2018年华北电力大学模拟电子技术基础(同等学力加试)复试仿真模拟三套题
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2018年华北电力大学模拟电子技术基础(同等学力加试)复试仿真模拟三套题(一) (2)
2018年华北电力大学模拟电子技术基础(同等学力加试)复试仿真模拟三套题(二) (13)
2018年华北电力大学模拟电子技术基础(同等学力加试)复试仿真模拟三套题(三) (27)
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第 2 页,共 38 页 2018年华北电力大学模拟电子技术基础(同等学力加试)复试仿真模拟三套题(一) 特别说明:
1-本资料为2018复试学员内部使用,严格按照2018复试常考题型及难度全真模拟预测。
2-资料仅供复试复习参考,与目标学校及研究生院官方无关,如有侵权、请联系我们立即处理。 ————————————————————————————————————————
一、简答题
1. 设单级放大电路如图(a)所示.
(1)将图(a)所示电路两级级联,试问总的电压增益为多少?
(2)如将图(a)所示电路级联成多级放大器,第一级的输入端与内阻
的信号源相连,输出 级的输出端与的负载相连,为满足源电压増益
,试问至少需要几级?
图(a)
【答案】(1)如将图(a)所示电路缉卫沖图(b)所示
图(b)
级联后总的电压增益A V 总为各级电路放大倍数的乘积
.
(2)
解得:.所以至少需要三级才能满足要求. 2. (1)图中所示电路是什么电路?
图
(2)假定,求证:当时,.
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第 3 页,共 38 页 【答案】(1)这是一个改进的BJT 恒流源结构,通过电阻和管的两个PN 结导通电压,
形成偏置电流作为参考电流,
并经过
管的镜像作用线性传递到输出端
与之比为
与管发射区面积之比.
(2)的作用是减小
与之间的失配,提高电流源的精度.
设
与
的基极电流,
因为
与面积相同,发射结电压相同,在忽略其输出电阻影
响的条件下,集电极电流近似相同,
当时,有.,去除管而使的CB 短路,变成基本恒流源结构.
3. 己知某放大器的电压增益函数的幅频响应波特图如图所示.
(1)试写出该电压增益函数的表达式;
(2)若将两个相同的具有如图所示幅频响应的放大器级连,问级连放大器的-3dB 上限截止频率和下限截止频率各等于多少?
图
【答案】(1)首先分析低频段,从中频区看向低频区,增益下降,函数有两个极点,分别是10
和,没有零点,
中频放大倍数是
,在高频段只有一个极点,由图可以写出函数的电压增益表达式:
(2)对于两级级连放大电路,上限截止频率和下限截止频率分别为
4. 已测得晶体三极管各极对地电位如图所示。试判断各晶体三极管处于何种工作状态(饱和、放大、截止或损坏)。
图
【答案】
锗管,
硅管。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向
偏置且集电结反向偏置,即NPN 管,PNP 管
。三极管无论是PNP 型还是
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第 4 页,共 38 页 NPN 型在电流电压不同输入时,其发射结、集电结的状态是相同的,即截止区:发射结、集电结反偏;放大区:发射结正偏、集电结反偏;饱和区:发射结正偏、集电结正偏。
在图(a)中,3AD6是锗PNP 管,
,即发射结正偏即集电结反偏,所以晶体管工作在放大区。
在图(b)中,3DG6是硅NPN 管,
,,即发射结反偏,即集电结反偏,所以晶体管工作在截止区。
在图(c)中,3CG2是硅PNP 管,而和不为零,表明发射结短路,晶体管已损坏。 在图(d)中,3BX1是锗NPN 管
,即发射结正偏即集电结零偏,所以晶体管工作在临界饱和区。
5. 电路如图所示,晶体管的均为均为点合适。求解和。
图1
【答案】交流等效回路,如图2所示。
图2
由图可见:电路第一级为共射放大电路,第二级为共基放大电路。第二级的输入电阻为
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共
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6. 电路如图所示,已知管和管
的均为均为:。试问:若输入直流信号,,则电路的共模输入电压?差模输入电压
?输出动态电压? 图
【答案】因为当
单独作用时,
电路获得的共模信号为,
差模信号为;当单独作用时,电路获得的共模信号为,
差模信号为。所以当和共同作用时,共模信号
,差模信号分别为:
由于电路的共模放大倍数为零,故动态电压。仅由差模输入电压和差模放大倍数决定,故
。 二、分析计算题
7. 在图所示电路中,己知4只FET 的参数相同,,试求输出电流
图
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