光敏电阻特性实验 - 图文

更新时间:2024-01-24 00:26:01 阅读量: 教育文库 文档下载

说明:文章内容仅供预览,部分内容可能不全。下载后的文档,内容与下面显示的完全一致。下载之前请确认下面内容是否您想要的,是否完整无缺。

实验四 光敏电阻特性实验

【实验目的】

1、了解光敏电阻的工作原理。

2、掌握使用GMD型光敏电阻特性实验仪测定光敏电阻伏安特性。 3、了解从实验曲线中获取物理特性的方法。

【实验仪器】 GMD型光敏电阻特性实验仪、数字万用表、连接线若干。

【实验原理】

在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应.本实验所用的光敏电阻就是

基于内光电效应的光电元件.当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴.这样由于材料中载流子个数增加,使材料的电导率增加.当光敏电阻两端加上电压U后,光电流为Iph?A????U d 其中A为与电流垂直的截面积,d为电极间的距离.

图一 内光电效应示意图

【注意事项】

1、连接完实验装置后,才能打开电源开关。 2、调整好光路后,不能随意转动方向。 3、实验完毕,关闭电源后,整理实验台。 【实验内容】

1、连接好实验线路,调节光敏电阻和白色高亮度发光二极管光源到适当位置,调节电压,测量不同电压下的电流值,实验点不少于12个。据此作出伏安特性曲线。 电压 电流 2、测量正向偏压下的伏安特性,并作出曲线来。 3、作出在不同光强下的光敏电阻伏安特性曲线。 【思考题】

1.在利用数字万用表作为测量仪器时,是否需要考虑万用表内阻,为什么? 2.根据测量结果,总结光敏电阻的伏-安特性.

本文来源:https://www.bwwdw.com/article/mf3o.html

Top