G11贴片三极管代码

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g11高铁推荐度：
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长电科技G11贴片三极管丝印 (晶体管)规格书,SOT-23封装,三极管代码G11对应型号参数、外形尺寸与最小包装数量详见规格书。贴片二三极管上面的marking,市面称为：贴片代码,打字,印字,丝印等。整理发布：长电三极管授牌代理商南京南山半导体有限公司。

【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

BFS20 TRANSISTOR (NPN) FEATURES

Very Low Feedback Capacitance

Low Current

Low Voltage

APPLICATIONS

IF and VHF Applications in Thick and Thin-Film Circuits

MARKING:G11

MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

RΘJA

Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Thermal Resistance From Junction To Ambient Junction Temperature Storage Temperature Value 30 20 4 25 250 500 150 -55～+150 Unit V V V mA mW ℃/W ℃ ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

Collector output capacitance Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO hFE VCE(sat) VBE fT Cob Test conditions IC=100µA, IE=0 IC=0.1mA, IB=0 IE=100µA, IC=0 VCB=20V, IE=0 VCE=15V, IB=0 VEB=4V, IC=0 VCE=10V, IC=7mA IC=10mA, IB=1mA VCE=10V, IC=7mA VCE=10V,IC=5mA, f=100MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz 275 Min 30 20 4 40 Typ 1 Max 0.1 0.1 0.1 120 0.3 0.9 Unit V V V µA µA µA V V MHz pF

A,Dec,2010

【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

The bottom gasket

3000×15 PCS 3000×1 PCS The top gasket

Stamp “EMPTY”

on the empty box Seal the box

Seal the box

QA Label Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×203 mmLabel on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/lvf1.html

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