第八章 光电传感器
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第8章 光电传感器8.1 8.3 8.4 8.5 8.6 光电传感器的基本效应 光电导效应及光电元件 光电伏特效应及光电元件 CCD图像传感器 应用光路
8.2 外光电效应光电器件
8.7 光电传感器应用思考题与习题
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8.18.1.1 光敏器件所探测的光包括可见光、紫外线和红外光,在 整个电磁辐射的频谱中只占很小一部分。光具有波粒二象性,
沿r方向传播的频率为ν的单色光可视为一束光子流,其中每个光子具有的能量Q和动能E分别为 (8.1) (8.2)
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这样,单色光的辐射功率就可写为P(ν)=A· F· hν (8.3) 量子力学指出,光的发射和吸收是与量子态间的跃迁过 程相联系的,在此过程中,光表现出其粒子性。在发射时, 光源系统由高能态E2向低能态E1跃迁,同时按能量守恒定律 发射光子,即 hν=E2-E1 (8.4) 在吸收时,介质吸收光子hν后就从低能态E1跃迁到高能 态E2。按能量守恒定律,介质系统跃迁前后的能量差应为 E2-E1=hν (8.5)
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即根据能量守恒定律,光源只能发出由式(8.4)描述的光子,只有符合式(8.5)的光子才能被介质吸收。吸收和发射只有在 计及光子动量并服从准动量守恒定则(选择定则)时才能发生。 光在半导体中传播时的衰减是半导体内电子吸收光子后 从低能态向高能态跃迁的结果。在其诸多吸收过程中,本征 吸收是光敏器件的工作基础。本征吸收又称基本吸收,其相 应的跃迁过程是:价带电子吸收了能量大于或等于禁带宽度 的光子后,跃至导带,产生自由电子,并在价带留下自由空 穴。因此,在本征吸收时,每吸收一个光子,就产生一个电 子-空穴对。由于在本征吸收过程中被吸收的光子要满足的 条件是
hν=Eg
(8.6)
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8.1.2半导体光电效应是半导体中束缚电子在吸收光子后所产 半导体光电效应可分为外光电效应和内光电效应两大类。 半导体内的电子在吸收光子后,如能克服表面势垒逸出 半导体表面,则会产生外光电效应。光电管、光电倍增管等 半导体内的电子在吸收光子后不能跃出半导体,所产生 的电学效应称为内光电效应。内光电效应按其工作原理可分 为光电导效应和光生伏特效应。内光电效应的种类很多,可
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8.28.2.1 光电管的结构如图8.1所示。在一个抽成真空的玻璃泡 内装有两个电极:阳极和光电阴极(简称阴极)。当阴极受到 适当波长的光线照射时便发射光电子,光电子被带正电位的
阳极所吸引,这样在光电管内就有电子流,在外电路中便产生了电子流,输出电压。光电流的大小与照射在光电阴极上 的光强度成正比,并与光电阴极的
材料有关。当光通量一定
时,真空光电管阳极电压与阳极电流的伏安特性曲线见图8.2
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图8.1 光电管的结构
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图8.2 真空光电管的伏安特性曲线
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光电管除真空光电管外,还有充气光电管。这两种光电管的结构基本相同,所不同的只是在充气光电管的玻璃泡内 充有少量的惰性气体,如氩或氖。当光电极被光照射而发射 电子时,光电子在趋向阳极的途中撞击惰性气体的原子使其 电离,从而使阳极电流急速增加,提高了光电管的灵敏度。 但其稳定性、频率特性等都比真空光电管的差。图8.3给出
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图8.3 充气光电管的伏安特性曲线
