放转为录时则不复位。2、当控制信号(/PLAYL/PLAYE或/REC)变低,同时A6和A7为高时,执行操作模式。这种操作模式一直有效,除非控制信号再次由高变低,芯片重新锁存当前的地址/模式端电平,然后执行相应操作。

操作模式简表: 模式(地址) A0 A1 A3 A4 功能 信息检索 删除EOM 循环 连续寻址 典型应用 快进信息 在最后一条信息的结束处放置EOM 录放连续的多段信息 可组合使用模式 A4 A3 A4 A1 A0 A1 A0(信息检索):快速跳过信息而不必知道其确切地址。/CE每输入一个低脉冲, 内部地址计数器就跳到下一条信息。此模式仅用于放音,通常与M4同时使用。

A1(删除EOM标志):使分段信息变为一条信息,仅在信息最后保留一个EOM标志。这

个模式完成后,录入的所有信息就变成一条连续的信息。

M3(信息循环):循环重放位于存储空间起始处的那条信息。一条信息可以完全占

满存储空间,那么循环就从头到尾进行。这时/OVF不变低,给/PLAYE发 低脉冲后循环开始,给/PLAYL发低脉冲后循环结束。

M4(连续寻址):正常操作中,重放遇到EOM标志时,地址计数器复位。A4禁止地址

计数器复位,使得信息可连续录入或重放。当芯片即非录音又非放音时, 将A4短暂拉低可使地址计数器复位。

A2、A5:未用

注:ISD1100系列只要将A3接高就可实现循环,操作同上。控制循环的另一种方法是只用/PLAYL端:接低开始循环,变高循环结束。

6

四、管脚说明

注:1100系列的/REC, /PLAYL, /PLAYE, A6和A7端内部被上拉到VDD,A0-A5内部被下拉到VSS,上拉/下拉阻值在50K至100KΩ,除此之外,各引脚与1200/1400完全相同。电路设计中,这些端的外围上/下拉电阻可省略,但需要仔细考虑对静态电流的影响。

电源(VCCA, VCCD):芯片内部的模拟和数字电路使用不同的电源总线,并且分别引到外

封装上,这样可使噪声最小。模拟和数字电源端最好分别走线,尽可能在靠近供电端处相连,而去耦电容应尽量靠近芯片。 地线(VSSA, VSSD):芯片内部的模拟和数字电路也使用不同的地线,这两个脚最好在引

脚焊盘上相连。 录 音 (/REC):低电平有效。只要/REC变低(不管芯片处在节电状态还是正在放音),芯

片即开始录音。录音期间,/REC必须保持为低。/REC变高或内存录满后,录音周期结束,芯片自动写入一个信息结束标志(EOM),使以后的重放操作可以及时停止。之后芯片自动进入节电状态。 注:/REC的上升沿有50毫秒防颤,防止按键误触发。

边沿触发放音(/PLAYE):此端出现下降沿时,芯片开始放音。放音持续到EOM标志或内

存结束,之后芯片自动进入节电状态。开始放音后,可以释放/PLAYE。 电平触发放音(/PLAYL):此端从高变低时,芯片开始放音。放音持续至此端回到高电平,

或遇到EOM标志,或内存结束。放音结束后芯片自动进入节电状态。 注:放音过程中当遇到EOM或内存结束时,如果/PLAYE或/PLAYL仍处在高电平,

芯片虽然也会进入节电状态(内部震荡器和时钟停止工作),但是由于芯片没有对/PLAYE和/PLAYL的上升沿进行消颤,随后在这两个引脚上出现的下降沿(例如释放按键时的抖动)都会触发放音。 录音指示(/RECLED):处于录音状态时,此端为低,可驱动LED。此外,放音遇到EOM

标志时,此端输出一个低电平脉冲。 话筒输入(MIC):此端连至片内前置放大器。片内自动增益控制电路(AGC)将前置增益控

制在-15至24dB。外接话筒应通过串联电容耦合到此端。耦合电容值和此端的10KΩ输入阻抗决定了芯片频带的低频截止点。 话筒参考(MIC REF):此端是前置放大器的反向输入。当以差分形式连接话筒时,可减

小噪声,提高共模抑制比。 自动增益控制(AGC):AGC动态调整前置增益以补偿话筒输入电平的宽幅变化,使得录制

变化很大的音量(从耳语到喧嚣声)时失真都能保持最小。响应时间取决于此端的5KΩ输入阻抗和外接的对地电容(即线路图中的C6)的时间常数。释放时间取决于此端外接的并联对地电容和电阻(即线路图中R5和C6)的时间常数。470 KΩ和4.7uF的标称值在绝大多数场合下可获得满意的效果。 模拟输出(ANA OUT):前置放大器输出。前置电压增益取决于AGC端的电平。

7

模拟输入(ANA IN):此端即芯片录音的输入信号。对话筒输入来说,ANA OUT端应通过

外接电容连至本端。该电容和本端的3KΩ输入阻抗给出了芯片频带的附加低端截止频率。其它音源可通过交流耦合直接连至本端。 喇叭输出(SP+,SP-):这对输出端能驱动16 Ω以上的喇叭。单端使用时必须在输出端和

喇叭间接耦合电容,而双端输出既不用电容又能将功率提高至4倍。录音时,它们都呈高阻态;节电模式下,它们保持为低电平。 外部时钟(XCLK):此端内部有下拉元件,不用时应接地。芯片内部的采样时钟在出厂前

已调校,保证了标称的最小录放时间。商业级芯片在整个温度和电压范围内,频率变化在±2.25%内,并保证最小录放时间,所以有些芯片的录放时间比标称值稍大。工业级芯片在整个温度和电压范围内,频率变化在±5%内,建议使用稳压电源。若要求更高精度或系统同步,可从本端输入外部时钟,频率如前表所示。由于内部的防混淆及平滑滤波器已设定,故上述推荐的 时钟频率不应改变。输入时钟的占空比无关紧要,因为内部首先进行了分频。 地址(A0-A7):地址端有两个作用,取决于最高(MSB)两位A7、A6的状态。当A7或A6

有一个为0时,所有输入均解释为地址位,作为当前录放操作的起始地址。地址端只作输入,不输出操作过程的内部地址信息。地址在/PLAYE、/PLAYL、或/REC的下降沿锁存。

8

本文来源:https://www.bwwdw.com/article/ofu7.html

Top