14级 模拟电路第1-4单元 复习自测题

14级 《模拟电路》第1-4单元 复习自测题

第一单元 半导体器件

1.1 在P型半导体中，多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质

1.2 在N型半导体中，多数载流子是 [ A ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质

1.3 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ C ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

1.4下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]

A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大

1.5二极管的主要特性是 [ C ]

A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 1.6. 左下图，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压 UO。

VD1截止， VD2导通 UO?5.3V　　　

1.7 二极管电路如右上图所示，考虑其正向压降为0.7V，判断二极管是否导通，求输出电压Uo （D1导通，D2截止。UO= -0.7V）

1.8左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为[ A ]。

A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止 C. VD3导通， VD1 、 VD2截止 D. VD1， VD2 、 VD3均导通

1.9. 判断右上图电路中二极管的工作状态。 [ A ]

A. VD1导通， VD2截止 B. VD2导通， VD1 截止 C. VD1 、 VD2均导通 D. VD1， VD2均 截止

1.10 如左下图所示电路中D为理想元件，已知ui = 5sinωtV ，试对应ui画出uo的波形图。（当ui>0,D通，u0=ui;当ui<0,D截止，u0=0）

1

1.11 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1(左图)所示，该晶体管的类型是 [ A ] A. NPN型硅管 B. PNP型硅管

C. NPN型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP型锗管 1.3V 1.12测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示，试说明三极管的类型是 [ D ]

A. NPN型硅管； B. PNP型硅管； C. NPN型锗管； D. PNP型锗管 1.13 某三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ] A. B. C. D.

1.14 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是 [ B ] A 发射结正偏，集电结正偏 B 发射结正偏，集电结反偏 C 发射结反偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏 1.15当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于[ A ]

A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿

1.16当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于[ B ]。 A.截止状态 B.饱和状态 C.放大状态 D.击穿 1.17测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为[ A ]

A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型

1.18测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、2.3V和2V，则该三极管的类型为[ D ]。

A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型

2

饱和 放大

截止

已损坏

1.19测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和12V，则该三极管的类型为[ B ]

A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 1.20测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.7V和-6V，则该三极管的类型为[ C ]。

A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型

1.21用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为[ C ]。

A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e

1.22处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是[ C ]。 A. VB＞VC＞VE B. VE＞VB＞VC C. VC＞VB＞VE D. VC＞VE＞VB

1.23处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是[ B ]。 A. VB＞VC＞VE B. VE＞VB＞VC C. VC＞VB＞VE D. VC＞VE＞VB

1.24 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。

1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（× ） 2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（× ） 3、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ √ ）

填空题：

1.25半导体材料有三个特性，它们是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。 半导体具有三敏特性，它们分别是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。 1.26在本征半导体中加入（5价）元素可形成N型半导体，加入（3价）元素可形成P型半导体。

N型半导体可通过在纯净半导体中掺入（5价）元素而获得，而P型半导体可通过在纯净半导体中掺入（3价）元素而获得。

1.27在P型半导体中，多数载流子是（空穴），而在N型半导体中，多数载流子是（电子）。P型半导体中（空穴）是多数载流子，（电子）是少数载流子。 在N型半导体中，多数载流子是（电子），而在P型半导体中，多数载流子是（空穴）。 N型半导体中（电子）是多数载流子，（空穴）是少数载流子。 1.28二极管的主要特性是（单向导电特性）。 （单向导电特性）是二极管的主要特性。 1.29在常温下，硅二极管的门限电压约为（0.5）V，导通后的正向压降约为（0.6~0.8工程中取0.7）V；锗二极管的门限电压约为（0.1）V，导通后的正向压降约为（0.2~0.3工程中取0.2）V。

1.30.在常温下，发光二极管的正向导通电压约为（1~2.5）V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在（10~20）mA。 1.31晶体管按结构分有（NPN）和（PNP）两种类型。

3

1.32晶体管按材料分有（锗管）和（硅管）两种类型。

1.33晶体管实现放大作用的外部条件是发射结（正偏）、集电结（反偏）。 三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在饱和区时，发射结（正偏）），集电结（正偏））。

三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在截止区时，发射结（反偏）），集电结（反偏））。

第二单元 放大电路基本原理和分析方法

2.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是 [ C ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.2 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是 [ C ]

A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.3 在三种基本放大电路中，电压增益（放大倍数）最小的放大电路是 [ C ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.4在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将 [ C ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定

2.5 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 [ A ] A. 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 2.6 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 [ A ] A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真

2.7单级共射极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压ui和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位 [ B ]。

A.相差00 B.相差1800 C.相差900 D.相差2700

2.8共基极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压ui和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位 [ A ]。

A.相差00 B.相差1800 C.相差900 D.相差2700

2.9对于基本共射放大电路， Rb减小时，输入电阻Ri将 [ B ]

A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定

2.10在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将 [ C ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定

2.11以下电路中，可用作电压跟随器的是 [ D ]

A．差分放大电路 B．共基电路 C．共射电路 D．共集电路 2.12固定偏置共射极放大电路，已知VCC＝12V，RC=3KΩ ，β＝40,忽略UBE,若要使静态时UCE ＝9V，则RB应取[ C ]。

A. 600KΩ B. 240KΩ C. 480KΩ D. 360KΩ

4

2.13固定偏置共射放大电路,VCC＝10V，硅晶体管的β＝100, RB=100KΩ， RC=5KΩ ，则该电路中三极管工作在[ B ]。

A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.无法确定

2.14.固定偏置共射极放大电路,VCC＝10V，硅晶体管的β＝100, RB=680KΩ， RC=5KΩ ，则该电路中三极管工作在[ A ]。

A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.无法确定

2.15多级放大电路Au1=20dB, Au2=40dB,则电路总的电压放大倍数Au为[ C ]dB。 A．80 B．800 C．60 D.20

2.16在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|= 100000 。

2.17 在三极管多级放大电路中，已知Au1＝20，Au2＝－10，Au3＝1，则可知其接法分别为：Au1是 CB 放大器，Au2是 CE 放大器，Au3是 CC 放大器。 2.18在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载电阻 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 信号源内阻 。

2.19 判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。

1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（× ）

2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。（× ）

3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1。（√ ）

4、阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。（√ ） 5、直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。（ × ） 2.20 在多级放大电路常见的三种耦合方式(a.阻容耦合，b.直接耦合，c.变压器耦合)

中选择合适者（可不止一种）填空。

1、要求各级静态工作点互相不影响，可选用 a,c 。 2、要求能放大直流信号，可选用 b 。 3、要求能放大交流信号，可选用 a,b,c 。

2.21晶体管放大电路有三种组态，分别是（共射）、（共集电极）和（共基）。 2.22共集电极放大电路的输入电阻很（大），输出电阻很（小）。

2.23在NPN共射放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为（饱和）失真，原因是Q点（过高）；若输出电压的波形顶部被削掉，称为（截止）失真，原因是Q点（过低）；若其输出电压的波形底部和顶部都被削掉，原因是（输入信号幅度过大）。 截止失真是由于放大电路的静态工作点接近或达到了三极管的（截止区）而引起的非线性失真，饱和失真则是由于工作点接近或达到了三极管的（饱和区）而引起的非线性失真，这两种失真统称为（非线性）失真。

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