igbt驱动样册2014中文版

0 2014选型手册Product Catalog

POWER-SEM ELECTRONIC TECHNIQUE CO.,LTD. 2014.03.

IGBT驱动●中国 IGBT driver& Thyristor driverHigh-Performance Gate Drivers Based on ASICs Chipset基于专用芯片组 (ASICs)设计的高性能 IGBT驱动器及晶闸管驱动器

基于专用芯片组(ASICs)设计的高性能门极驱动解决方案,

服务

定制服务：具有20多年应用经验的工程师们可为您的新产品开发提供设计帮助，以开发独特的，个性化定制的解决方案。样品试用：我们的大部分标准型号均备有试用样品及验证适配板以供您测试和验证设计。环境测试：我们的实验室可为您提供特殊环境的电气性能测试。

专用芯片组(ASICs) | 通用IGBT驱动器 | 三电平专用驱动器 | HV-IGBT驱动器 | 即插即用IGBT驱动器| 适配板 |

电压，600V---3300V dv/dt，75kV/μs 最高工作频率，100kHz

最高隔离电压，8kVac

●1分钟 最大输出功率，2x4W C 高功率系列驱动核

PCB表贴设计以利于整体散热。适用IGBT：电流，200A---9000A 电压，600V---1700V dv/dt，75kV/μs

最高频率，200kHz或更高 最高隔离电压，4kVac●1分钟 最大输出功率，2x13W

HV-IGBT系列即插即用驱动器def

采用优化隔离设计的标准结构驱动核加设计灵活的适配板组合方案，具备增强型驱动核的所有优点，光纤接口，可自由选择二电平工作模式或三电平工作模式，集成DC/ DC隔离电源，输出功率5W，隔离耐压高达12kVac●1分钟。

调整门极电阻及动态保护参考曲线即可适应同等级各种品牌的HV-IGBT，体积小，通用性强。

D 73mm封装的单路及双路HV-IGBT驱动器。

E 130mm及190mm封装1700V IHM-IGBT驱动器。130mm及190mm封装3300V IHV-IGBT驱动器。

F 130mm及190mm封装4500V及6500V IHV-IGBT驱动器。

17mm封装即插即用驱动器ghi

采用增强型驱动核加设计灵活的适配板组合方案，具备增强型驱动核的所有优点，集成DC/ DC隔离电源，隔离耐压高达5kVac●1分钟。可选择光纤接口或电信号接口，可提供适配半桥模块、双半桥并联、三半桥并联及全桥应用方案，体积小，灵活性强。

G 17mm EconoDUAL3封装半桥光纤接口即插即用驱动器，并提供单根光纤控制半桥的型号以及电接口型号以供选择。H 17mm EconoPACK4封装三相全桥电接口即插即用驱动器。I 17mm EconoPACK4封装3x450A并联应用即插即用驱动器。以及2x600A双EconoDUAL3封装并联应用即插即用驱动器增强型系列驱动核具有很强的灵活性，结合适配板可以适应各种应用，更多应用请咨询我们的应用工程师。

应用

O UPS及EPS

O 智能电网及SVGO 变频器

O 电焊机及等离子切割O 感应加热O 逆变器O 牵引O 电动汽车O 风力发电O 光伏逆变

O 三电平及多电平应用

| 晶闸管驱动器

90mm PrimePACK封装即插即用驱动器j

增强型驱动核加适配板组合设计方案，为全系列90mm封装设计的即插即用驱动器，可选择光纤接口或电信号接口型号以及三电平拓扑专用的即插即用驱动板。

J 90mm PrimePACK封装即插即用驱动器。

3L系列三电平拓扑专用驱动器k

采用三电平专用驱动核加适配板组合设计，具备增强型驱动核的所有优点，集成时序管理并提供所有IGBT的短路(过流)保护，支持普通二电平信号的直接控制。提供17mm EconoPACK4封装、EconoDUAL3封装的“I”型拓扑三电平专用模块即插即用驱动器以及全系列90mm PrimePACK封装的三电平专用驱动器。

K 17mm EconoPACK4封装的三电平拓扑即插即 用驱动器；

其他应用lm

L Mitsubishis MPD封装的全系列即插即用驱动器；M 62mm单路封装的全系列即插即用驱动器，以及并联谐振专用的反逻辑控制即插即用驱动器；

晶闸管驱动器n

基于晶闸管门极驱动专用芯片CA6100设计，全硬件控制，自动跟踪锁相，高抗扰，可实现软启、调压、调功、电能反馈及四象限工作，应用广泛。N PSHC6100晶闸管门极驱动器

更多信息请访问

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产品简介

普尔盛电子能为各种需求提供多样的IGBT驱动选择，所有产品均基于性能卓越的专用芯片组(ASICs)设计，整套ASICs芯片组可工作在0--1.5MHz几乎任意的开关频率和0--100%占空比，不仅提供基本的IGBT驱动功能,同时更具备IGBT门极电压监控；短路(过流)监测；故障“软关断”；窄脉冲抑制；互锁与死区产生；故障记忆及故障同步；DC/DC隔离电源及所有信号的电隔离。

系统构成

“故障记忆”电路封锁所有脉冲输出并保持到当两个PWM的输入信号同时为低电平大于10μs时复位,避免重复短路(过流)故障。"Error In/Out"端口的故障输出为集电极开路输出，内置50kΩ上拉电阻，最大灌入电流为10mA，多块驱动器可共用一条故障输出线路，外部无需接上拉电阻。

