半导体物理与器件实验报告

课程实习报告

HUNAN UNIVERSITY

题 目： 半导体物理与器件

学生姓名 ： 周强强 学生学号： 20100820225

专业班级： 通信二班 完 成 日 期 ： 2012.12.22

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2.2 函数V?x,t??cos(2?x/???t)也是经典波动方程的解。令0?x?3?，请在同一坐标中

?x,t?在不同情况下的图形。

。

绘出x的函数V(1)?t?0;(2)?t?0.25?;(3)?t?0.5?;(4)?t?0.75?;(5)?t??

3.27根据式（3.79），绘制出?0.2?(E?EF)?0.2eV范围内，不同温度条件下的费米-狄拉克概率函数：(a)T?200K,(b)T?300K,(c)T?400K。

（a）（b）（c）4.3 画出硅，锗，砷化镓在温度范围200K?T?600K内的本征载流子浓度曲线

（采用对数坐标）。

4.46 已知锗的掺杂浓度为Na=3?1015cm?3，Nd=0。画出费米能级相对于本征费米能级的位

（200K?T?600K)的曲线。 置随温度变化

?105.20硅中有效状态密度为 Nc?2.819T3/2T()41190( N??1..0?300300?3/23/2 )?T?设迁移率为 ?n=135?0??300??3/2?T? ??=48?0??300?

设禁带宽带为Eg=1.12eV，且不随温度变化。画出200K?T?600K范围内，本征电导率随绝对温度T变化的关系曲线。

6.34 n型硅样品的掺杂浓度为Nd?1016cm?3，产生的过剩载流子的浓度为

?p(x)?1014exp??x/10?4?cm?3。在0?x?4?1014范围内，绘出E?E随x变化的函

FiFp数。

7.4均匀掺杂的GaAs

pn结，其掺杂浓度为Na?5?1018cm?3,Nd?5?1016cm?3。画出

200K?T?500K温度区间内，内建电势差随温度变化的曲线。

8.3 T?300K,理想硅

pn结的少子寿命分别为?n0?10?6s,?p0?10?7s。N区的掺杂浓度为

Nd?1016cm?3。绘制出当Na的范围是1015?Na?1018cm?3时，空间电荷区内空穴电流占总

电流的比例随Na变化的曲线图（采用对数坐标）。

9.10 金与掺杂浓度为Nd低现象。

?1016cm?3的n型硅基础形成肖特基二极管。简要说明肖特基势垒降

(a)绘出肖特基势垒降低值??与反偏电压在0?VR?50V时的图形；

(b)绘出JsT?VR?/JsT?VR?0?与反偏电压在0?VR?50V时的图形。

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