电子电路基础习题册参考答案

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第一章 常用半导体器件

§1-1 晶体二极管

一、 填空题

1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。

2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。

3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数 相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是 空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是 电子 。

4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止 。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路

及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。

7在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型、 面接触 型和 平面 型。

9、二极管按用途不同可分为 普通二极管 、 整流二极管 、 稳压二极管 、

开关 、 热敏 、 发光 和 光电二极管 等二极管。 10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。

11、稳压二极管的主要参数有 稳定电压 、 稳定电流 和 动态电阻 。

12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为

无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、

流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。

14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为 +5V。

15、光电二极管的功能是将 光脉冲 信号转换为 电 信号，发光二极管的功能是将

电 信号转换为 光 信号。

16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于 二极管 挡，将黑表笔插入 com

插孔，接二极管的 负 极；红表笔插入 V,Ω 插孔，接二极管的 正 极，其显示的读数为二极管的 正向压降 。

一、 判断题

1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（√ ）

2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（× ）

3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（√ ） 4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（√ ）

5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（√ ） 6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（√ ）

7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（× ）

8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（× ）

9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（ ）

10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（× ） 11、用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。（√ ）

三、选择题

1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。

A．增大 B .减小 C. 不变

2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。

A .R×100或R×1K B. R ×1 C. R×10K

3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。

A. P型半导体 B. 本征半导体 C、 N型半导体 4、稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。

A．PN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性 C．PN结的正向导通特性

5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（ C ）

A. 12V B. 5.7V C. 7.7V D.7V

6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是（ D ）。

A.I1=8mA , I2=0 B. I1=2mA C. I1=0, I2=6mA

D. I1=0, I2=8mA

7、二极管的正向电阻（B ）反向电阻。 A.大于 B. 小于 C.等于 D.不确定

8、电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为（A ）。

A.导通 B.截止 C.击穿

9、上题中，A、B两端的电压为（ C ）。 A.3V B. -3V C.6V D.-6V

10、某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（ C ）。

A. 280V B. 140V C. 70V D. 40V

11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（ A ）。

（2）试计算最大不失真输出电压的峰值U0m（不考虑UCES）。 （3）试计算放大器的电压放大倍数及输入、输出电阻。

解：（1）Q不变因为直流通路没变。 （2）在交流通路

§2-4放大器的三种基本接法 一、填空题

1、放大器有 共射极 、 共集电极 和 共基极 三种基本组态，其中 共集电极 组态输出电阻最低， 共基极 组态输入电阻最低， 共射极 组态兼有电流和电压两种放大作用。

2、共集电极放大器又称 射极输出器 它的特点是：电压放大倍数小于 1 而

接近于 1 ，输出电压与输入电压相位 相同 ，输入电阻 大 输出电阻 小 。

3、共基极放大器输入信号从三极管的 发射 极与 基极 极之间输入，从 集电极 从 基 极与 基 极之间输出， 基 极为公共端，最大的优点是 高频特性好 ，常用于 高频振荡器 和 宽频带放大器 电路中。

4、电路如图2-4-1所示，β=100、UBEQ=0.7v，则静态工作点IBQ= 0.22mA , ICQ= 22mA ,UCEQ= 12v 。

5、场效应管放大器有 共源极 、 共漏极 和 共栅极 三种接法，耗尽型MOS管组成放大器可采用 共源自给偏置 路，增强型MOS管组成放大器，则要用 共源分压偏置 电路。

6、在基本放大器不能满足性能要求时，常采用（1） 组合放大器 （2） 按有发射极电阻的共射放大器 （3） 采用有源负载的共射放大器 （4） 负反馈 等多种方法改善其性能。 二、判断题

1、射极输出器电压放大倍数小于1，接近于1，所以射极输出器不是放大器。（ × ）

2、射极输出器的u0与ui之间只差UBEQ所以Au≈1。（√ ） 3、共基极放大器没有电流放大作用，所以没有功率放大能力。（× ） 4、皆有发射极电阻的功射放大器Au≈-（R＇L/Re），所以电压放大倍数和三极管无关。（ √ ）

5、自偏压电路只适用于耗尽型场效应管。（× ） 三、选择题

1、晶体三极管组成的三种组态放大器，其中输入阻抗较大的是（ B ）。放大器。

A、共射极 B、共集电极 C、共基极 2、关于射极输出器的错误叙述是（ B ）。

A、电压放大倍数略小于1 ， B、电压跟随特性好 C、具有电流放大能力和功率放大能力 3、场效应管放大电路的主要优点是（B ）。

A、输出电阻小 B、输入电阻大 C、电压放大倍数大 4、场效应管自偏压电路中的电阻RG的主要作用是（C ）。 A、防止输入信号短路 B、提供偏置电流 C、提供偏置电压 四、简答题 略

五、分析、作图、计算题

1、画出结型场效应管自偏压电压电路和增强型MOS管分压式偏置电路。

2、在图2-4-3所示的射极输出器中，已知Vcc=12v,β=60，Rb=200kΩ，RL=2kΩ,UBEQ=0.6v，RS=100Ω,试求：（1）静态值；（2）电压放大倍数Au；（3）输入、输出电阻；（4）根据电路计算结果，说明射极输出器的特点。 解：（1）静态值

（2）电压放大倍数

（3）输入、输出电阻

（4）射极输出器特点 1）电压放大倍数Au≈0.07 2）u0与ui相位相同 3）输入电阻大ri=72.9kΩ 4）输出电阻小r0=59.1Ω

§2-5多级放大器

1、填空题

1、多级放大器的级间耦合方式有 阻容耦合 、 变压器耦合 、 和 直接耦合 等四种。

2、在多级放大器中 阻容耦合 和 变压器 耦合，能使各级的静态工作点相互独立，为使前后及实现阻抗匹配，应采用 变压器 耦合，如需放大直流信号，应采用 直接 耦合，光电耦合适用于信号的 交流 和 直流 传送。

3、光电耦合放大器，前级的输出信号通过发光二级管转换成 光信号 ，再由光电三极管将光信号还原为 电信号 经放大后输出。 4、直接耦合放大器存在 前后及相互影响 及 设计调试 设问题，但 信号传递 好，便于集成化

5、在多级放大器中，前级是后级的 信号源 ，它的输出电阻r0就是前级的 内阻 。

6、某二级放大器，Au1=100，Au2=1000，则总的放大倍数Au= 100000 总的电压增益Gu= 100 。

7多级阻容耦合放大器的输入电阻，就是 第一级 放大器的输入电阻，而输出电阻，就是 最后一级 放大器的输出电阻。

8、放大器的频率响应，指放大器的 放大倍数 和信号 频率 之间的关系，也称放大器的 频率特性 。

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