“外部故障输入”："Error In/Out"端口同时也是外部故障的输入端，阈值为8V，当"Error In/Out"端口接收到外部输入的低电平(＜8V)故障信号时，驱动器立即封锁所有驱动信号输出。外部故障输入不会激活“故障记忆”，当外部故障信号消失后封锁自动解除。多块驱动器的"Error In/Out"端口可以连接到一起用来实现故障连锁。“欠压保护原边侧(PD032)的欠压监测电路确保驱动器不会在低于12.5V的供电电压下

端Vin5V，驱动器为正逻辑控制，即输入高电平时IGBT 开通；输入低电平时IGBT 关断。

驱动器内置窄脉冲抑制电路，小于设定值的窄脉冲将被抑制。输入级内置的施密特触发器翻转阈值分别为：

为了获得高抗干扰能力，强烈建议在要求高可靠及高稳定性的工业应用、国防装备、交通医疗设备等应用场合，控制信号电平与逻辑电平均采用+15V 电平。

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Ⅰ

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工作，一旦供电电源电压低于12.5V，系统将关断所有的IGBT并发出故障信号。原边侧的欠压保护不会触发“故障记忆”，当供电电源电压恢复正常后(14.5V)，驱动器将自动解除故障并恢复工作。

付边侧(PD031)的欠压监测电路确保驱动板输出的门极驱动电压VGE不会在低于12.5V及高于-5V的电压下工作，一旦门极驱动电压VGE低于12.5V或高于-5V，系统将关断所有IGBT并发出故障信号。

另外，驱动器门极输出电压必须时刻保持稳定，以实现与VCEsat相关的通态损耗；门极电阻也非常重要，因为它可以限制开通和关断时的门极电流脉冲幅值。通过RGon, RGoff分别控制IGBT的开通和关断可以大幅降低驱动器内部功率输出级的开关损耗PS；通过调节RGon, RGoff的值可以控制IGBT的开关损耗。如图所示

短路(过流)保护

参考曲线VCEref

参考电压VCEref可以根据IGBT开关特性进行动态调整，当IGBT关断时该值被复位。VCEref不是静态的，而是在IGBT导通瞬间开始大约从15V依照时间常数t(受Cref控制)以指数形式下降到VCEstat(由Rref决定)。

VCEsat监测的阈值VCEstat是VCEref的稳态值，受电阻Rref控制，可通过电阻Rref来调整到IGBT所需要的最大值，正常状态下它的取值应为VCEstat >VCEsat，最大不应超过10V。VCEref的延时时间受电容Cref及电阻Rref控制，它控制IGBT导通后到VCEsat监测启动之间的盲区时间tdead。

为了避免误报故障，在IGBT导通瞬间(这时的VCE > VCEref)必须要为VCEsat下降提供足够的盲区时间tdead。因为VCE电压监测的内部门槛电压被限定在10V，当VCEref下降到10V时(即离开监测盲区tdead后)只要VCEsat > VCEref，“VCEsat监控电路”即被触发并关断IGBT。如图所示

调整盲区时间tdead可以调整“VCE监控电路”的监控灵敏度，通过调整电容Cref的值可以延长或缩短监测盲区来实现。

窄脉冲抑制

驱动器内置窄脉冲抑制电路，小于设定值(一般为400ns)的窄脉冲将被抑制,用以消除射频干扰。“窄脉冲抑制”电路可以有效消除信号尖刺，降低IGBT开关损耗，但同时也带来信号传输的相应延时。在特别注重信号转换速度且可以忽略哪些信号尖刺的应用场合，“窄脉冲抑制”可以设置为“0”，但由于窄脉冲抑制电路集成于PD031芯片内部，且电路中总是存在一些分布参数，窄脉冲抑制仍然存在一个100ns窄脉冲抑制的最小值，无法完全取消。

功率输出

“功率输出”单元由DC/DC变换器供应+15V/-9V(或-10)的隔离电源，并增强从脉冲信号变压器接收到的控制信号。功率输出级采用一对MOSFET为门极提供充足的功率输出(脉冲电流输出)，从而提高了IGBT开通和关断的性能，提高导通和关断速度，减少功率损耗。如果这部分的功率不够，IGBT将不能正常开关，IGBT的功耗将迅速增加甚至会发生IGBT损坏。

由于IGBT是电压控制器件，在静态条件下，IGBT是无需门极驱动电流的。但是由于IGBT的门极输入端寄生有一个大容量的门极电容，所以在IGBT导通瞬间会产生一个门极峰值驱动电流，并且IGBT导通后仍然需要持续给输入电容充电以维持VGE的损耗。这一点只能由一个特殊的输出缓冲器来实现,而非光耦。

另一个重要指标为IGBT的开关频率，以门极电荷QG为依据，驱动IGBT所需的功率PG可以由以下公式计算得出：PG= fSW × QG × ΔVGE驱动器总功率P：P= PG + PS

驱动IGBT所需的峰值电流IGMAX：

IGMAX=

ΔVG min

CEref对于VCE阻断电压为1700V及1700V以下的IGBT来说，10V门槛电压值做为VCE电压动态监测的起始阈值已经非常合适；但对于VCE阻断电压为3300V及3300V以上的HV-IGBT来说，由于HV-IGBT开通瞬间的VCEsat下降较为缓慢，直接用Vref去做VCEsat监测的电压参考值显然不切实际，为此HV-IGBT驱动器内部集成了一个VCEsat监测缓冲电路以适应这些特性变化，它将VCEsat监测电压降压后再与电压值较低的参考电压Vref进行动态比较，用较高的VCEsat监测电压值做为短路(过流)故障的动态监测比较合适。如图所示

