反相器设计前仿与后仿流程 - 图文
更新时间:2023-11-01 16:44:01 阅读量: 综合文库 文档下载
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目录
前端电路设计与仿真 ....................................................................................................................... 2
第一节双反相器的前端设计流程 ........................................................................................... 2
1、画双反相器的visio原理图 ....................................................................................... 2 2、编写.sp文件 ............................................................................................................... 2 第二节后端电路设计 ............................................................................................................... 4
一、开启linux系统 ......................................................................................................... 4 2、然后桌面右键重新打开Terminal .............................................................................. 6
双反相器的后端设计流程 ............................................................................................................... 7
一、schematic电路图绘制 ............................................................................................. 7 二、版图设计 ................................................................................................................. 21 画版图一些技巧: ......................................................................................................... 29 三、后端验证和提取 ..................................................................................................... 30 第三节后端仿真 ..................................................................................................................... 37
其它知识 ......................................................................................................................... 40
1
前端电路设计与仿真
第一节双反相器的前端设计流程
1、画双反相器的visio原理图
VDDM0infaM1VDDM2outM3
图1.1
其中双反相器的输入为in 输出为out,fa为内部节点。电源电压VDD=1.8V,MOS管用的是TSMC的1.8V典型MOS管(在Hspice里面的名称为pch和nch,在Cadence里面的名称为pmos2v和nmos2v)。
2、编写.sp文件
新建dualinv.txt文件然后将后缀名改为dualinv.sp文件 具体实例.sp文件内容如下:
2
.lib 'F:\\Program Files\\synopsys\\rf018.l' TT 是TSMC用于仿真的模型文件位置和选择的具体工艺角*****这里选择TT工艺角***********
划红线部分的数据请参考excel文件《尺寸对应6参数》,MOS管的W不同对应的6个尺寸是不同的, 但是这六个尺寸不随着L的变化而变化。 划紫色线条处的端口名称和顺序一定要一致
MOS场效应晶体管描述语句:(与后端提取pex输出的网表格式相同)
MMX D G S B MNAME
2.1、在windowXP开始--程序这里打开Hspice程序
2.2、弹出以下画面然后进行仿真
存放.sp文件的地址1、打开.sp文件2、按下仿真按钮3、查看波形
查看波形按钮按下后弹出以下对话框
3
单击此处
如果要查看内部节点的波形,双击Top处
如果有多个子电路请单击此处的Top查看单击这些节点即可查看波形
如果要查看测量语句的输出结果请查看 .MTO文件(用记事本打开)
至此前端仿真教程结束
第二节后端电路设计
前序(打开Cadence软件)
一、开启linux系统
双击桌面虚拟机的图标
4
选择Power on this virtual machine
开启linux之后
在桌面右键选择 Open Terminal
输入 xhost local:命令 按回车
之后输入 su xue命令 按
回车,这样就进入了xue用户
5
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