直立式多腔体直流射频磁控溅射系统 一台

立式双工艺腔体直流/射频磁控溅射系统

用于制备IGaZO有源层、ITO电极、源漏极电极层和栅电极层。包括两个沉积工艺腔体(A2和A3 System)。

A1 system：for Loading / unloading【基片尺寸：6?6 英寸；基片尺寸向下兼容(也可沉积2、3、4英寸基片)】

1. 真空腔体： (1)腔体 :

*腔体尺寸: 约400(W)mm×160(D)mm×500 (H) mm（内腔尺寸） 脚架尺寸: 另订

*腔体材质: SUS304 抛光钢材 *水冷式设计

*外箱材质: SEEC粉体烤漆 *焊接方式：全周氩焊 *内部抛光处理

(2)真空抽气系统

a)进口油式真空帮浦 ×1（Oil Pump）(法国 Alcatel) *Model：Alcatel 2033SD *最高排气速度：660L/min *到达压力：2×10-3 Torr *吸气口径：NW40

*电源电压：3相 AC220V；50 / 60Hz

b)全磁浮涡轮分子式帮浦 ×1 (法国 Alcatel) *Model：Alcatel ATH500M *最高排气速度：500 L/sec *到达压力：＜1 ×10-8 Torr *吸气口径：ISO160 *排气口径：NW40

*电源电压：单相 AC220V 60Hz

c)阀门及管路 *粗抽真空气动阀×1 NW40 Angle Valve (日本 SMC) *前级真空气动阀×1 NW25 Angle Valve (日本 SMC) *ISO160 Gate Valve ×1 (瑞士 HVA)

*气动进气阀φ1/4” Bellow Valve ×3 (日本 SMC 或 美国swaglok) *SUS304真空管路 ×1 批 (美国Parker) (3)承载盘移送机构：

1

*移送速度：max 500mm / min *可调速定位马达 ×1 (日本 ORIENTAL 数字调数马达) *定位感应sensor ×2

2.量测系统： (1)真空量测：

*全领域真空计：1 ATM~10-9 Torr ×1 (Inficon 或pfeiffer) *低真空计：1 ATM~10-4 Torr ×1 (Inficon 或pfeiffer) *ATM Sensor ×1 (SMC) (2)气体流量控制器(MFC)： *Ar ：200 SCCM ×1 (美国MKS) *O2 ：100 SCCM ×1 (美国MKS)

3. Plasma Cleaning： (1) Power Generator：DC1000W ×1 (美國ADL) (2) 绝缘电击板 ×1 (For plasma cleaning)

A2 system：For Oxide (IGZO,ITO) 【基片尺寸：6?6 英寸；基片尺寸向下兼容(也可沉积2、3、4英寸基片)】 1.真空腔体： (1)腔体 :

*腔体尺寸: 约400(W)mm×160(D)mm×500 (H) mm（内腔尺寸）×3 *脚架尺寸: 另订

*腔体材质: SUS304 抛光钢材 *水冷式设计

*外箱材质: SEEC粉体烤漆 *焊接方式：全周氩焊 *内部抛光处理 *内部衬板 × 1套

(2)真空抽气系统

a)进口油式真空帮浦 ×1（Oil Pump）(法国 Alcatel) *Model：Alcatel 2033SD *最高排气速度：660L/min *到达压力：2×10-3 Torr *吸气口径：NW40

*电源电压：3相 AC220V；50 / 60Hz

b) 全磁浮涡轮分子式帮浦 ×1 (法国 Alcatel) * Model：Alcatel ATH1300M *最高排气速度：1300 L/sec

2

*到达压力：＜1 ×10-8 Torr *吸气口径：ISO160 *排气口径：NW40

*电源电压：单相 AC220V 60Hz

c)阀门及管路 *粗抽真空气动阀×1 NW40 Angle Valve (日本 SMC) *前级真空气动阀×1 NW40 Angle Valve (日本 SMC) *ISO160 Gate Valve ×2 (瑞士 HVA) *气动进气阀φ1/4” Bellow Valve ×3 (日本 SMC 或 美国swaglok) *手动进气阀φ1/4” Ball Valve ×2 (美国swaglok) *SUS304真空管路 ×1 批 (美国Parker) (3)承载盘移送机构：

*移送速度：max 500mm / min *可调速定位马达 ×1 (日本 ORIENTAL 数字调数马达) *Substrate Holder ×1 (Holder可更换放置並6 inch×6 inch一片或以下之被镀物) *定位感应sensor ×3

2.量测系统： (1)真空量测：

*全领域真空计：1 ATM~10-9 Torr ×1 (Inficon 或pfeiffer) *低真空计：1 ATM~10-4 Torr ×1 (Inficon 或pfeiffer) *ATM Sensor ×1 (日本SMC)

(2)气体流量控制器(MFC)： *Ar ：100 SCCM ×1 (美国MKS) *O2 ：50 SCCM ×1 (美国MKS)

(3)自动压力控制系统： *ISO 160 Throttle Valve ×1 (美国MKS 或VAT) *Baratron Gauge：0.1 Torr ~ 1 × 10-4 Torr ×1 (美国MKS) *Auto Pressure Controller ×1 (美国MKS或VAT)

3. 基板加热系统：

*使用平面热阻式加热器（Max：300℃）×2

4. 溅镀系统： (1) Power Generator：RF Power Supply 2KW × 1(美国SERREN) (2) 5” × 12” Rectangular Sputter Gun ×1 (美国Angstroms 或 英国 Gencoa) (3) 溅镀方式：立式溅镀 (4) 可往覆式镀膜 (可设定往覆镀膜次数)

3

A3 system：For Metal (Mo, Cr, Al, Ni) 【基片尺寸：6?6 英寸；基片尺寸向下兼容(也可沉积2、3、4英寸基片)】

1.真空腔体： (1)腔体 :

