800kV直流复合绝缘子短样人工污秽闪络特性研究

±800kV直流复合绝缘子短样人工污秽闪络特性研究

第27卷 第10期 2007年4月 中 国 电 机 工 程 学 报

Proceedings of the CSEE Vol.27 No.10 Apr. 2007

©2007 Chin.Soc.for Elec.Eng.

文章编号：0258-8013 (2007) 10-0014-06 中图分类号：TM835 文献标识码：A 学科分类号：470 40

±800kV直流复合绝缘子短样人工

污秽闪络特性研究

李立浧1，蒋兴良2，孙才新2，张志劲2，胡建林2

(1．中国南方电网有限责任公司，广东省 广州市 510000；

2．重庆大学电气工程学院高电压与电工新技术教育部重点实验室，重庆市 沙坪坝区 400044)

Study on Pollution Flashover Performance of Short Sample of ±800kV

UHV DC Composite Insulators

LI Li-cheng1, JIANG Xing-liang2, SUN Cai-xin2, ZHANG Zhi-jin2, HU Jian-lin2

(1. China Southern Power Grid CO. LTD, Guangzhou 510000, Guangdong Province, China; 2. Key Laboratory of High Voltage and Electrical New Technology of Ministry of Education and College of Electrical Engineering of Chongqing University, Shapingba

District, Chongqing 400044, China) ABSTRACT: There is no design, construction and operating experience of the UHV DC transmission lines both at home and abroad. To meet the demands of the construction of the Yun-Guang ±800kV UHV DC transmission line, the artificial pollution flashover performance (PFP) of the short samples of 5 kinds of UHV/EHV DC composite insulators are investigated. The influences of salt deposit density (SDD) and atmospheric pressure (P) on the PFP of the test insulators are analyzed. The research results show that the a, characterizing the influence of SDD on the flashover voltages (Uf) of the short samples of the DC composite insulators, is related with the configuration and the material of the insulator shed. The a, between 0.25 and 0.3, is smaller than those of porcelain and glass insulators. That is to say, the influence of SDD on the Uf of the DC composite insulators is relatively little. In the severe pollution regions, the composite insulators have certain advantages. The n characterizing the influence of P on the Uf of the DC composite insulators is related with the configuration and the material of the insulator shed and the SDD. The n, between 0.5 and 0.8, is larger than those of porcelain insulators. Therefore, in the high altitude regions, the composite insulators have no advantages. Based on the test results, if insulator sample E is selected for the ±800kV UHV DC transmission line, the basic arc distance should be no less than 8.16m and the creepage distance no less than 30.2m.

基金项目：国家自然科学基金项目(50577070,90210026)。

Project Supported by National Natural Science Foundation of China (50577070,90210026)

KEY WORDS: extra & ultra high voltage; direct current; composite insulator; artificial pollution; flashover performance 摘要：特高压直流输电在国内外均没有设计、建设和运行经验。根据我国云广±800kV特高压直流工程建设的需要，该文以5种不同结构型式的超、特高压直流复合绝缘子短样为试品，在人工雾室试验研究了试品的人工污闪特性，分析了试品绝缘子污闪电压与盐密、气压的关系。结果表明，直流复合绝缘子短样污闪电压(Uf)的污秽程度影响特征指数(a)与伞裙结构和材质有关，其值为0.25~0.3，小于瓷和玻璃绝缘子绝缘子，即Uf受污秽程度的影响较小，在污秽严重地区，复合绝缘子具有优势；Uf的气压影响特征指数n与绝缘子材质、结构、污秽程度等有关，对于直流复合绝缘子，n值为0.5~0.8，大于瓷绝缘子，在高海拔地区，复合绝缘子不具有优势。根据该文试验结果，采用样品绝缘子E，±800kV特高压直流输电线路在轻污秽、海拔1000m及以下地区的基本电弧距离应不小于8.16m，爬电距离应不小于30.2m。 关键词：超/特高压；直流；合成绝缘子；人工污秽；闪络特性

0 引言

云广±800kV特高压直流线路跨越地区的海拔高度部分超过1000m，最高达2700m左右，且面临工业污秽、盐雾污秽和自然灰尘、鸟粪、覆冰(雪)等的影响。因此，输电线路绝缘子面临着多种污秽和高海拔的综合影响。复合绝缘子因其优异的防污性能而成为云广±800kV特高压直流输电线路的主要选择之一。

