模拟电路习题集

得 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 总 分 一. 选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D（本大题共 6 小题，每小题2分，总计 12 分 ） 1、从括号中选择正确的答案，用A、B、C填空。 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C___，而少数载流子的浓度与__A__关系十分密切。（A．温度， B．掺杂工艺 ， C．杂质浓度） 2、从括号中选择正确的答案，用A、B、C填空。 设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。在UD保持不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，ID将_B__。（A．小于10mA， B．大于10mA， C．等于10mA） 3、选择正确的答案用A、B、C填空。 随着温度升高，晶体管的电流放大系数β___A透电流ICEO__A_，在IB不变的情况下b-e结电压UBE_B（ A．增大， B．减小， C．不变） 4、从括号中选择正确答案,用A、B、C填空。 当图示电路中晶体管的β从100降低到80（其它参数不变），电路的电压放大倍数将__C_，输入电阻将_A__，输出电阻将____C（A．增大， B．减小， C．变化不大） +VCCRb2RcC1C2uoRb1ReRLuiRiCb 5、选择填空。 1．直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是???C。 （A．所放大的信号不同，B．交流通路不同，C．直流通路不同） 2．因为变压器耦合放大电路A???（A1．各级静态工作点Q相互独立，B1．Q点相互影响，C1．各级Au相互影响，D1．Au互不影响），所以这类电路?A??（A2．温漂小，B2．能放大直流信号，C2．放大倍数稳定），但是B??（A3．温漂大，B3．不能放大直流信号，C3．放大倍数不稳定）。 6、选择填空。1．正弦波振荡电路利用正反馈产生自激振荡的条件是__A_。 Ro?F?F?F???1） ?＝1， B．A?＝－1 ， C．1＋A（A．A2．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_C__。

?F?＝0，B．A?F?F?F?＝1，C．A?＝－1，D．A?＝?） （A．A二. 判断下列说法是否正确，（本大题共 3 小题，每小题3分，总计 9 分 ）

1、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。

当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电压波形将为非正弦（ × ）；输出电压频率与输入电压频率不同（× ）；输出电压相位与输入电压相位不同（ √ ）。

2、判断下列说法的正误，正确画√ ，错误画×。 放大电路的增益带宽积近似为常数是指：

1．当晶体管选定后，放大电路的中频增益和带宽的乘积近似为一个常数。（√ ）

2．当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电路增益与信号频率乘积近似为一个常数。（ × ）

3、判断下列说法的正误。正确画√ ，错误画×。

由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以图示电路中Rg的大小对中频电压放大倍数几乎没有影响,（√ ）对频率响应特性也几乎没有影响。（ × ）

+VDDRdCRguiVGGRLuo三. 选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D（本大题共4小题，每小题3分，总 计 12 分）

1、从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。

N型半导体是在纯净半导体中掺入_D__；P型半导体是在纯净半导体中掺入__C_。 （A．带负电的电子， B．带正电的离子， C．三价元素，如硼等 ， D．五价元素，如磷等）

2、从括号中选择正确的答案，用A、B、C?填空。

某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V时，输出电压为 8V；输入电压为 0.2V时，输出电压为 4V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为__C_____________。

（A．80 ， B．40， C．－40， D．20） 3、选择正确答案，用A、B、C、D填空。 当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时，输出电压波形如图所示，说明该电路出现了__B_；（A.非线性失真， B.频率失真），造成这种失真的原因是C___。（A．晶体管β过大， B．晶体管的特征频率太低， C．耦合电容太小， D．静态工作点不合适）。

ui5.1?k5.1?k+15VOtVT1uIVT2uOuoVT311k?1.8k?Ot3.3?k2k? 15V4、恒流源式差分放大电路如图所示。当1.8k?电位器的滑动端上移时（设整个电路仍工作在放大状态），试就下列问题选择正确答案填空（答案：A．增大，B．减小，C．不变或基本不变）。

1．差模电压放大倍数

Aud＿＿A

2．差模输入电阻Rid＿B；

3．输出电阻Rod＿C。

四. 判断下列说法是否正确（本大题共5小题，每小题2分，总计10分）

1、判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。 1．本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。（√ ）

