金属氧化物半导体场效应管

金属氧化物半导体场效应管

MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)：MOS(Metal Oxide Semiconductor),以金属层(M)的栅极隔着氧化物(O),利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应管(FET)，用于功率开关管

MOSFET的分类：

1、耗尽型(N/P沟道)

2、增强型(N/P沟道)

MOSFET的结构：

1、横向通道型，有利于集成，功率不高，开关速度(相当小的电容)可以很快，栅极驱动损耗也比较小

2、垂直通道型，允许通过电流大，电压大

1) VMOS：导通阻抗较小，开关响应快

2) DMOS：制作简单，成本低，导通阻抗大

3) UMOS：导通阻抗更小，功率大，制作复杂，成本高

3、为了防止MOSFET接电感负载，产生高压击穿MOSFET管，一般功率MOSFET的漏极和源极都并上一个快速恢复二极管

4、功率MOSFET主要是N沟道增强型

MOSFET的特点：

1、在电子电力器件工作频率最高的，可达到10ns—60ns

2、驱动功率小

3、热稳定性好

4、电流容量小、耐压低，一般功率不超过10KW

5、管子耐压越高，压降越大，功耗越大

MOSFET的参数：

1、Vdss：

2、Rds(on)：完全导通时，漏源间的电阻

3、Vgs(th)：阀值电压

4、Id(max)：漏源最大电流

MOSFET的驱动：

1、MOSFET的开关速度以达到双极型晶体管的速度，MOSFET技术以其更加简单的、高效的驱动电路使它比晶体管设备具有更大的经济效益

2、并联的MOSFET管都通过相同的电流

3、当MOSFET工作在开关状态下，目标是在可能的最短时间内实现器件在最低阻抗和最高阻抗之间的切换

4、开关速度和性能决定于三端引脚之间的三个电容上电压变化的快慢，在高速开关应用中，器件的寄生电容是一个重要的参数

5、电流较大时设备温度将会升高，温度升高将会使源漏极间电阻变大

6、栅极驱动损耗，MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电

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