±800kV直流复合绝缘子短样人工污秽闪络特性研究

第10期 李立浧等： ±800kV直流复合绝缘子短样人工污秽闪络特性研究 15

国内外对各种型式绝缘子的交直流污秽闪络特性开展了大量研究。文献[1-3]表明，绝缘子直流污闪电压比交流约低20%~30%。直流下绝缘子表面积污量比交流多，文献[4-5]提出直/交流积污比为1.2~1.5，文献[6]为1~3倍，直流绝缘子上下表面积污比为1/3~1/20，污秽越重，上下表面积污比越大。

文献[7]提出，复合绝缘子积污量是瓷的1.5~2倍，且上下表面积污的不均匀性也大于瓷绝缘子，带电积污是不带电的3倍，瓷绝缘子则为1.25~ 1.35[8]。文献[9-10]研究了不同型式直流绝缘子的污秽绝缘子闪络特性，提出复合绝缘子即使丧失憎水性，其污闪电压仍比玻璃绝缘子高30%。但目前关于±800kV特高压直流复合绝缘子的污闪特性的研究报道甚少。

由于目前国内外没有±800kV直流特高压线路外绝缘设计、建设和运行的经验，因此，本文根据所具有的人工雾室尺寸和试验电源，针对云广±800kV特高压直流线路的污秽特点和海拔高度，试验研究了±800kV直流复合绝缘子短样在不同盐密/灰密和海拔高度下的污闪特性，研究结果可为特高压直流输电线路外绝缘设计提供参考。

表1 试品参数和结构示意图

Tab. 1 The parameters and configurations of the tested

short samples of composite insulators

型

结构尺寸/mm

S=L/h

结构示意图

C 178/150 2290 7387 34

3.226

1 试验装置及方法

1.1 试验装置

试验是在直径7.8m，高11.6m的圆柱形人工气候室[11]中进行的，其最低气压可达30kPa，可模拟海拔7000m及以下的大气参数。 1.2 试验电源

试验电压由±600kV/0.5A电流电压双反馈控制的直流污秽试验电源装置提供，泄漏电流为0.5A时，其动态压降小于5%，闪络时电压的纹波系数小于3%，满足直流污秽试验对电源的要求[12]。试验原理接线参见文献[13]。试验电压从装设在人工气候室一侧的330kV穿墙瓷套管引入。闪络电压采用精度为2%的直流电阻分压器测量。 1.3 试品

试品为FXBW-500/160(A(褐色)、B(褐色)、C(褐色)、D(红色)4种结构各1支试品)和FXBZ-±800/400直流复合绝缘子短样E(3支试品)，其基本技术参数及结构如表1所示，其中：D1为大伞径、D2为小伞径、h为电弧距离、L为爬距、d为杆径、S为爬高比。 1.4 试验方法

参照相关试验标准[14-16]，本文试验方法如下： （1）试品预处理：试验前用自来水清洗、除

去污秽物，并让其自然阴干待试。染污前用干燥棉团在复合绝缘子表面均匀涂敷一层干燥硅藻土，再用洗耳球吹掉表面多余硅藻土，使绝缘子表面附着一层很薄的亲水性物质，破坏表面的憎水性，使其憎水性处于HC4~HC5级(因硅藻土极薄，可忽略对灰密的影响)。

（2）试品染污：预处理过的试品采用固体涂层法染污(定量涂刷方式)。用NaCl模拟导电物质，用硅藻土模拟不溶性物质。根据试品表面积和所试验的盐密/灰密，计算并称量出所需NaCl和硅藻土的量(称量时，NaCl误差≤±1%，硅藻土的误差≤±10%)，放入洁净瓷碗中并加入适量电导率<10 µS/cm的去离子水，充分搅拌成糊状，再用小排刷将全部污秽物均匀涂刷于试品绝缘子绝缘表面，刷涂过程在1h内完成，然后让其自然阴干24h后进行试验，使其憎水性得到一定恢复和迁移，这与染污1h进行试验有较大差异。

（3）试品布置：试品绝缘子垂直悬挂于人工气候室顶部的电动葫芦上，试验时绝缘子两端布置均压环，试品与接地体的最小间距>3.5m，满足“>0.5m/100kV”的要求[17]。