2．掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。（× ）

2、判断下列说法的正误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。

1．h参数模型可以用于输入为小信号、输出为大信号的情况；（ × ） 2．h参数模型只能用于输入、输出均为低频小信号情况；（ √ ） 3．h参数模型可以用于求解直流放大器的电压放大倍数，（ √ ）也可用于求解直流静态工作点。（ × ）

3、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。

1．由于放大电路的增益带宽积近似为一个常数，所以宽带放大电路的放大倍数一定很低。（ × ）

2．当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。（ √ ）

4、放大电路如图所示，判断以下说法的正误，正确画√，错误画×。

1．当RL减小时，中频增益下降。由于电路的增益带宽积近似为常数，所以上限截止频率会提高。（ √ ）

2．为改善电路的高频响应特性，可以选用特征频率高的晶体管，或增大耦合电容C1、C2。（ × ）

+VCCRbC1.Ui.UoRLRcC2

5、试就多级放大电路的输入电阻和输出电阻判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”，不正确的画“×”。

1．如果输入级是共射放大组态，则输入电阻只与输入级有关。（ √ ） 2．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻还与后级有关。（ √ ） 3．如果输出级是共射放大组态，则输出电阻只与输出级有关。（ √ ） 4．如果输出级是共集放大组态，则输出电阻还与前级有关。（ √ ）

得 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总 分

五. 选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D（本大题共 5 小题，每小题2分，总计 10 分 ） 1、从括号中选择正确的答案，用A、B、C填空。 硅二极管的正向电压从0.65V增大10％，则流过的正向电流增大_C___。（A．约10％， B．小于10％ ， C．大于10％） 2、从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。 设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。在ID保持不变的条件下，当二极管的结温降低20℃，UD约为__C__。（A．0.55V， B．0.6V， C．0.65V， D．0.75V） 3、选择正确的答案用A、B、C填空。 U(BR)CBO__ 对于同一个晶体管来说，ICBO__A __ICEO；B___U(BR)CEO。（A．小于， B．大于， C．等于） 4、从括号中选择正确的答案，用A、B、C?填空。 某单管放大电路在负载开路情况下，输入端接1kHz、50mV正弦信号，测得输出电压为 2V（有效值）。当一个阻抗为8?、额定功率为 1W的扬声器接至输出端，扬声器获得的电功率为 __D___（ A．1W ， B．0.5W ， C．0.25W ， D．小于0.25W）。 5、选择正确的答案填空： 1．输入偏置电流IIB是＿C＿。 A．运放两个输入端基极偏置电流之和 B．运放两个输入端基极偏置电流之差 C．运放两个输入端基极偏置电流之平均值 2．在运放中差分输入级静态电流IC一定的情况下，IIB的大小直接反映了差分放大管的B＿＿值。 A．发射结电压UBE B．电流放大系数? C．UBE的失配 D．?的失配 3．IIB越小，则失调电流IIO＿A＿。 A．越小 B．越大 C．不变 六. 判断下列说法是否正确（本大题共 4 小题，每小题3分，总计 12 分 ） 1、判断下列说法的正误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。 1．h参数等效电路法适用于低频小信号情况；（ √ ） 2．图解法适用于高频大信号情况；（ × ） 3．h参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点；（× ） 4．h参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。（× ） 2、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。 1．由于放大电路的增益带宽积近似为一个常数，所以宽带放大电路的放大倍数一定很低。（ × ）

2．当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。（ √ ）

3、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”，否则画“×”。 1．阻容耦合放大电路，只能放大交流信号，不能放大直流信号。（ √ ） 2．直接耦合放大电路，只能放大直流信号，不能放大交流信号。（ × ） 3．变压器耦合放大电路，只能放大交流信号，不能放大直流信号。（√ ） 4．集成电路中间级的耦合方式均采用直接耦合方式。（ √ ）

4、试判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”，否则画“×”。

1．一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。（√ ） 2．共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。（ × ）