IGBT的最高工作频率：

(mA)

fSW max.=IoutAV

GfSW : 开关频率VGE : 门极电压差

监测IGBT的集电极-发射极电压VCEsat，VCEsat监控端通过一个超快速高反向耐压的隔离二极管连接到IGBT的集电极C，直接测量VCEsat来实现对短路(过电流)故障的监测。当IGBT发生短路时，VCE sat监控电路立即“软关断” IGBT并封锁输出，同时发送一个故障信号到原边侧的故障记忆电路。在逆变电路中使用IGBT，过流故障现象主要由以下因素导致：●输出短路；

●上下管同时导通；●负载电路接地故障；

●IGBT开通过慢或盲区时间tdead过小。

增强型系列驱动核和高功率系列驱动核均采用纳米晶变压器(而非光耦)用于信号传输的电气隔离，经过特殊绝缘涂装处理的纳米晶变压器可提供理想的高隔离电压(5kV用于驱动1700V IGBT; 8kV用于驱动3300V IGBT)，纳米晶变压器具有高达75kV/μs的dv/dt及小于5ns的传输延时，并实现控制信号与故障信号的双向传输。

用于IHM-IGBT及IHV-IGBT的系列即插即用驱动器，由于控制信号的传输距离一般都比较远，为防止引入干扰和便于实现更高等级的隔离耐压，这些驱动器全部采用AVAGO公司5 MBd Link 的HFBR-1521(发射)/HFBR-2521(接收)光纤收发器隔离传输，收发电路同样也采用HFBR0501 Series 数据手册的推荐电路，光电转换的信号延时大约50ns；传输距离大于10m。与之配套的光缆接入端子建议使用HFBR-4511Z(蓝色); HFBR-4501Z(灰色)。

“软关断”与动态尖峰抑制

“软关断”,在短路(过流)情况下，“软关断”电路通过自动增加关断电阻来

减缓IGBT的关断速度，经过时间tSO后关断IGBT，通过减小di/dt值可以降低故障状态下的过电压尖峰。由于在短路情况下，IGBT的峰值短路电流将增加到IGBT额定电流的6-8倍，并且电源回路总是存在着寄生电感，所以必须要比正常工作时更长的时间把电流减小到零，以避免过高的电压尖峰给IGBT带来损害。

“软关断”电路的作用过程时间tSO只维持10μs，超过10μs后驱动器就以正常关断时间来关断IGBT。驱动器内置的软关断电阻一般为20Ω, 用户可通过外接电阻RGoff-SO与驱动器内部的内置软关断电阻并联来减少“软关断”时间。要想“软关断”电路正常发挥作用，用户必须要根据所驱动的IGBT电流等级通过外接电阻RGoff-SO来获得一个合适的“软关断”作用过程时间tSO。

“动态软关断”与过电压尖峰抑制，PD031芯片具备动态过电压尖峰抑制功能，这个功能可以通过外部的"过电压传感器"或者“有源钳位”电路获得电压尖峰信号来实现。当IGBT关断时，有必要限制由于di/dt过高导致的过电压尖峰。过电压信号击穿外部的TVS电路输入到VCE peak 输入端，驱动器自动跟随到还处在关断过程中的IGBT并自动增加"软关断"电阻RGoff-SO使得IGBT进入“软关断”过程，降低关断阶段的di/dt，用被动"软关断"来主动控制关断阶段的di/dt，从而有效抑制关断过程中可能出现的过电压尖峰。当过电压信号消失后自动解除"软关断"过程，正常关断IGBT。“动态软关断”电路同时也减轻了“有源钳位”电路的TVS二极管的负担，使得“有源钳位”电路更加灵敏。

DC/DC隔离电源

驱动器内部集成了一个双路DC-DC隔离电源，可以产生驱动IGBT所需要的+15V/-9V付边电压。因此驱动器仅需要一个+15V的供电电源。电源由全桥整流、滤波及稳压电路组成，使得驱动器不需要使用外部隔离电源就能获得必要的门极电压，使结构更加紧凑。集成的“欠压监测”可确保IGBT不会工作在欠压状态，使得系统更加安全可靠。驱动器可与控制系统使用相同电源(+15V)，多路驱动器可以共用一路电源(+15V)，无须隔离。

另外，增强型系列驱动核内部集成的DC-DC隔离电源全部使用具备短路自保护功能的动态稳压技术，这项技术使得驱动核的使用可靠性大为提高，即使驱动器输出处于短路状态(如IGBT门极钳位二极管失效)，驱动核在报出一个故障信号后立即进入自我保护状态，在自保护状态下驱动核拒绝所有的控制信号并保持“0”电位输出状态，当输出短路排除后自动恢复工作。

三电平拓扑的时序管理

基于时序管理专用芯片PD033设计的三电平专用驱动核用以管理三电平拓扑的上桥臂(或下桥臂)二只IGBT的开通和关断顺序，确保内侧IGBT先开后关以避免IGBT因控制信号混乱(如程序跑飞)所必然发生的高电压危害。从而彻底排除因控制信号异常给IGBT带来的损害，大幅提升三电平拓扑系统的可靠性，同时也使控制信号编写因为无需考虑时序而变得简单，易实现。