（4）试品湿润：试品湿润采用蒸汽雾。蒸汽雾由1.5t/h锅炉产生，由贴近人工气候室底部周围布置的多个放气孔使雾气分布均匀，放气孔雾气出口方向与试品绝缘子串轴心线成90°夹角，距离>3.5m，蒸汽雾输入速率为(0.05±0.01)kg/(h.m3)，7~15min，可使试品表面污秽充分湿润。湿润开始

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前试品与环境的温差<±2K；试验过程中雾室温度控制在<35℃。

（5）加压方式：本文直流试验电压为负极性，试验采用均匀升压法。待试品绝缘子表面污秽层充分湿润后，即伞裙边缘形成水滴时，即采用均匀升压法对试品绝缘子进行闪络试验。

（6）海拔高度的模拟：本文采用改变气压的方式模拟海拔高度。由文献[11,18-20]可得P与海拔高度(H)的关系为

H=45.1×[1 (P/P0)

0.1866

之间相差一个标准偏差σ。

2.2 试品绝缘子污闪电压的基本特性

由表2可知，试品污闪电压Uf具有以下特征：

表2 各种试品的闪络电压试验结果Uf/kV

Tab. 2 Flashover voltages of the tested insulators sample

试品 ESDD/(mg/cm)

0.03 0.05 0.08 0.15 ESDD/(mg/cm)

0.03 0.05 0.08 0.15

22

A B C P=98.7kPa

D E

Uf/kV σ/% Uf/kV σ/% Uf/kV σ/% Uf/kV σ/% Uf/kV σ/% 305.0 3.2 299.5 4.4 301.2 2.7 319.8 5.9 471.7 5.1 263.8 3.3 256.3 6.2 263.4 6.3 278.3 7.1 408.6 4.4 229.7 7.1 225.0 3.9 232.8 5.1 245.8 6.6 357.9 4.9 191.0 6.3 183.6 4.7 196.0 4.3 206.3 6.5 300.0 6.4

P=76.4kPa

249.3 4.9 243.5 6.7 245.2 5.2 268.5 6.3 385.8 3.1 216.2 6.1 211.0 3.4 215.8 4.6 235.9 5.7 337.4 4.8 189.4 5.7 186.1 4.6 193.1 3.3 210.0 5.5 298.3 7.1 161.1 7.2 156.6 3.8 165.3 5.5 178.4 7.3 252.9 6.8

] (1)

由式(1)可计算不同海拔高度对应的气压。本文模拟的H为232m和2500m，对应的P为98.6kPa和74.6kPa。

（7）高海拔低气压下的污闪试验：在人工气候室内模拟高海拔低气压下的污闪试验采用如下方法：

试品准备好后，先将人工气候室内的气压抽至比预定海拔高度下的气压低5~7kPa，然后打开蒸汽雾阀门，多次试验的经验表明，在锅炉蒸汽压为5Mpa时，阀门打开1/3，湿润7min，即可使污层充分湿润，当污秽充分湿润且气压到达预定海拔高度的气压时即进行闪络试验。

2 试验结果及分析

2.1 试验结果

本文对试品A、B、C、D和E的污闪特性进行了试验研究，试验时盐密(ESDD)/灰密(NSDD)分别取0.03/0.18、0.05/0.30、0.08/0.48、0.15/0.90mg/cm2，盐密与灰密之比为1:6。

每一污秽度下试品A、B、C和D各染污5次，试品每次染污均闪络5~7次，取与平均值误差低于10%的较低的3~4次闪络电压，共计取19次有效闪络电压的平均值为该试品在该污秽度下闪络电压Uf，并由19次试验结果计算标准偏差(σ%)。

试品E有3支试品，每一污秽度下每支试品染污3次，试品每次染污均闪络4~5次，取与平均值误差低于10%的较低的3次试验结果，取3支试品共计27次的闪络电压的平均值作为试品E在某一污秽度下的闪络电压Uf，并由27次试验结果计算标准偏差(σ%)。

本文按照上述方法得到试品A、B、C、D和E的闪络电压Uf(kV)及其标准偏差σ(%)如表2所示。对所进行的大量试验结果分析表明，升压法得到的Uf与耐受法得到的50%耐受电压或50%闪络电压

（1）试验结果的最大标准偏差σ为7.3%，最小为2.7%，全部试验结果的标准偏差均σ<7.5%。虽然试验数据较多，但仍具有一定的分散性。造成这种分散性的原因有：一是污秽刷涂过程很难控制一致，二是对试品绝缘子表面憎水性破坏的程度难以达到一致，三是湿润过程也可能存在分散性。