3．对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射极电阻Re一概

可视为短路。（ √ ）

4．在长尾式差分放大电路单端输入情况时，只要发射极电阻Re足够大，则Re可视为开路。（ √ ）

5．带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。（ √ ）

七. 选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D （本大题共3小题，每小题3分，总计9 分）

1、从括号中选择正确的答案，用A、B、C?填空。 某单管放大电路在负载开路情况下，输入端接1kHz、50mV正弦信号，测得输出电压为 2V（有效值）。当一个阻抗为8?、额定功率为 1W的扬声器接至输出端，扬声器获得的电功率为 _D____（ A．1W ， B．0.5W ， C．0.25W ， D．小于0.25W）。

2、从括号中选择正确答案，用A、B、C填空。

?当图示放大电路中的负载电阻RL增大后，该放大电路的中频电压放大倍数A将___A_，上限截止um频率fH将_B___，下限截止频率fL将__B__。（A．增大， B．减小， C．不变）

+VDDRdCRguiVGGRLuo3、选择正确的答案填空：

1．共模抑制比KCMR是D＿＿之比。 A．差模输入信号与共模输入信号 B．输出量差模成分与共模成分

C．交流放大倍数与直流放大倍数（绝对值） D．差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值） 2．KCMR越小，表明电路＿C＿。 A．放大倍数越不稳定

B．输入信号中差模成分越小 C．抑制温漂能力越弱 D．交流放大倍数越小

八. 判断下列说法是否正确（本大题共 4 小题，每小题2分，总计 8 分 ）

1、判断下列说法的正误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。 稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（ × ）。

2、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。

1．当放大电路输入一个方波电压时，输出电压波形的顶部和底部均变得倾斜，因此可以断定该放大器的非线性失真较大。（ × ） 压波形中是否含有高次谐波成分。高次谐波成分越大，则说明频率失真越大。（ × ）

3、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。

当放大电路输入一个方波电压时，若输出电压仍为良好的方波，则说明该放大电路的非线性失真不大（ × ）；若输出电压波形的上升沿和下降沿不如输入电压波形那么陡，则说明该放大电路的频率失真较大。（√ ）

4、试判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“?”，否则画“×”。1．负反馈放大电路不可能产生自激振荡。（ × ）

2．正反馈放大电路有可能产生自激振荡。（ √ ）

3．满足自激振荡条件的反馈放大电路，就一定能产生正弦波振荡。（× ） 4．对于正弦波振荡电路，只要满足相位平衡条件，就有可能产生正弦波振荡。（ √ ） 5．对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就有可能自行起振。（ ×）

2．为了粗略的判断某放大电路是否存在频率失真，可以在放大电路输入一个正弦波电压，然后观察输出电

专业班级： 专业班级: 学 号： 姓 名： [该项由出卷人填写] 得 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总 分

十五. 选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D（本大题共5小题，每小题3分，总计 15 分 ） 1、从括号中选择正确的答案，用A、B、C填空。 随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度_A___，而多数载流子的浓度__C__。（A．明显增大， B．明显减小， C．变化较小） 2、电路如图所示，从括号内选择全部可能的正确答案，用A、B、C?填空。 当用直流电压表测出UCE≈VCC，可能是因为 __D_；当测出UCE≈0，可能是因为A__C__。（A．Rc开路， B．Rc短路， C．Rb1开路， D．Rb2开路， E．β过大， F．VCC过大） +VCCRc装 订 线 Rb2C1C2uiuoRb1ReCe 3、从括号中选择正确答案用A、B、C填空。 一个同相放大电路当输入一个正弦信号时，若输出电压顶部削平了，说明该放大电路出现了____A；如输出电压的相位与输入不同相，说明该放大电路出现了__C__。（A．饱和或截止失真， B．交越失真， C．频率失真） 4、选择正确答案用A、B、C、D填空。 当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时，输出电压波形如图所示，说明该电路出现了_____B_____；（A．非线性失真， B．频率失真），造成这种失真的原因主要是____B______（A．晶体管β过小， B．晶体管的特征频率太低， C．耦合电容太小， D．静态工作点不合适）。 uiOtuoOt 5、选择填空。 1．差分放大电路中的差模输入信号是两输入端信号＿＿A，共模输入信号是两输入端信号的＿D＿。

