晶振的主要参数及其对电路的影响

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晶振的测试报告 Crystal First Failure FL RR DLD2 RLD2 Ohms SPDB dB C0 pF C0/C1 C1 fF L mH High Limit Low Limit 1 2 3 PASS PASS Fail DLD2 High Fail SPDB High PASS PASS PASS PASS PASS Fail DLD2 High ppm 20.0 -20.0 3.45 -5.84 0.44 Ohms Ohms 3,744.84 4,113.29 3,613.27 80.0 8.0 80.0 -2.0 7.0 1.0 1.02 0.94 1.03 10.75 11.70 10.63 50.57 32.05 73.86 2.24 4.18 54.39 36.30 -4.66 -6.96 -3.59 3.83 3.86 3.74 27.81 108.17 4 5 6 7 8 9 10 -8.97 -1.27 -6.74 -3.52 1.13 -7.01 -3.62 33.67 40.11 30.12 41.97 38.34 21.31 24.75 2.06 1.65 4.38 1.52 2.07 0.73 37.55 42.75 34.23 42.86 40.46 21.80 78.55 -0.44 -7.86 -9.58 -6.95 -4.15 -9.89 3.92 3.89 3.81 3.85 3.88 3.83 3.86 5,538.01 3,955.09 3,608.85 4,670.19 5,017.95 3,018.17 2,943.39 0.71 0.98 1.06 0.82 0.77 1.27 1.31 15.54 11.17 10.42 13.35 14.23 8.67 8.37 52.36 -10.30

晶振的等效电器模型

C0 ，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。也称为石英谐振器的并联电容，它相当于以石英片为介质、以两电极为极板的平板电容器的电容量和支架电容、引线电容的总和。几~几十pF。 R1 等效石英片产生机械形变时材料的能耗；几百欧 C1 反映其材料的刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pF L1 大体反映石英片的质量.mH~H

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晶振各种参数

晶振的一些参数并不是固定的大部分是会随温度、频率、负载电容、激励功率变化的 RR

谐振电阻 越小越好 影响：过大造成不易起振、电路不稳定

阻抗 RR 越小越容易起振，反之若 ESR 值較高則較不易起振。所以好的 Crystal 設計應在 ESR 與 Co 值間取得平衡。 C1 L1 C0

动态电容 动态电感

静电容 影响：不能太高，否則易产生较大的副波，影响频率稳定性

LRC电路的Q值等于 (L/C)^0.5 /R 因为而L较大，C与R很小，石英晶振的Q值可达几万到几百万。

LRC影响：

Q值越大位于晶振的感性区间，电抗曲线陡峭，稳频性能极好。 FL

特定负载电容以及激励功率下频偏 越小越好

不同驱动功率下：阻抗最大-阻抗最小 越小越好 影响：导致时振时不振，造成睡眠晶体 制造污染不良

DLD2

DLD2（Drive Level Dependency 2） ：在不同的功率驅動 Crystal 時，所得之最大阻抗與最小阻抗之差。DLD2越小越好，當 Crystal 製程受污染時，則DLD2值會偏高，導致時振與時不振現象，即 （‖Crystal Sleeping‖）。好的 Crystal 不因驅動功率變化，而產生較高的阻抗差異，造成品質異常。目前，許多水晶製造礙於製程管理控制及良率不佳，並不主動提供此重要指標參數給客戶。

备注：测出来很好不代表此参数很好，因为是取点法测试的。

RLD2 不同驱动功率下：阻抗最大 与DLD关系紧密

在指定的变化功率范围内所量测到的最大阻抗 Drive Level Dependency (maximum resistance – RR). FDLD2 不同驱动功率下：F最大-F最小 越小越好 制造污染不良 影响：导致时振时不振，造成睡眠晶体

在不同的功率驅動 Crystal 時，所得之最大頻率與最小頻率之差，稱為 FLD2。FLD2 越小越好。當 Crystal 製程受污染，則 FLD2 值會偏高，導致時振與時不振現像，即「Crystal Sleeping」。好的 Crystal 不因驅動功率變化，而產生較高的頻率差異，造成品質異常。目前，許多水晶製造礙於製程管理控制及良率不佳，並不主動提供此重要指標參數給客戶。

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SPDB 寄生信号强度与主信号强度比值 影响：如果太大了就有可能造成直接启机频偏，并且修改负载电容不能改善。或者烤机之后温度变化之后频偏，冷却或者重启又正常了。 绝对值越大越好 制造污染不良

这个参数名字可以理解为 SP DB 其具体含义如下听我细细道来 SPDB（Difference in dB between Amplitude of FR and Highest Spur）：Spurious 以 dB 為單位時，SPDB 的絕對值越大越好。-3dB 為最低的要求，以避免振盪出不想要的副波（Spur）頻率，造成系統頻率不正確。

“下图显示了石英谐振器的模态谱，包括基模，三阶泛音，5 阶泛音和一些乱真信号响应，即寄生模。在振荡器应用上，振荡器总是选择最强的模式工作。一些干扰模式有急剧升降的频率—温度特性。有时候，当温度发生改变，在一定温度下，寄生模的频率与振荡频率一致，这导致了―活动性下降‖。在活动性下降时，寄生模的激励引起谐振器的额外能量的消耗，导致Q 值的减小，等效串联电阻增大及振荡器频率的改变。当阻抗增加到相当大的时候，振荡器就会停止，即振荡器失效。当温度改变远离活动性下降的温度时，振荡器又会重新工作。寄生模能有适当的设计和封装方法控制。不断修正电极与晶片的尺寸关系（即应用能陷原则），并保持晶片主平面平行，这样就能把寄生模最小化”

上面这段话看了是不是有点晕，说实话我也有点晕。但是从上面我们可以总结出如下几个结论：

1.泛音晶振石英谐振器的模态谱，包括基模，三阶泛音，5 阶泛音和一些乱真信号响应，即寄生模。 寄生模的存在。

2.在振荡器应用上，振荡器总是选择最强的模式工作。一些干扰模式有急剧升降的频率—温度特性。寄生模会随温度频率变化，并且影响振荡。

3.寄生模的缺陷是由于晶振的制造工艺造成。

下来就很明确了，SPDB是一个衡量主频强度与寄生模强度差值的量（主频幅度/寄生频率取对数吧）。这个值越小越好，代表寄生模越小。 TS 负载电容变化对频率的影响率 影响频偏对负载电容变化敏感造成电路不稳定 越小越好

TS（Trim Sensitivity of Load Measurement）：負載電容變化時，對晶體頻率變化量的影響，單位為 ppm / pF。 影响：此值過大時，很容易在不同的負載電容作用下，產生極大的頻率飄移。

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温度频差 制造工艺不合格会使曲线严重偏离超出图二阴影部分 影响：频率随温度变化

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不同切割角度对曲线的影响

石英晶体结构

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实例问题：进入杂质或者有银屑、镀银偏了、镀银内部裂痕

微调银镀偏

灰尘、银屑、晶片缺角

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