驱动核集成的时序死区为系统提供了一个必须的最小时序死区，它不会叠加到控制信号自带的时序死区上面。

基于时序管理专用芯片PD033设计的三电平专用驱动核支持普通二电平控制信号可靠地直接驱动三电平拓扑，其作用相当于将二只IGBT直接串联使用，这些应用可以获得使用高电压等级的IGBT难以实现的高频率及低损耗的优势。 如下图所示。控制信号时序示意图：

“动态过电压尖峰抑制”只是作为一个扩展应用而提出，因为PSHI系列驱动器已经具备了安全可靠的故障"软关断"功能。如果系统在正常工作时就有难以承受的过电压尖峰出现，说明你的电源主回路存在过高的寄生电感，而频繁的“有源钳位”可能会使得TVS二极管严重过流而失效，并且当短路故障出现时必然会产生更高的过电压尖峰，即使"软关断"也未必能抑制它。建议还是优化你的主回路设计，把主回路的寄生电感做到最低为好。

外部故障输入及信号同步

“外部故障输入”是PD031芯片的一个扩展端口，与“信号同步”电路一起构成多片PD031的故障同步功能，当其中一片PD031监测到故障时同步“软关断”相关联的多片PD031芯片。

关断跟随

“关断跟随”电路用于监视IGBT关断瞬间的关断过程，当电路监测到过高的关断尖峰时可以准确引导动态软关断电路对该路IGBT的门极关断信号实施干预(瞬间翻转或自动增加软关断电阻)，以达到抑制关断尖峰的目的，避免其他通道已完成开关过程的IGBT发生误动作。

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目录

TABLE OF CONTENTS

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HV-IGBT系列极限参数 (Ta=25℃ )符号 VS MAX. IS MAX. PDC/DC IO IoutAV IoutPEAK VCES Visol IO RGon/off min Qout/pulse dv/dt fSW max Top Tstg.含义原边电源电压最高值原边

电源电流的最大值 DC/DC隔离电源输出的总功率最大逻辑信号输出电流每通道输出的平均电流每通道输出的峰值电流 IGBT集电极 -发射极电压输入 -输出隔离电压 (10 sec. AC)最小门极开通/关断电阻输出电荷最小值电压变化率最高工作频率工作温度储存温度参数+16 350 5 10 120±35 1700 8 0.7±50 75 20 -45...+85 -45...+85单位 V mA W mA mA A V kVΩμC kV/μs kHz℃℃

0

电气参数 *(Ta=25℃ )符号 VS IS VG(on) VG(off) td(on)IO td(off)IO td(err) tmd tpReset tp(err) VCEstat CPS含义原边电源电压原边空载电流 fSW=0 fSW=10kHz门极开通电压门极关断电压开通信号输入-输出延时关断信号输入-输出延时故障信号返回延时 VCE故障发生-错误信号输出窄脉冲抑制故障自动复位时间故障信号脉冲宽度 VCE监测参考电压一二次之间的分布电容参数Min. Typ. Max.

单位 V mA V V ns ns ns nsμsμs V pf

POWER-SEM Single IHM-IGBT Driver

14.5

15 15.5 80 100+15 -10 500 500 30 400

PSHI 512F17-13

单路 1700V IHM-IGBT驱动器适配 130mm/190mm IHM-IGBT模块即插即用特点●基于 ASIC设计的单路 IGBT驱动器●为 1200V及 1700V IHM-IGBT设计●动态监测 VCE退饱和实现短路 (过流 )保护● VGE欠压保护 (>-7.5V,<+12.5V保护 )●故障“软关断”●动态“软关断”+有源钳位●内置驱动用 DC/DC隔离电源●±35A峰值电流输出● IGBT门极驱动电压+15V/-10V● 500ns电信号转换时间● 30ns故障电信号返回时间● 400ns窄脉冲抑制消除抖动及射频干扰●最高工作频率 20kHz●光纤接口●三电平应用模式可选●原边-付边的空气间隙距离 32mm●符合 EN50178及 IEC60664-1标准

40 3 40 7.0 12 8

*电气参数均不包含光纤链路及光电转换参数 (HFBR-2521/HFBR-1521)

光纤链路参数 (Ta=25℃,以 HFBR-2521/HFBR-1521实测 )符号 td(on)TR td(off)TR含义光纤链路发射-接收的开通 (点亮 )延时 IF=30mA (IF为发射管电流 )光纤链路发射-接收的关断 (熄灭 )延时 IF=30mA参数Typ.默认值

单位 ns

150 50 50*

ns

*驱动器的故障信号发射端子 (HFBR-1521)为熄灭=故障，参数为：IF=30mA;td(off)TR=50ns。系统开关信号的延时由控制端的发射参数决定。

应用●牵引● SVG●有源滤波●逆变器●变频器●光伏逆变器●风电逆变器

2

驱动器内部的核心芯片组 (ASICs)及功率输出级器件均为静电敏感的 MOS工艺器件，虽然我们在驱动器的各个端口都做了 ESD保护，但在使用过程中仍然需要特别注意，谨防静电危害！

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外形及安装尺寸

PSHI 0512FXX驱动核引脚功能及安装尺寸

(PSHI 512FXX-XX系列即插即用驱动器共用结构)