（2）A与D型具有相同的伞形结构，但配色方案不同。D的电弧距离和爬电距离分别是A的1.057、1.053倍。D的Uf是A的1.055倍，即其Uf与电弧距离基本呈线性关系。 2.3 Uf与ESDD的关系

由表2可得试品A、B、C、D和E在不同气压下的污闪电压Uf与ESDD的关系如图1所示。

根据文献[19-20]，并对试验结果进行分析表明，Uf与ESDD的关系为

Uf=A×(ESDD) a (2)

式中：A是由绝缘子结构决定的常数；a为污秽对Uf影响的特征指数。A、a由试验结果分析求得，将图1试验结果按式(2)进行拟合可得不同气压P下各试品的A、a值如表3所示。

表3 不同P下各试品的A、a值 Tab. 3 The values of A and a

P/kPa

试品

A

A B C D E

110.0 104.0 118.4 123.4 175.9

98.6

a 0.29 0.30 0.27 0.27 0.28

A 95.8 93.2 104.0 110.4 153.7

74.6

a 0.27 0.27 0.24 0.25 0.26

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第10期

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ESDD/(mg/cm2) (a)试品A

0.27，其值比文献[21]的0.20高。复合绝缘子的污秽影响特征指数小于瓷绝缘子的0.30~0.41[22]。

（4）试品A、D虽然结构一致，但配色方案不同，因此其a有差异，a与材质有关。 2.4 试品绝缘子的污闪梯度

设沿绝缘子表面爬电距离的闪络梯度为EL=Uf/L，沿电弧距离的闪络梯度为Eh=Uf/h，由表2则得试品A、B、C、D和E的EL和Eh如表4、5所示。

表4 P=98.6kPa时试品的EL和Eh

Tab. 4 The values of EL and Eh for P=98.6kPa

ESDD/

E/ (kV/cm) EL Eh EL Eh EL Eh EL Eh

A 0.41 1.39 0.36 1.20 0.31 1.05 0.26 0.87

B 0.39 1.31 0.34 1.12 0.30 0.98 0.24 0.80

试品 C 0.41 1.32 0.36 1.15 0.32 1.02 0.27 0.86

D 0.41 1.38 0.36 1.20 0.32 1.06 0.26 0.89

E 0.36 1.31 0.31 1.14 0.27 0.99 0.23 0.83

(mg/cm) 0.03

2

Uf/kV Uf/kV

0.0

0.1

ESDD/(mg/cm2) (b)试品B

0.2

0.05 0.08 0.15

Uf/kV

ESDD/(mg/cm2) (c)试品C

表5 P=74.6kPa时试品的EL和Eh

Tab. 5 The values of ELand Eh for P=74.6kPa

ESDD/ (mg/cm2) 0.03 0.05 0.08 0.15

E/ (kV/cm) EL Eh EL Eh EL Eh EL Eh

A 0.34 1.14 0.29 0.98 0.26 0.86 0.22 0.73

B 0.32 1.06 0.28 0.92 0.25 0.81 0.21 0.68

试品 C 0.33 1.07 0.29 0.94 0.26 0.84 0.22 0.72

D 0.34 1.16 0.30 1.02 0.27 0.91 0.23 0.77

E 0.29 1.07 0.26 0.94 0.23 0.83 0.19 0.70

Uf/kV

0.00

0.08

2

ESDD/(mg/cm) (d)试品D

0.16

Uf/kV (e)试品E

ESDD/(mg/cm)

2

图1 污闪电压与盐密的关系

Fig. 1 The relationship between Uf and ESDD

由图1及表3可知：

（1）不同气压P下，复合绝缘子短样的Uf均随着ESDD的增加而降低，且满足幂函数规律。

（2）随着H升高、P降低，a减小，即P越低，Uf受ESDD的影响减小。

（3）a与绝缘子伞裙结构、气压等有关。P=98.6kPa时，a=0.27~0.30；P=76.4kPa时，a=0.24~

由表1、5、6可知：

（1）Uf与电弧距离h基本成正比。

（2）不同ESDD和P下，伞形结构和L均对试品的Uf有影响，且其EL和Eh均不同。

（3）Eh与爬高比S有关，如ESDD为0.03 mg/cm2时，试品E、A的Eh分别为1.31、1.38，但不是L越大越好，E的S比A高，但Eh则低于A。但对于试品B、C、D而言，随着S的增加，则Eh增加，且试品D的S为3.357，其Eh为1.38，可以推测，在此污秽下，最佳的S在3.35~3.6之间。

