VDMOS工艺

VDMOS工艺流程

VDMOSFET 的结构– 基本结构 n+ 衬底，漏极 D n- 外延层，漂移区 p 阱(又叫 p 基区 或体区) n+ 源区，源极 S 多晶硅栅，栅氧层， 栅极 G

– 整个器件的构成 前述结构实际只是器件的一个元胞，整个器件实际是 由很多这样的元胞并联而成的 剖面图

立体图

VDMOS与MOSFET的比较： 小信号 MOSFET(横向器件) 对应的 VDMOSFET(纵向器件)

CHANNEL

小信号 MOSFET5

VDMOS工艺流程1、原始硅片磨抛：原始硅片磨去40µm,抛 光80µmN+ <100> 535µm

2、清洗 ，并且用显微镜检查表面 3、外延生长N-: =20~30Ω· cm, d=45µ mNN+6

4、清洗 5、氧化： dox=6500±250Å 800℃-1000℃- 800℃ 6、一次版N-

N+

7、腐蚀，去胶，清洗 腐蚀：温度25℃

8、P+扩散 预扩：R□=80~100Ω/□ 700℃-940℃-700℃ 主扩：R□=150~180Ω/□ 800 ℃ -1150 ℃ -800 ℃

9、氧化

10、光刻：二次版反刻P+区，5000pm

11、腐蚀，(温度25℃) t=8.1s 12、去胶清洗 13、栅氧化 dox=1000-1100Å 作C-V检查 实测dox=1060-1050Å

此步骤须单独做，主要是为了生长出高质量的 氧化层

6000 ~7000Å SiO2

1000Å SiO2

14、生长多晶硅 7000ű200Å 15、清洗

16、三次版：光刻P-区(多晶硅)三次版

留下栅和互连的多晶硅(使多晶硅成为p型)SiO2 4000Å以上 7000±200Å 多晶硅 1000~1100 Å SiO2

17、腐蚀多晶硅(P-区),干腐：9'50'' 18、漂栅氧，(注意不要过漂，留下50~ 100 Å)(P-区内)50~100 Å

19、硼注入(带胶) 60Kev 1.7×1014/cm2 <15µA B

20、正面涂胶(5000pm) 21、背面腐蚀多晶硅(干法)和SiO2 干腐4'38'' 漂2'

22、去胶清洗16

23、P-推进 dox=1000Å 800-1150-800℃多晶硅7000 Å SiO2 1000Å

24、漂SiO2, 扩磷(N+), 同时形成沟道, R□=6~7Ω /□,

Xjn =1.1µ , Xjp=5µ , R□poly-Si≤30Ω/□G

N+

25、漂磷硅玻璃(PSiO2)(去离子水 HF)

26、氧化 950℃ 5 '干氧+ 20'湿氧+ 5'干氧 dox=2100 Å

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