HV-IGBT系列极限参数 (Ta=25℃ )符号 VS MAX. IS MAX. PDC/DC IO IoutAV IoutPEAK VCES Visol IO RGon/off min Qout/pulse dv/dt fSW max Top Tstg.含义原边电源电压最高值原边电源电流的最大值 DC/DC隔离电源输出的总功率最大逻辑信号输出电流每通道输出的平均电流每通道输出的峰值电流 IGBT集电极 -发射极电压输入 -输出隔离电压 (10 sec. AC)最小门极开通/关断电阻输出电荷最小值电压变化率最高工作频率工作温度储存温度参数+16 350 5 10 120±35 1700 8 0.7±50 75 20 -45...+85 -45...+85单位 V mA W mA mA A V kVΩμC kV/μs kHz℃℃

0

电气参数 *(Ta=25℃ )符号 VS IS VG(on) VG(off) td(on)IO td(off)IO td(err) tmd tpReset tp(err) VCEstat CPS含义原边电源电压原边空载电流 fSW=0 fSW=10kHz门极开通电压门极关断电压开通信号输入-输出延时关断信号输入-输出延时故障信号返回延时 VCE故障发生-错误信号输出窄脉冲抑制故障自动复位时间故障信号脉冲宽度 VCE监测参考电压一二次之间的分布电容参数Min. Typ. Max.

单位 V mA V V ns ns ns nsμsμs V pf

POWER-SEM Single IHM-IGBT Driver

14.5

15 15.5 80 100+15 -10 500 500 30 400

PSHI 512F17-13D

单路 1700V IHM-IGBT驱动器适配 130mm/190mm IHM-IGBT模块即插即用特点●基于 ASIC设计的单路 IGBT驱动器●为 1200V及 1700V IHM-IGBT设计●动态监测 VCE退饱和实现短路 (过流 )保护● VGE欠压保护 (>-7.5V,<+12.5V保护 )●故障“软关断”●动态“软关断”+有源钳位●内置驱动用 DC/DC隔离电源●±35A峰值电流输出● IGBT门极驱动电压+15V/-10V● 500ns电信号转换时间● 30ns故障电信号返回时间● 400ns窄脉冲抑制消除抖动及射频干扰●最高工作频率 20kHz●光纤接口●三电平应用模式可选●原边-付边的空气间隙距离 32mm●符合 EN50178及 IEC60664-1标准

40 3 40 7.0 12 8

*电气参数均不包含光纤链路及光电转换参数 (HFBR-2521/HFBR-1521)

光纤链路参数 (Ta=25℃,

以 HFBR-2521/HFBR-1521实测 )符号 td(on)TR td(off)TR含义光纤链路发射-接收的开通 (点亮 )延时 IF=30mA (IF为发射管电流 )光纤链路发射-接收的关断 (熄灭 )延时 IF=30mA参数Typ.默认值

单位 ns

150 50 50*

ns

*驱动器的故障信号发射端子 (HFBR-1521)为熄灭=故障，参数为：IF=30mA;td(off)TR=50ns。系统开关信号的延时由控制端的发射参数决定。

应用●牵引● SVG●有源滤波●逆变器●变频器●光伏逆变器●风电逆变器

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驱动器内部的核心芯片组 (ASICs)及功率输出级器件均为静电敏感的 MOS工艺器件，虽然我们在驱动器的各个端口都做了 ESD保护，但在使用过程中仍然需要特别注意，谨防静电危害！

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外形及安装尺寸

PSHI 0512FXX驱动核的内部结构示意图

HV-IGBT系列极限参数 (Ta=25℃ )符号 VS MAX. IS MAX. PDC/DC IO IoutAV IoutPEAK VCES Visol IO RGon/off min Qout/pulse dv/dt fSW max Top Tstg.含义原边电源电压最高值原边电源电流的最大值 DC/DC隔离电源输出的总功率最大逻辑信号输出电流每通道输出的平均电流每通道输出的峰值电流 IGBT集电极 -发射极电压输入 -输出隔离电压 (10 sec. AC)最小门极开通/关断电阻输出电荷最小值电压变化率最高工作频率工作温度储存温度参数+16 350 5 10 120±35 3300 8 0.7±50 75 10 -45...+85 -45...+85单位 V mA W mA mA A V kVΩμC kV/μs kHz℃℃

0

电气参数 *(Ta=25℃ )符号 VS IS VG(on) VG(off) td(on)IO td(off)IO td(err) tmd tpReset tp(err) VCEstat CPS含义原边电源电压原边空载电流 fSW=0 fSW=10kHz门极开通电压门极关断电压开通信号输入-输出延时关断信号输入-输出延时故障信号返回延时 VCE故障发生-错误信号输出窄脉冲抑制故障自动复位时间故障信号脉冲宽度 VCE监测参考电压一二次之间的分布电容参数Min. Typ. Max.

单位 V mA V V ns ns ns ns

μsμs V pf

14.5

15 15.5 80 100+15 -10 500 500 30 400

POWER-SEM Single HV-IGBT Driver

PSHI 512F33-13

单路 3300V HV-IGBT驱动器适配 130mm/190mm IHV-IGBT模块即插即用特点●基于 ASIC设计的单路 IGBT驱动器●为 3300V IHV-IGBT设计●动态监测 VCE退饱和实现短路 (过流 )保护● VGE欠压保护 (>-7.5V,<+12.5V保护 )●故障“软关断”●动态“软关断”+有源钳位●集成 DC/DC隔离电源●±35A峰值电流输出● IGBT门极驱动电压+15V/-10V● 500ns电信号转换时间● 30ns故障电信号返回时间● 400ns窄脉冲抑制消除抖动及射频干扰●最高工作频率 10kHz●光纤接口●三电平应用模式可选●原边-付边的空气间隙距离 32mm●符合 EN50178及 IEC60664-1标准

