2011-11-28：LS052Ax使用说明书

采用石英晶体时： C1,C2=30pF±10pF(<=12), C1,C2=20pF±10pF(>12M)。

采用陶瓷谐振器时：C1,C2=30pF±10pF。

值得注意的是：图的外部输入方式，适用于0~40M，此时，外部时钟信号由

CLK_SEL如果输入时钟信号小于要求 CLK_SEL ，或者悬空。

5.
RAM 结构LS052Ax 的 RAM 分为内部 RAM 和扩展 RAM，其编址结构如表 5.1 所示： 表5.1 RAM结构 RAM地址范围 0000H ~ 001FH 0020H ~ 002FH 0030H ~ 007FH 0080H ~ 00FFH 说 明 寻址方式 寄存器寻址 直接寻址 可位寻址 直接寻址 直接寻址 间接寻址 寄存器寻址 MOVX/DPTR MOVX/DPTR 寄存器寻址 MOVX/DPTR MOVX/DPTR 备 注 第0道专用 多道公用 多道公用 多道公用 多道公用 第1道专用 多道公用 多道公用 第2道专用 多道公用 多道公用
第0道通用寄存器区 内部RAM(低128区） 内部RAM(低128区） 内部RAM(低128区） 特殊功能寄存器SFR 内部RAM(高128区) 第1道通用寄存器区 扩展RAM 扩展RAM 第2道通用寄存器区 扩展RAM 扩展RAM
0100H ~ 011FH 0120H ~ 01FFH 0200H ~ 021FH 0220H ~ 3FFFH
每一道都有 4 组通用寄存器，每组 8 个 8 位的存储单元、记为 R0-R7，称为通用寄存器 区，通过寄存器寻址方式对其进行访问。为节省资源，通用寄存器区是通过占用一块 RAM 空间实现的，其在 RAM 中的编址分别为 00H - 01FH、100H - 11FH 和 200H - 21FH。 另外，内部 RAM（00H ~ 0FFH）的地址和扩展 RAM（00H ~ 0FFH）的地址重叠，实际寻 址同一地址区域。 5.1 内部 RAM 内部 RAM 分为低 128 字节和高 128 字节， 其中低 128 字节和传统 51 单片机 RAM 的低 128 字节结构和寻址是一样的，如图 5.1 所示：
图 5.1 LS052Ax 内部 RAM 结构 内部 RAM 的高 128 字节只能通过间址方式进行访问， 因为高 128 字节的编址和 SFR 编址 重合，直接寻址方式访问的是特殊功能寄存器 SFR。
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