第五章 FET三极管及其放大管考试试题

第五章 FET三极管及其放大管

一、判断题

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（ ）。

√

场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（ ） ×

开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（ ） ×

IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（ ） ×

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）前往

×

互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) √

开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。( ) ×

IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。( ) ×

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。( ) √

与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳

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定性好等优点。（ ） √

场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（ ） ×

二、填空题

场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。 源，栅

场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。 VGS（栅源电压），ID（漏极）

场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。 电压，1

当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。

耗尽型，增强型

场效应管具有输入电阻很 ＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。 大，强

输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。 共射（共源）

共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。 共射

共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。

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共集

图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿MOS管。

耗尽型,N沟道

下图中的FET管处于＿＿＿＿工作状态。

截止

下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。

可变电阻区

下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。

饱和

三、单项选择题

UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有 。

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A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管D、NEMOS B

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。

A、PEMOS B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管 D、NEMOS C

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A、PEMOS B、增强型MOS管 C、JFET D、NEMOS C

场效应管用于放大时，应工作在（ ）区。

A、可变电阻 B、夹断 C、击穿 D、恒流（饱和） D

已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。 A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS D. 耗尽型NMOS

B

下面的电路符号代表（ ）管。

A、耗尽型PMOS B、耗尽型NMOS C、增强型PMOS D、增强型NMOS

D

下图为（ ）管的转移曲线图。

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A、耗尽型PMOS B、耗尽型NMOS C、增强型PMOS D、增强型NMOS

B

当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 （ ）。

A、增大 B、不变 C、减小 D、增大或者减小 A

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管是（ ）。

A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管 D、耗尽型FET都可能 D

四、计算分析题

改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。

解：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。

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