40 20 40 45 8 60

*电气参数均不包含光纤链路及光电转换参数 (HFBR-2521/HFBR-1521)

光纤链路参数 (Ta=25℃,以 HFBR-2521/HFBR-1521实测 )符号 td(on)TR td(off)TR含义光纤链路发射-接收的开通 (点亮 )延时 IF=30mA (IF为发射管电流 )光纤链路发射-接收的关断 (熄灭 )延时 IF=30mA参数Typ.默认值

单位 ns

150 50 50*

ns

*驱动器的故障信号发射端子 (HFBR-1521)为熄灭=故障，参数为：IF=30mA;td(off)TR=50ns。系统开关信号的延时由控制端的发射参数决定。

应用

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在对驱动器做前期功能测试时，驱动器的 VCE监测输入端及主电路的直流母线上将会产生大约 100V左右的直流电压，请在操作过程中务必注意，谨防高电压对操作人员的危害！驱动器内部的核心芯片组 (ASICs)及功率输出级器件均为静电敏感的 MOS工艺器件，虽然我们在驱动器的各个端口都做了 ESD保护，但在使用过程中仍然需要特别注意，谨防静电危害！

2

●牵引● SVG●有源滤波●中压逆变器●中压变频器●光伏逆变器●风电逆变器

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外形及安装尺寸

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© 2014 Beijing Power-sem Electronic Technique Co,.Ltd.

Specifications are subject to change without notice.

Please refer to for more information.

HV-IGBT系列极限参数 (Ta=25℃ )符号 VS MAX. IS MAX. PDC/DC IO IoutAV IoutPEAK VCES Visol IO RGon/off min Qout/pulse dv/dt fSW max Top Tstg.含义原边电源电压最高值原边电源电流的最大值 DC/DC隔离电源输出的总功率最大逻辑信号输出电流每通道输出的

平均电流每通道输出的峰值电流 IGBT集电极 -发射极电压输入 -输出隔离电压 (10 sec. AC)最小门极开通/关断电阻输出电荷最小值电压变化率最高工作频率工作温度储存温度参数+16 350 5 10 120±35 3300 8 0.7±25 75 10 -45...+85 -45...+85单位 V mA W mA mA A V kVΩμC kV/μs kHz℃℃

0

电气参数 *(Ta=25℃ )符号 VS IS VG(on) VG(off) td(on)IO td(off)IO td(err) tmd tpReset tp(err) VCEstat CPS含义原边电源电压原边空载电流 fSW=0 fSW=10kHz门极开通电压门极关断电压开通信号输入-输出延时关断信号输入-输出延时故障信号返回延时 VCE故障发生-错误信号输出窄脉冲抑制故障自动复位时间故障信号脉冲宽度 VCE监测参考电压一二次之间的分布电容参数Min. Typ. Max.

单位 V mA V V ns ns ns nsμsμs V pf

14.5

15 15.5 80 100+15 -10 500 500 30 400

POWER-SEM Single HV-IGBT Driver

PSHI 512F33-73

单路 3300V HV-IGBT驱动器适配 73mm IHV-IGBT模块即插即用特点●基于 ASIC设计的单路 IGBT驱动器●为 3300V IHV-IGBT设计●监测 VCEsat提供短路及过流保护● VGE欠压保护 (>-7.5V,<+12.5V保护 )●故障“软关断”●动态“软关断”+有源钳位●内置驱动用 DC/DC隔离电源●±35A峰值电流输出● IGBT门极驱动电压+15V/-10V● 500ns电信号转换时间● 30ns故障电信号返回时间● 400ns窄脉冲抑制消除抖动及射频干扰●最高工作频率 10kHz●光纤接口●三电平应用模式可选●原边-付边的空气间隙距离 28mm●符合 EN50178及 IEC60664-1标准

40 20 40 45 8 60

*电气参数均不包含光纤链路及光电转换参数 (HFBR-2521/HFBR-1521)

光纤链路参数 (Ta=25℃,以 HFBR-2521/HFBR-1521实测 )符号 td(on)TR td(off)TR含义光纤链路发射-接收的开通 (点亮 )延时 IF=30mA (IF为发射管电流 )光纤链路发射-接收的关断 (熄灭 )延时 IF=30mA参数Typ.默认值

单位 ns

150 50 50*

ns

*驱动器的故障信号发射端子 (HFBR-1521)为熄灭=故障，参数为：IF=30mA;td(off)TR=50ns。系统开关信号的延时由控制端的发射参数决定。

应用

5

在对驱动器做前期功能测试时，驱动器的 VCE监测输入端及主电路的直流母线上将会产生大约 100V左右的直流电压，请在操作过程中务必注意，谨防高电压对操作人员的危害！驱动器内部的核心芯片组 (ASICs)及功率输出级器件均为静电敏感的 MOS工艺器件，虽然我们在驱动器的各个端口都做了 ESD保护，但在使用过程中仍然需要特别注意，谨防静电危害！

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●牵引● SVG●有源滤波●逆变器●变频器●光伏逆变器●风电逆变器

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PSHI 512FXX-XX “A”选项功能简介(一)