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8.2.2光电倍增管的结构如图8.4所示。它在玻璃管4内由光电 阴极1(K)、若干个倍增极2(Dn,n=4~14)和阳极3(A)三部分 组成。由一定材料制成的光电阴极K受入射光Φ照射时,可 发射出光电子,形成光电流iΦ。因倍增极和阳极上加有一定 的电位(图中经分压电阻获得),故光电阴极发射的光电子被 第一倍增极D1的正电压所加速,而轰击第一倍增极D1,打 击出二次电子。同样,二次电子又被第二倍增极D2的正电 压所加速,而轰击第二倍增极D2,打击出更多的二次电子。 依次下去,最后全部二次电子被带正电位的阳极A所收集, 形成光电流i。如果在光电阴极上由于入射光的作用发射出
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一个电子, 则这个电子将被第一倍增极的正电压所加速而轰击第一倍增极。设这时第一倍增极有σ个二次电子发出, 这σ个电子又轰击第二倍增极,而其产生的二次电子又增加σ 倍。经过n个倍增极后,原先一个电子将变为 σn个电子。这 些电子最后被阳极所收集而在光电阴极与阳极之间形成电流 i,则 i=iΦσn 故输出电压 Usc=iR=iΦσnR (8.8) (8.7)
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图8.4 光电倍增管的结构
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8.38.3.1 光敏电阻的光谱特性是选择光敏电阻器的重要依据。根 据光敏电阻的光谱特性,目前常用的有三种光敏电阻器:紫
紫外光敏电阻器对紫外线较灵敏,包括硫化镉、硒化镉红外光敏电阻器主要有硫化铅、碲化铅、硒化铅、锑化
铟等光敏电阻器,广泛用于导弹制导、天文探测、非接触测
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可见光光敏电阻器包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光敏电阻器等,主要用于各种光电 控制系统,如光电自动开关门户,航标灯、路灯和其他照明 系统的自动亮灭,自动给水和自动停水装置,机械上的自动 保护装置和位置检测,零件的厚度检测,照相机自动曝光装 置,光电码盘,光电计数器,
烟雾报警器,光电跟踪系统等。 图8.5为某光敏电阻的结构及电路符号。用来制作光敏 电阻的典型材料有硫化镉(CdS)及硒化镉(CdSe)等。
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图8.5 某光敏电阻的结构及电路符号
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8.3.21. 光敏电阻在未受到光照射时的阻值称为暗电阻,此时流 过的电流称为暗电流。光敏电阻受到光照射时的电阻称为亮 电阻,此时流过的电流称为亮电流。亮电流与暗电流之差称 为光电流。一般暗电阻越大,亮电阻越小,光敏电阻的灵敏 光敏电阻的暗电阻的阻值一般在兆欧数量级,亮电阻在 几千欧以下。暗电阻与亮电阻之比一般在102~106
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2.一般光敏电阻(如硫化铅、硫化铊)的伏安特性曲线如图 8.6所示。由该曲线可知,所加的电压越高,光电流越大, 而且没有饱和现象。在给定的电压下,光电流的数值将随光
图8.6 光敏电阻的伏安特性曲线
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3.光敏电阻的光照特性用于描述光电流和光照强度之间的 关系。不同光敏电阻的光照特性是不相同的。绝大多数光敏 电阻的光照特性曲线是非线性的,如图8.7
图8.7 光敏电阻的光照特性曲线
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4.常用光敏电阻材料的光谱特性曲线如图8.8所示。
图8.8 常用光敏电阻材料的光谱特性曲线
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5.随着温度不断升高,光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下 降,同时温度变化也影响它的光谱特性曲线。图8.9示出了 硫化铅的光敏温度特性曲线。从图中可以看出,它的峰值随 着温度上升向波长短的方向移动。因此,有时为了提高元件 的灵敏度,或为了能够接受较长波段的红外辐射,应采取一 光敏电阻具有很高的灵敏度,光谱响应的范围可以从紫 外区域到红外区域,而且体积小,性能稳定,价格便宜,但 光照与产生的光电流之间呈非线性关系。所以,光敏电阻在 自动化技术中应用很多,在检测技术中很少使用。
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