（A．差，B．和，C．比值，D．平均值）

2．差模电压放大倍数等于B＿＿之比，共模电压放大倍数等于＿C＿之比。

（A．输出信号电压与输入信号电压，B．输出差模电压与输入差模电压，C．输出共模电压与输入共模电压）

3．共模抑制比等于＿C之比。

（A．差模输入电压与共模输入电压，B．输出信号电压中差模分量与共模分量，C．差模电压放大倍数与共模电压放大倍数）

十六. 判断下列说法是否正确，（本大题共 3 小题，每小题3分，总计 9 分 ）

1、判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。 1．本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。（√ ）

2．掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。（ ）

2、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。 放大电路的频率失真是指：

1．输出信号频率的大小与输入信号频率的大小相比发生了偏差。（ ） 2．对不同频率的输入信号，放大电路的放大倍数不同。（ √ ）

3、判断下列说法的正误。在括号中画“√”表示正确，画“×”表示错误。

?(U?/U?)的上限和下限截止频率。 设fH、fL分别是图示放大电路Ausos1．当C1增大时，fL随之增大，（ ）fH基本不变。（ √ ） 2．当Rs增大时，fH随之减小，（ √ ）fL基本不变。（ ）

+VCCRbC1C2Rsus.UiuoRc

十七. 选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D（本大题共 5 小题，每小题3分，总计 15 分 ）

1、填空：

晶体管的各类反向击穿电压和反向漏电流的定义如图所示。对于同一个晶体管来说，在四种漏电流中_________ICBO_______最小，_ICEO_______________最大；在四种击穿电压中______U?BR?CEO__________最小，_____U?BR?CBO___________最大。

IU(BR)CBOCBOICEOICESICERUb 开路(BR)CEOU(BR)CESUR(BR)CERe开路2、选择正确答案，用A、B、C、D填空。

当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时，输出电压波形如图所示，说明该电路出现了___B；（A.非线性失真， B.频率失真），造成这种失真的原因是__C__。（A．晶体管β过大， B．晶体管的特征频率太低， C．耦合电容太小， D．静态工作点不合适）。

uiOt

uoOt

3、选择正确答案，用A、B、C填空。

由两个频率特性相同的单级直接耦合放大电路组成的两级放大电路的上限截止频率_B___，下限截止频率__C__。（A．变高， B．变低， C．不变）

4、选择填空。

1．直接耦合放大电路能放大??C??，阻容耦合放大电路能放大B????，变压器耦合放大电路能放大??B??。

（A．直流信号，B．交流信号，C．交直流信号）

2．因为直接耦合放大电路??B??（A1．各级静态工作点Q相互独立，B1．Q点相互影响，C1．各级Au互相影响，D1．Au互不影响），所以这类电路??B??（A2．温漂小，B2．能放大直流信号，C2．放大倍数稳定），但是???C?（A3．低频特性不好，B3．放大倍数不稳定，C3．必须进行电平配合）。

5、选择填空。

1．差分放大电路中的差模输入信号是两输入端信号＿A＿，共模输入信号是两输入端信号的＿＿D。

（A．差，B．和，C．比值，D．平均值）

2．差模电压放大倍数等于＿B＿之比，共模电压放大倍数等于＿C＿之比。

（A．输出信号电压与输入信号电压，B．输出差模电压与输入差模电压，C．输出共模电压与输入共模电压）

3．共模抑制比等于＿C＿之比。

（A．差模输入电压与共模输入电压，B．输出信号电压中差模分量与共模分量，C．差模电压放大倍数与共模电压放大倍数） 十八. 判断下列说法是否正确，凡对者打“”，错者打“”（本大题共 2 小题，每小题6分，总计 12 分 ）

1、已知图示电路的静态工作点符合理论估算值。但在加上交流输入电压后，测得输出电压Uo＝0V。判断下面列举的理由哪些可能成立（画√）？哪些不可能成立（画×）？

1．C1 开路 ；（ √ ）

2．Rg1 短路 ；（ ） 3．C2 短路 ；（ ） 4．Rd 开路 ；（ ） 5．RL 短路 ；（ √ ） 6．RS 开路 。（ ）

+VDDRdRg2C1C2uouiRg1RsCsRL2、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。