HV-IGBT系列极限参数 (Ta=25℃ )VS MAX. IS MAX. PDC/DC IO IoutAV IoutPEAK VCES Visol IO RGon/off min Qout/pulse dv/dt fSW max Top Tstg.原边电源电压最高值原边电源电流的最大值 DC/DC隔离电源输出的总功率最大逻辑信号输出电流每通道输出的平均电流每通道输出的峰值电流 IGBT集电极 -发射极电压输入 -输出隔离电压 (10 sec. AC)最小门极开通/关断电阻输出电荷最小值电压变化率最高工作频率工作温度储存温度+16 350 5 10 120±35 4500 10 0.7±60 75 10 -45...+85 -45...+85 V mA W mA mA A V kVΩμC kV/μs kHz℃℃

0

电气参数 *(Ta=25℃ )符号 VS IS VG(on) VG(off) td(on)IO td(off)IO td(err) tmd tpReset tp(err) VCEstat CPS含义原边电源电压原边空载电流 fSW=0 fSW=10kHz门极开通电压门极关断电压开通信号输入-输出延时关断信号输入-输出延时故障信号返回延时 VCE故障发生-错误信号输出窄脉冲抑制故障自动复位时间故障信号脉冲宽度 VCE监测参考电压一二次之间的分布电容参数

Min. Typ. Max.

单位 V mA V V ns ns ns nsμsμs V pf

14.5

15 15.5 80 100+15 -10 500 500 30 400

POWER-SEM Single HV-IGBT Driver

PSHI 512F45-13

单路 4500V HV-IGBT驱动器适配 130mm/190mm IHV-IGBT模块即插即用特点●基于 ASIC设计的单路 IGBT驱动器●为 4500V IHV-IGBT设计●监测 VCEsat提供短路及过流保护● VGE欠压保护 (>-7.5V,<+12.5V保护 )●故障“软关断”●动态“软关断”+有源钳位●内置驱动用 DC/DC隔离电源●隔离电压 10kVac/10秒●±35A峰值电流输出● IGBT门极驱动电压+15V/-10V● 500ns电信号转换时间● 30ns故障电信号返回时间● 400ns窄脉冲抑制消除抖动及射频干扰●最高工作频率 10kHz●光纤接口●三电平应用模式可选●原边-付边的空气间隙距离 32mm●原边-付边的表面爬电距离大于 62mm●符合 EN50178及 IEC60664-1标准

40 20 40 55 8 70

*电气参数均不包含光纤链路及光电转换参数 (HFBR-2521/HFBR-1521)

光纤链路参数 (Ta=25℃,以 HFBR-2521/HFBR-1521实测 )符号 td(on)TR td(off)TR含义光纤链路发射-接收的开通 (点亮 )延时 IF=30mA (IF为发射管电流 )光纤链路发射-接收的关断 (熄灭 )延时 IF=30mA参数Typ.默认值

单位 ns

150 50 50*

ns

*驱动器的故障信号发射端子 (HFBR-1521)为熄灭=故障，参数为：IF=30mA;td(off)TR=50ns。系统开关信号的延时由控制端的发射参数决定。

应用

5

在对驱动器做前期功能测试时，驱动器的 VCE监测输入端及主电路的直流母线上将会产生大约 100V左右的直流电压，请在操作过程中务必注意，谨防高电压对操作人员的危害！驱动器内部的核心芯片组 (ASICs)及功率输出级器件均为静电敏感的 MOS工艺器件，虽然我们在驱动器的各个端口都做了 ESD保护，但在使用过程中仍然需要特别注意，谨防静电危害！

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●牵引● SVG●有源滤波●逆变器●变频器●光伏逆变器●风电逆变器

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外形及安装尺寸

PSHI 512F45-13

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Specifications are subject to change without notice.

Please refer to for more information.

HV-IGBT系列极限参数 (Ta=25℃ )符号 VS MAX. IS MAX. PDC/DC IO IoutAV IoutPEAK VCES Visol IO RGon/off min Qout/pulse dv/dt fSW max

Top Tstg.含义原边电源电压最高值原边电源电流的最大值 DC/DC隔离电源输出的总功率最大逻辑信号输出电流每通道输出的平均电流每通道输出的峰值电流 IGBT集电极 -发射极电压输入 -输出隔离电压 (10 sec. AC)最小门极开通/关断电阻输出电荷最小值电压变化率最高工作频率工作温度储存温度参数+16 350 5 10 120±35 6500 13 0.7±60 75 10 -45...+85 -45...+85单位 V mA W mA mA A V kVΩμC kV/μs kHz℃℃

0

电气参数 *(Ta=25℃ )符号 VS IS VG(on) VG(off) td(on)IO td(off)IO td(err) tmd tpReset tp(err) VCEstat CPS含义原边电源电压原边空载电流 fSW=0 fSW=10kHz门极开通电压门极关断电压开通信号输入-输出延时关断信号输入-输出延时故障信号返回延时 VCE故障发生-错误信号输出窄脉冲抑制故障自动复位时间故障信号脉冲宽度 VCE监测参考电压一二次之间的分布电容参数Min. Typ. Max.

