电子技术基础-检测题习题解析

更新时间:2023-11-04 13:17:01 阅读量: 综合文库 文档下载

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第1章 检测题 (共100分,120分钟) 一、填空题:(每空0.5分,共25分)

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ,少数载流子为 空穴 ,不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ,少数载流子为 自由电子 ,不能移动的杂质离子带 负 电。

2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。

3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向 相反 ,有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向 一致 ,有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ,这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。

4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ,其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立,对多数载流子的 扩散 起削弱作用,对少子的 漂移 起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时, PN结 形成。

5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的 R×1K 档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极;与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被 击穿 ;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经 绝缘老化不通 。

6、单极型晶体管又称为 场效应(MOS) 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管,正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。

8、MOS管在不使用时应避免 栅 极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分)

1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。 (错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 (对) 3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。 (错) 4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。 (错) 5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。 (错) 6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。 (对)

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7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。 (错) 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必被击穿。 (错) 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 (错) 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。 (错) 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件是( C )。

A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是( C )。

A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( C )。

A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是( A )而成。

A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( A )。

A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流( C )。

A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为( C )。

A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。 9、三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICM; B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO; C、集电极最大允许耗散功率PCM; D、管子的电流放大倍数?。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是( C )

A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题:(每小题4分,共28分)

1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?

答:这种说法是错误的。因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少

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了电子,从而获得了N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电子,所以仍呈电中性。

2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答:管脚③和管脚②电压相差0.7V,显然一个硅管,是基极,一个是发射极,而管脚①比管脚②和③的电位都高,所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极,管脚③是基极,管脚①是集电极。

3、图1-29所示电路中,已知E=5V,ui?10sin?tV,二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻R=0,反向阻断时电阻R=∞),试画出u0的波形。

答:分析:根据电路可知,当ui>E时,二极管导通u0=ui,当ui

4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同?单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同?

答:金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子,它们同时参与导电,这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电,因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。

5、图1-30所示电路中,硅稳压管DZ1的稳定电压为8V,DZ2的稳定电压为6V,正向压降均为0.7V,求各电路的输出电压U0。

答:(a)图:两稳压管串联,总稳压值为14V,所以U0=14V; (b)图:两稳压管并联,输出电压按小值计,因此U0=6V; (c)图:两稳压管反向串联,U0=8.7V;

(d)图:两稳压管反向并联,可认为DZ1截止不通,则U0=0.7V。

6、半导体二极管由一个PN结构成,三极管则由两个PN结构成,那么,能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管?如不能,说说为什么?

答:将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为,两个背靠背的二极管,其基区太厚,不符合构成三极管基区很薄的内部条件,即使是发射区向基

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图1-29

u/V 10 5 0 ui u0 ωt

区发射电子,到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉,根本不可能有载流子继续向集电区扩散,所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。

图1-30

7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么? 答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大,且结面积也不同。

五、计算分析题:(共17分)

1、图1-31所示三极管的输出特性曲线,试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。(8分)

(1)UCE=3V,IB=60μA,IC=? (2)IC=4mA,UCE=4V,ICB=? (3)UCE=3V,IB由40~60μA时,β=?

IC (mA) 5 4 A 3 2 1 100μA 80μA B 60μA 40μA 20μA 0 1 2 3 4 5 6 7 8 图1-31

C IB=0 UCE (V)

解:A区是饱和区,B区是放大区,C区是截止区。

(1)观察图6-25,对应IB=60μA、UCE=3V处,集电极电流IC约为3.5mA;

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(2)观察图6-25,对应IC=4mA、UCE=4V处,IB约小于80μA和大于70μA; (3)对应ΔIB=20μA、UCE=3V处,ΔIC≈1mA,所以β≈1000/20≈50。 2、已知NPN型三极管的输入—输出特性曲线如图1-32所示,当 (1)UBE=0.7V,UCE=6V,IC=? (2)IB=50μA,UCE=5V,IC=?

(3)UCE=6V,UBE从0.7V变到0.75V时,求IB和IC的变化量,此时的???(9分)

IB (μA) 120 80 60 40 20 IC (mA) 10 8 6 4 2 UBE (V)

100μA 80μA 60μA 40μA 20μA IB=0 0 0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 (a)输入特性曲线

0 1 2 3 4 5 6 7 8 (b)输出特性曲线

UCE (V)

图1-32

解:(1)由(a)曲线查得UBE=0.7V时,对应IB=30μA,由(b)曲线查得IC≈3.6mA; (2)由(b)曲线可查得此时IC≈5mA;

(3)由输入特性曲线可知,UBE从0.7V变到0.75V的过程中,ΔIB≈30μA,由输出特性曲线可知,ΔIC≈2.4mA,所以β≈2400/30≈80。

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本文来源:https://www.bwwdw.com/article/h4b2.html

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