催化原理总结
更新时间:2023-09-16 05:56:01 阅读量: 高中教育 文档下载
第一章
1.催化反应的三个特征 2.催化反应三种分类 催化剂两种分类
3.固体催化剂四种组成
助催化剂四种结构和载体的五种作用 催化剂的微观结构
4.催化反应性能的三个标准 5.多相催化反应的七个步骤 第二章
物理吸附和化学吸附的区别 物理吸附和化学吸附位能曲线 解离吸附和谛合吸附的概念
化学吸附态(H2,O2,CO,烯烃,炔烃) 吸附等温线(五种)
Langmuir吸附等温方程推导(单分子,多分子) BET方程推导催化剂比表面 测定比表面的方法(N2吸附)
催化剂密度(真密度,假密度,比孔容,孔隙率, 平均孔半径,孔径分布) 扩散(Kundsen扩散) 第三章
3.1酸碱催化剂的应用和分类(了解) 3.2酸碱定义及酸碱中心的形成 L酸和B酸定义;
单元氧化物L酸吸水转化为B酸
Tababe二元氧化物酸中心形成机理(Ti6Si4) 3.3固体酸性质及其测定
H0的定义(H0=pKa+log(CB/CBH+) TPD法和IR法测定酸中心 固体超强酸(H0<-10.6)
3.4 酸碱催化作用及其催化机理 特殊酸碱催化(反应的速控步) Bronsted规则ka=GaKaα 碳正离子的形成和反应规律 酸中心类型与活性选择性的关系 3.5 沸石分子筛
四个结构;四个类型分子筛
沸石分子筛酸中心形成的四种机理 沸石分子筛的择型催化作用及影响因素 催化裂化与热裂化的区别 第四章
4.1 金属催化剂的应用及特性(具有d带电子的元素) 4.2 金属催化剂的化学吸附
以d电子解释金属催化剂的吸附热
(未结合d电子数越大,吸附热大,强吸附Fe; 未结合d电子数少,吸附热小,弱吸附Pt)
2.电子逸出功,电离势概念;两者与化学吸附的关系 3.化学吸附和催化活性的关系 (中等强度的吸附)88页图4-2
4.3金属催化剂电子因素与催化作用的关系 能带理论(金属原子紧密堆积,原子轨道重叠, 分立的电子能级扩展为能带) d带空穴(可以由磁距测得)
d带空穴需要适应反应电子数目的转移 价键理论;金属原子的共价键由杂化轨道构成
d%:d轨道占有杂化轨道的比例 ( Ni,30òSP3;70%,d3SP2) d%越大,d带空穴越少;
d%增大,吸附热变小,吸附强度变低。 4.4金属催化剂晶体结构与催化作用的关系 晶格,晶格参数和晶面的概念 晶体对催化作用的影响
几何角度:吸附位,键长和键角 能量角度:q=s/2
晶格缺陷引起催化活性变化(了解) 4.5负载型催化剂
分散度的概念;分散度与晶粒大小的关系
结构敏感反应(C-C,C-O)结构非敏感反应(C-H) 金属与载体的相互作用(实验证明的思路) 溢流现象及其应用 4.6合金催化剂
几何效应和电子效应对催化反应活性的影响。 (Ni-Cu和Pd-Au)
4.7金属催化剂催化作用的典型剖析
合成氨催化剂的助剂(Al2O3,K2O,CaO等) Ag为乙烯环氧化反应催化剂的机理 催化重整反应对双功能催化剂的要求 第五章
1.过渡金属氧化物催化剂的结构类型,应用及其特点 2.导体、半导体、绝缘体的能带结构和类型 3.半导体、n型半导体、P型半导体形成
4.杂质对半导体催化剂费米能级Ef、逸出功、和电导率的影响 5.杂质对半导体催化剂的影响
6.半导体催化剂化学吸附与催化作用 A)受电子气体吸附 n型半导体上吸附
p型半导体上吸附
B)对于施电子气体吸附(P129表) 7.化学吸附状态的三种类型: 弱键吸附
受主键吸附(强n键吸附) 施主键吸附(强p键吸附) 8.氧化物催化剂的半导体机理
9.过渡金属氧化物催化剂的氧化—还原机理 金属—氧键强度对催化反应的影响 金属氧化物催化剂氧化还原机理 10.过渡金属氧化物中晶体场的影响 d轨道的电子状态影响催化活性 11.过渡金属氧化物晶体场稳定化能 d轨道的能级分裂
晶体场的稳定化能(CFSE)
12.晶体场稳定化能对催化作用的影响 第六章络合催化剂及其催化作用
成键作用(价键,晶体场,分子轨道) Π键和σ键的形成 几种常见配体
金属中心的加成反应(+2和+1) 取代效应和对位效应 插入,重排和转移反应
反应物的活化(烯烃,CO,H2) 络合催化的机理
实例(wacker法乙烯氧化制备乙醛、 Z-N催化剂烯烃聚合; 定向聚合;
羰基钴羰基合成、
Wilkinson催化剂加氢反应)
第六章半导体对催化性能的影响小结
(1)N型有利于加氢还原,P型有利于氧化。
(2)费米能级的高低可以调节催化剂的选择性,如丙烯氧化制丙烯醛时,通过引入Cl-来改变催化剂的选择性。
(3)与金属电子构型的关系。d0、d10金属离子吸附时,d0无电子反馈,d10吸附较弱。表面物种较为活泼,不会发生深度氧化。
(4) 对于C-C键断裂的催化过程,反应的关键是氧的活化,表面物种为亲电子的O2-和O-。对于无C-C断裂的主要采用O2-晶格氧。 费米能级EF是半导体中价电子的平均位能。 逸出功是克服电子平均位能的能量。 本征半导体中,EF在满带和导带之间; N型半导体中,EF在施主能级和导带之间; P型半导体中,EF在受主能级和满带之间。 逸出功:n型<本征
Ef不等于施主和受主能级
一、杂质对半导体催化剂的影响 1)、对n型半导体
A)加入施主型杂质,EF↗Φ↘导电率↗ B)加入受主杂质, EF ↘Φ↗导电率↘ 2)、对p型半导体
A)加入施主型杂质EF↗Φ↘导电率↘ B)加入受主型杂质EF ↘Φ↗导电率↗ 二、氧化物催化剂的半导体机理
Ef越高,自由电子浓度增加,受主型反应催化活性提高。 同晶取代,降低了Ef; 活性降低
Na>1%,杂质取代,作为施电子体
半导体催化剂制备过程中,应添加原子半径大的离子,作为施电子体。 三、n型半导体生成条件
A)化合物中含有过量的金属原子或低价离子 B)氧缺位
C)高价离子取代晶格中的正离子 D)引入电负性小的原子。(掺杂) 四、P型半导体生成条件
A)非化学计量比氧化物中出现正离子缺位。 B)用低价正电离子取代晶格中正离子。
C)向晶格掺入电负性大的间隙原子(电负性较大原子的掺杂)。
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