单位 V mA V V ns ns ns nsμsμs V pf

14.5

15 15.5 80 100+15 -10 500 500 30 400

POWER-SEM Single HV-IGBT Driver

PSHI 512F65-13

单路 6500V HV-IGBT驱动器适配 130mm/190mm IHV-IGBT模块即插即用特点●基于 ASIC设计的单路 IGBT驱动器●为 6500V IHV-IGBT设计●监测 VCEsat提供短路及过流保护● VGE欠压保护 (>-7.5V,<+12.5V保护 )●故障“软关断”●动态“软关断”+有源钳位●内置驱动用 DC/DC隔离电源●隔离电压 13kVac/10秒●±35A峰值电流输出● IGBT门极驱动电压+15V/-10V● 500ns电信号转换时间● 30ns故障电信号返回时间● 400ns窄脉冲抑制消除抖动及射频干扰●最高工作频率 10kHz●光纤接口●三电平应用模式可选●原边-付边的空气间隙距离 32mm●原边-付边的表面爬电距离大于 62mm●符合 EN50178及 IEC60664-1标准

40 20 40 65 8 90

*电气参数均不包含光纤链路及光电转换参数 (HFBR-2521/HFBR-1521)

光纤链路参数 (Ta=25℃,以 HFBR-2521/HFBR-1521实测 )符号 td(on)TR td(off)TR含义光纤链路发射-接收的开通 (点亮 )延时 IF=30mA (IF为发射管电流 )光纤链路发射-接收的关断 (熄灭 )延时 IF=30mA参数Typ.默认值

单位 ns

150 50 50*

ns

*驱动器的故障信号发射端子 (HFBR-1521)为熄灭=故障，参数为：IF=30mA;td(off)TR=50ns。系统开关信号的延时由控制端的发射参数决定。

应用

5

在对驱动器做前期功能测试时，驱动器的 VCE监测输入端及主电路的直流母线上将会产生大约 100V左右的直流电压，请在操作过程中务必注意，谨防高电压对操作人员的危害！驱动器内部的核心芯片组 (ASICs)及功率输出级器件均为静电敏感的 MOS工艺器件，虽然我们在驱动器的各个端口都做了 ESD保护，但在使用过程中仍然需要特别注意，谨防静电危害！

2

●牵引● SVG●有源滤波●逆变器●变频器●光伏逆变器●风电逆变器

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外形及安装尺寸

PSHI 512F65-13

13

© 2014 Beijing Power-sem Electronic Technique Co,.Ltd.

Specifications are subject to change without notice.

Please refer to for more information.

HV-IGBT系列极限参数 (Ta=25℃ )符号 VS MAX. IS MAX. PS IO IoutAV IoutPEAK VCES RGon/off min Qout/pulse dv/dt fSW max Top Tstg.含义原边电源电压最高值原边电源电流的最大值输出的总功率最大逻辑信号输出电流每通道输出的平均电流每通道输出的峰值电流 IGBT集电极 -发射极电压最小门极开通/关断电阻输出电荷最小值电压变化率最高工作频率工作温度储存温度参数+27 250 5 10 200±35 3300 0.7±25 75 10 -45...+85 -45...+85单位 V mA W mA mA A VΩμC kV/μs kHz℃℃

0

电气参数 *(Ta=25℃ )符号 VS IS VG(on) VG(off) VGth td(on)IO td(off)IO td(err) tmd tpReset tp(err) VCEstat CPS含义原边电源电压原边空载电流 fSW=0 fSW=10kHz门极开通电压门极关断电压门极电压监测阈值开通信号输入-输出延时关断信号输入-输出延时故障信号返回延时 VCE故障发生-错误信号输出窄脉冲抑制故障自动复位时间故障信号脉冲宽度 VCE监测参考电压一二次之间的分布电容参数Min. Typ. Max.

单位 V mA V V V ns ns ns nsμsμs V pf

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25 60 65+15 -10+13 500 500 30 400

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POWER-SEM Single HV-IGBT Driver

PSHI 512F65-73

单路 6500V HV-IGBT驱动器适配 73mm IHV-IGBT模块即插即用特点●基于 ASIC设计的单路 IGBT驱动器●为 6500V IHV-IGBT设计●监测 VCEsat提供短路及过流保护● VGE欠压保护 (>-7.5V,<+12.5V保护 )●故障“软关断”●动态“软关断”+有源钳位●±35A峰值电流输出● IGBT门极驱动电压+15V/-10V● 500ns电信号转换时间● 30ns故障电信号返回时间● 400ns窄脉冲抑制消除抖动及射频干扰●最高工作频率 10kHz●光纤接口●三电平应用模式可选●原边-付边的空气间隙距离 32mm●原边-付边的表面爬电距离大于 62mm●符合 EN50178及 IEC60664-1标准

40 20 40 65 8 90

*电气参数均不包含光纤链路及光电转换参数 (HFBR-2521/HFBR-1521)

光纤链路参数 (Ta=25℃,以 HFBR-2521/HFBR-1521实测 )符号 td(on)TR td(off)TR含义

光纤链路发射-接收的开通 (点亮 )延时 IF=30mA (IF为发射管电流 )光纤链路发射-接收的关断 (熄灭 )延时 IF=30mA参数Typ.默认值

单位 ns

150 50 50*

ns

*驱动器的故障信号发射端子 (HFBR-1521)为熄灭=故障，参数为：IF=30mA;td(off)TR=50ns。系统开关信号的延时由控制端的发射参数决定。

应用

5

在对驱动器做前期功能测试时，驱动器的 VCE监测输入端及主电路的直流母线上将会产生大约 100V左右的直流电压，请在操作过程中务必注意，谨防高电压对操作人员的危害！驱动器内部的核心芯片组 (ASICs)及功率输出级器件均为静电敏感的 MOS工艺器件，虽然我们在驱动器的各个端口都做了 ESD保护，但在使用过程中仍然需要特别注意，谨防静电危害！

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●牵引● SVG●有源滤波●逆变器●变频器●光伏逆变器●风电逆变器

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PSHI 512F65-73

PSHI 512FXX-XX “A”选项功能简介(二)

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