半导体器件物理复习题1
更新时间:2023-10-15 11:37:01 阅读量: 综合文库 文档下载
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半导体器件物理复习题
一. 平衡半导体:
概念题:
1. 平衡半导体的特征(或称谓平衡半导体的定义)
所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体,是指无外界(如电压、电场、磁场或温度梯度等)作用影响的半导体。在这种情况下,材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体:
本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主(杂质)原子:
形成P型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子(一般为元素周期表中的Ⅲ族元素)。 4. 施主(杂质)原子:
形成N型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子(一般为元素周期表中的Ⅴ族元素)。 5. 杂质补偿半导体:
半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体:
对N型掺杂的半导体而言,电子浓度大于导带的有效状态密度, 费米能级高于导带底(EF?Ec?0);对P型掺杂的半导体而言,
空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶(E
F?Ev?0)。
1
7. 有效状态密度: 在导带能量范围(
gc?E??4??2mh3*nEc~?)内,对导带量子态密度函数
?3/2E?Ec与电子玻尔兹曼分布函数乘积进行积分*n2fF?E??e?E?EF?x??pkT???*n的2(3即称谓?n0??Ec4??2mh3?3/?E?EF?E?Ecexp??dE?kT??)得到的?2?mkT?2Nc?2??h??导带中电子的有效状态密度。 在价带能量范围(??~E)内,对价带量子态密度函数
vgv?E??4??2mh3*p?3/2Ev?E与空穴玻尔兹曼函数Ev0?E?E?fF?E??exp??FkT???的乘积进行积分(即p3????4??2mp?*3/2h3?E?E?Ev?Eexp??F?dEkT??)得到?2?mkT?2的Nv?2??2??h??*p称谓价带空穴的有效状态密度。 8. 以导带底能量E为参考,导带中的平衡电子浓度:
c?E?EF?n0?Ncexp??c?kT??其含义是:导带中的平衡电子浓度等于导带中
的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量E为参考,价带中的平衡空穴浓度:
v?E?Ev?p0?Nvexp??F?kT??其含义是:价带中的平衡空穴浓度等于价带中
的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10.
导带量子态密度函数g?E??c4??2mn?*3/2h3E?Ec
2
11. 12.
价带量子态密度函数g?E??v4??2mp?*3/2h3Ev?E3*n2 ?2?mkT?2导带中电子的有效状态密度Nc?2?? h??313. 14.
?2?mkT?2价带中空穴的有效状态密度Nv?2??2??h??*p?
本征费米能级E:
Fi是本征半导体的费米能级;本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近,E带宽度E15.
gFi?m*??m*?3pp??Ec?Ev??kTln?*??Emidgap?kTln?*??m??m?244?n??n?13;其中禁?Ec?Ev。? 本征载流子浓度n:
i本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度
n0?p0?ni。硅半导体,在T?300K时,ni?1.5?10cm10?3。
16. 杂质完全电离状态:
当温度高于某个温度时,掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质;掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质,称谓杂质完全电离状态。 17.
束缚态:
在绝对零度时,半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时,半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18.
本征半导体的能带特征:
本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近,且跟温度有关。如果电子和空穴的有效质量严格相等,那么本征半导体费米能级
3
的位置严格位于禁带中央。在该书的其后章节中,都假设:本征半导体费米能级的位置严格位于禁带中央。(画出本征半导体的能带图)。 19.
非本征半导体:
进行了定量的施主或受主掺杂,从而使电子浓度或空穴浓度偏离了本征载流子浓度,产生多子电子(N型)或多子空穴(P型)的半导体。 20.
本征半导体平衡时载流子浓度之间的关系:
n0p0?ni2n0?p0?ni,n2i??Vg???Eg???Eg?3?NcNvexp??NNexp?Texp?????,cv?kT??kT??Vt?本征载流子浓度强烈依赖与温度。
以本征费米能级为参考描述的电子浓度和空穴浓度:
?E?EFi?n0?niexp?F?kT???E?EFi?p0?niexp??F?kT?? n0p0?ni2从上式可以看出:如果EF?EFi,可以得出n0?p0?ni,此
时的半导体具有本征半导体的特征。上式的载流子浓度表达式既可以描述非本征半导体,又可以描述本征半导体的载流子浓度。 21.
非本征半导体平衡时载流子浓度之间的关系:
2n0p0?ni,n0?E?EFi??niexp?F?kT???E?EFi?p0?niexp??F?kT?? 22.
?补偿半导体的电中性条件:
?n0?Na?p0?Nd?1? 其中:
n0是热平衡时,导带中总的电子浓度; p0是热平衡时,价带中总的空穴浓度;
4
Na?Na?pa是热平衡时,受主能级上已经电离的受主杂质;
?Nd?Nd?nd?是热平衡时,施主能级上已经电离的施主杂质;
是施主掺杂浓度;p是占据受主能级的
aNa是受主掺杂浓度;Nd空穴浓度;n是占据施主能级的电子浓度。也可以将(1)写成:
dn0?(Na?pa)?p0??Nd?nd??2?
在完全电离时的电中性条件: 完全电离时,nd?0,pa?0,有n0?Na?p0?Nd?3?
对净杂质浓度是N型时,热平衡时的电子浓度是
n0?Nd?Na2??Nd?Na?2???ni2???ni22?4?; 少子空穴浓度是:p0n0。 对净杂质浓度是P型时,热平衡时的空穴浓度是
p0?Na?Nd2??Na?Nd?2???ni2???ni22?5?; 少子电子浓度是:n理解题:
0p0。 23.结合下图,分别用语言描述N型半导体、P型半导体的费米能级在能带中的位置:
5
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