基于3C-SiC薄膜的光导开关的研究
更新时间:2024-03-22 04:45:01 阅读量: 综合文库 文档下载
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基于3C-SiC薄膜的光导开关的研究
摘要:该文报道了一种可承受33kV偏置电压的光导开关结构。该结构从两方面提高光导开关的耐压特性:两层厚度为20μm的3C-SiC薄膜采用HFCVD工艺制备在6H-SiC基片表面,用于输出电脉冲传输,可消除了6H-SiC基片的微管缺陷对光导开关耐压特性的影响;电极位于两层薄膜之间,增加了接触面积,因此降低了电极表面的电流密度。
关键词:光导开关 3CSiC薄膜 偏置电压
光导半导体开关(PCSS)是利用超快脉冲激光器与光电半导体材料(如Si,GaAs,InP等)相结合形成的一种新型开关器件[1],其工作原理是利用光电效应,通过激光能量激励半导体材料,使其电导率发生变化,改变开关的通断状态,从而产生电脉冲。与传统开关技术相比,光导开关具有上升时间短、传输功率高、体积小等优点,可应用于超快瞬态电子学、超宽带通讯等领域。
光导开关自1975年诞生以来,大致经历了三代:(1)以Si为代表[2],Si存在暗电流较大,载流子寿命长的问题;(2)采用GaAs、InP为代表的III-V族化合物半导体[3],与Si相比,载流子更短寿命;(3)使用以SiC为代表的宽禁带半导体材料[4],由于适合高压大功率光导开关,近年来逐渐成为研究热点。
但是SiC光导开关的击穿电压远低于SiC的理论值,原因是使用
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