2015考研华中科技大学901半导体物理真题完美回忆版

华中科技大学2015考研901半导体物理真题

一.名词解释 4*5’

1.共有化运动 2.简并半导体

3半导体的霍尔效应 4.半导体的塞贝克效应

二．填空题 10题每题两空每空一分（都是书上原话，但两个空是半导体器件的知识）

1.回旋共振一般是在（低温）下进行，回旋频率等于（共振频率）。

2.硅锗是（金刚石）型晶格结构，砷化镓是（闪锌矿）型晶格结构

3.杂质分为间隙式和（替位）式。缺陷分为（点）缺陷，线缺陷，面缺陷 4.散射非为（电离杂质散射）和（晶格振动散射）。

5.（迁移率）是载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，（扩散系数）是沿扩散方向，在单位时间每单位浓度梯度的条件下，垂直通过单位面积所扩散某物质的质量或摩尔数。

6.异质结通过（导电类型）的不同分为同型异质结和异型异质结，又通过（）分为Ⅰ型和Ⅱ型。---（第二个空课本上没有，我也不知道填什么）

7.频率对pn结性能有很大影响是因为pn结有（结电容），其中又分为（势垒电容）和扩散电容。

8.肖特基势垒二极管与pn结相比有更（大）的JS,与更（低）的正向导通电压。 9.单异质结激光器有更（）的禁带宽度，和更（）的折射率。---（这个真不会） 10.MOS型场效应管不需加电压就能形成沟道的是（）型，需要加偏置电压才能形成沟道的是（）型。（这是半导体器件物理里面的知识，应该填增强型和耗尽型）

三．作图题 5*10’

1.画出绝缘体，半导体，导体能带图，并作简要说明。

2.画出n型硅半导体电阻率与温度关系曲线，并作简要说明。

3.金半接触的肖特基模型中n型阻挡层的形成条件是什么，画出其平衡能带图。 4.画出隧道pn结的伏安特性曲线，说明其负阻的原因。

5.画出p型半导体在理想MIS结构下，少子反型状态能带图与电荷分布。

四．简答题 3*10’

1.解释复合中心与陷阱中心的联系与区别，详细说明。 2.详细说明pn结雪崩击穿与隧道击穿的击穿机理。 3.半导体表面态的作用与影响

五．计算题 10’

杂质补偿型n型硅半导体，施主杂质浓度Nd=4.5*10^17，（有单位，不记得了），受主杂质浓度为Na=1.5*10^17.求室温下其电导率。（后面给出了条件，有本征载流子浓度ni，还有杂质浓度分别为3*10^17和6*10^17时迁移率的数值。）

这题书上四五六几张上的课后习题有很多类似的，选几道做一做就行。

六．论述题 20’

结合能带图，详细说明半导体发光二极管（LED）的工作原理，并讨论实现白光LED的方法。

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/oesr.html