阻容耦合多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，下限截止频率变低了（ × ），低频时产生的附加相移变小了（ × 十九. 选择正确答案填入空内，只需填入A、B、C、D（本大题共5小题，每小题4分，总计 20 分 ）

1、当图示放大电路分别输入1kHz和100kHz不同频率的正弦信号时，输出电压分别出现如图所示不同的波形。试问输出电压波形（a）和（b）分别对应哪一个信号频率？

uOiutOi+VCCRbC1uoRLRcC2tuououiOtOt( a )( b )2、从括号中选择正确答案，用A、B、C填空。

?将__C__，上限截止频率f当图示放大电路中的Rg减小后，该放大电路的中频电压放大倍数AHum将__A__；下限截止频率fL将_C___。（A．增大， B．减小， C．基本不变）

+VDDRdCRguRLuoiVGG

3、选择填空。

1．直接耦合与阻容耦合多级放大电路之间主要不同点是?C???。 （A．所放大的信号不同，B．交流通路不同，C．直流通路不同）

2．因为阻容耦合放大电路A????（A1．各级静态工作点Q相互独立，B1．Q点相互影响，C1．各级Au相互影响，D1．各级Au相互不影响），所以这类电路??A??（A2．温漂小，B2．能放大直流信号，C2．放大倍数稳定），但是???B?（A3．温漂大，B3．不能放大直流信号，C3．放大倍数不稳定）。

4、恒流源式差分放大电路如图所示。当1.8k?电位器的滑动端下移时（设整个电路仍工作在放大状态），试就下列问题选择正确答案填空（答案：A．增大，B．减小，C．不变或基本不变）。

1．差模电压放大倍数

Aud＿＿B；

2．差模输入电阻Rid＿A＿；

3．输出电阻RodC＿C＿。

+15V5.1k?5.1k?VT1uIVT2uO11k?VT31.8k?3.3k?2k? 15V5、通用型集成运放CF741内部电路原理图如图所示。设VT10的集电极电流IC10是稳定的，试根据稳定输入级工作电流抑制温漂的原理用箭头（增大?用表示，减小?用表示）填画下列各电量后面的括号：

温度T（?）?IC1＝IC2（ ）?IC8（ ）?IC9（ ）?IB3＝IB4（ ）? IC1＝IC2（ ）。

V+⑦VT8VT9VT12cVT13c21VT14VT23VT19VT15VT20e2e1③uIVT1VT2R539k?C30pFR840k?R927?R1022?⑥OUT②VT3VT4VT7VT16VT24VT18VT5VT6VT10VT11VT17VT22VT21R11k?R250k?R31k?R45k?R650k?R750?R1150k?④V-OA1①OA2⑤

二十. 判断下列说法是否正确，（本大题共 4 小题，每小题3分，总计 12 分 ）

1、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。

1．当放大电路输入一个三角波电压时，输出电压波形的上升、下降斜线明显弯曲，因此可以肯定该放大电路的非线性失真较大。（ × ）

2．当放大电路输入一个正弦波电压时，输出电压波形中含有明显的三次谐波成分，因此可以肯定该放大电路的频率失真较大。（ × ）

2、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。

多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，通频带变宽了,（ × ）高频时产生的附加相位角（绝对值）变大了。（ √ ）

3、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。

由频率特性相同的单级放大电路连接成一个直接耦合多级放大电路，这个多级放大电路与组成它的单级放大电路相比，上限截止频率变低了（√ ），下限截止频率变高了（ × ）。

4、试判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“?”，否则画“×”。1．正弦波振荡电路自行起振

?F??1。条件是A（ ）

?F?＝1。2．正弦波振荡电路维持振荡条件是A（ ）

3．在正弦波振荡电路中，只允许引入正反馈，不允许引入负反馈。（× ） 4．在放大电路中，为了提高输入电阻，只允许引入负反馈，不允许引入正反馈。（× ） 5．在放大电路中，若引入了负反馈，又引入了正反馈，就有可能产生自激振荡。（ ）

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