*腔体尺寸: 约400(W)mm×160(D)mm×500 (H) mm（内腔尺寸）×3 *脚架尺寸: 另订

*腔体材质: SUS304 抛光钢材 *水冷式设计

*外箱材质: SEEC粉体烤漆 *焊接方式：全周氩焊 *内部抛光处理 *内部衬板 × 1套

(2)真空抽气系统

a)进口油式真空帮浦 ×1（Oil Pump）(法国 Alcatel) *Model：Alcatel 2033SD *最高排气速度：660L/min *到达压力：2×10-3 Torr *吸气口径：NW40

*电源电压：3相 AC220V；50 / 60Hz

b)全磁浮涡轮分子式帮浦 ×1 (法国 Alcatel) *Model：Alcatel ATH1300M *最高排气速度：1300 L/sec *到达压力：＜1 ×10-8 Torr *吸气口径：ISO160 *排气口径：NW40

*电源电压：单相 AC220V 60Hz

c)阀门及管路 *粗抽真空气动阀×1 NW40 Angle Valve (日本 SMC) *前级真空气动阀×1 NW40 Angle Valve (日本 SMC) *ISO160 Gate Valve ×1 (瑞士 HVA)

*气动进气阀φ1/4” Bellow Valve ×3 (日本 SMC 或 美国swaglok) *SUS304真空管路 ×1 批 (美国Parker) (3)承载盘移送机构：

*移送速度：max 500mm / min *可调速定位马达 ×1 (日本 ORIENTAL 数字调数马达) *Substrate Holder ×1(Holder可更换放置並6 inch×6 inch一片或以下之被镀物) *定位感应sensor ×3

2.量测系统：

4

(1)真空量测：

*全领域真空计：1 ATM~10-9 Torr ×1 (Inficon 或pfeiffer) *低真空计：1 ATM~10-4 Torr ×1 (Inficon 或pfeiffer) *ATM Sensor ×1 (日本SMC)

(2)气体流量控制器(MFC)： *Ar ：100 SCCM ×1 (美国MKS)

(3)自动压力控制系统： *ISO 160 Throttle Valve ×1 (美国MKS或VAT) *Baratron Gauge：0.1 Torr ~ 1 × 10-4 Torr ×2 (美国MKS) *Auto Pressure Controller ×1 (美国MKS或VAT)

3. 基板加热系统：

*使用平面热阻式加热器（Max：300℃）×2

4. 溅镀系统：

(1)Power Generator：DC Power Supply 6KW × 1(ADL) (2)5” × 12” Rectangular Sputter Gun ×1 (3)溅镀方式：立式溅镀

(4)可往覆式镀膜(可设定往覆镀膜次数)

B、共享系统： 1. 控制系统：

*PLC控制系统 + IPC 工业用计算机

*矽碁自行设计之专用软件：计算机控制（不含其它软件） (1) 自动抽气、自动泄气、自动测漏、循环抽气程序设定

(2) 可由计算机实时设定真空度、基板加热温度、RF、DC及制程流量设定 (3) 可由计算机实时显示并记录真空度、基板加热温度、RF、DC及制程流量 (4) 可由计算机实时显示并记录真空度、基板加热温度、RF、DC及制程流量之曲线图，并可设定曲线之取样频率及范围 (5) 可由计算机打印真空度、基板加热温度、RF、DC及制程流量之曲线图及Data并可输出为计算机档案

(6) 可查询整年度之历史数据(包含真空度、基板加热温度、RF、DC及制程流量之曲线图及Data)

(7) 可由计算机显示并记录机台所有异常数据(包括异常内容及异常时间) (8) 可由计算机设定使用者权限管理(包含：TE、EE、PE、ME) (9) 所有参数设定可自行设定误差值误差时间并提供警报

(10)提供弹性化制程气体及管路设定控制接口，配合权限管理可自由增加或减少 制程气体

(11)可设定镀多层膜

(12)自动镀膜中可单独控制每支Sputter Gun之功率渐进式升高及降低

2. 效能及验收条件：（空载不加温）

5

(1) 终极压力：< 5 ×10-7 Torr（空载不加温） (2) 基板加热系统：Max 300℃ (3) 均匀性： * ITO： 200 nm <±5% (across 150mm) * Mo: 200 nm <±5% (across 150mm)

3. 空压系统：

*电磁阀＋调压阀（SMC） *空压不足警报

4. 系统需求

*AC 三相四线 220V；125A (可依当地需求变压) *Compress air : 5~7 Kg / cm2 *GN2：1~2 kg/cm2 *PN2：1~2 kg/cm2 *Ar：1~2 kg/cm2 *O2：1~2 kg/cm2

*Cooling Water：2 ~3 kg / cm2；30L/min *Exaust Piping：NW40 Flange ×3

5. 其它：

*中文操作说明书两份 *附属品之原厂说明书 *机台保固及保修二年

*Oxide Chamber 增加一支gun的镀率约30~40 ?/min (用Power 800 W时计算) *Metal Chamber增加一支gun的镀率约130~150 ?/min (用Power 1.5 KW时计算) *各腔体为模块化设计，尔后可扩充腔体

6. Layout：

A. 左边为Metal共三个腔体, 1 支Gun (Mo, Al一个, Cr, Ni一个), 使用一台DC Power,两边为加热腔体

B. 右边为Oxide共三个腔体, 1 支Gun(IGZO, ITO) ,使用1台RF Power, 两边为加热腔体

C. 中间为Load Lock Chamber, 有加DC Bias for Plasma Cleaning D.设备总长不得超过6.5m

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本文来源：https://www.bwwdw.com/article/hm4v.html