（4）试品E的S最低，即试品E的爬电距离没有得到充分利用，试品D具有较好的爬距利用系数。 2.5 Uf与海拔高度关系

由文献[23-25]以及对试验结果的分析可知，低气压下污秽绝缘子的污闪电压Uf与P的关系为：

±800kV直流复合绝缘子短样人工污秽闪络特性研究

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Uf=U0(P/P0)n (3)

式中：Uf(或U0)和P(P0)分别表示H(或零海拔)时绝缘子污闪电压和气压；n为P对Uf影响程度的特征指数，其值在0~1之间，n值越大，P对Uf影响越严重。

由表2试验结果和式(3)可得不同ESDD下各种试品的U0、n值如表6所示。

表6 不同污秽程度下的U0、n值

Tab. 6 The values of U0 and n for various ESDD

ESDD/

2

D型配方较适应高海拔地区。

（3）n与污秽有关，污秽轻，n大，污秽重，n小。如试品E在ESDD为0.03mg/cm2时，n为0.72，ESDD为0.15mg/cm2时，n为0.61，n随盐密变化的趋势与文献[18-20]中交流情况一致，但其值高于瓷绝缘子。

3 结论

（1）盐密为0.03~0.15 mg/cm2时，直流复合绝缘子的污闪电压与h基本呈线性关系。

（2）直流复合绝缘子短样的a与伞裙结构以及材质有关，其a值为0.25~0.3，小于瓷绝缘子，即直流复合绝缘子的污闪电压受污秽程度的影响较小，在污秽严重地区，复合绝缘子具有优势。

（3）n与绝缘子材质、结构、污秽程度等有关，对于直流复合绝缘子，n值约为0.5~0.8，大于瓷绝缘子的n。在高海拔地区，复合绝缘子不具有优势。

（4）±800kV特高压直流输电线路在轻污秽、海拔1000m及以下地区的基本电弧距离应不小于8.16m，爬电距离应不小于30.2m。

A

n

B U0/kV

n

C U0/kV

n

D U0/kV

n

E U0/kV

n

(mg/cm) U0/kV 0.03 0.05 0.08 0.15

310.8 0.72 305.4 0.74 307.1 0.73 325.1 0.62 480.7 0.72 268.8 0.71 261.1 0.70 268.3 0.71 282.7 0.59 416.0 0.68 233.9 0.69 229.1 0.68 236.9 0.67 245.9 0.56 364.0 0.65 194.0 0.61 186.4 0.57 199.2 0.61 209.1 0.52 304.8 0.61

由表2、6可知：

（1）海拔升高，气压降低，各种试品的Uf均降低。对于试品E，在盐密为0.08mg/cm2，海拔从232m升高到2500m，P从98.6kPa降低至74.6kPa时，Uf降低了16.7%，即海拔每升高1km，Uf约降低7.2%。H为232m时，试品E的EL、Eh为99.4、27.3kV/m，而H为2500m时，EL、Eh为82.9、22.8kV/m。折算到海拔1000m，在ESDD为0.05mg/cm2的基本盐密下，试品E的污闪梯度EL、Eh分别为0.29、1.08kV/cm。如取标准偏差σ为7%，如前所述CFO=Uf(1 σ)，则试品E的EL(CFO)、Eh(CFO)约为27.0、100 kV/m，与美国EPRI的试验结果(CFO=104.0kV/m)[26]基本一致(V型乙丙橡胶合成绝缘子，大小伞结构，h=3400mm，L=12590mm，L/h=3.70，D1/D2=193/123mm，d=44mm，N1/N2= 48/43)。如果取最高电压为额定电压的UN的1.02倍，则可得±800kV特高压直流线路在海拔1000m及以下、盐密/灰密为0.05/0.30mg/cm2条件下，复合绝缘子的基本电弧距离为(污秽不均匀修正系数K取1.266)：

1.02UN

h==8.16(m) (4)

K(1 3σ)Eh(CFO)同理可得基本爬电距离L为30.2m。

（2）n与伞形结构和材料配方有关，如ESDD为0.05mg/cm2时，A、B、C、D和E的n分别为0.71、0.70、0.71、0.59和0.68。A与D具有相同的伞裙结构但配方有差异，因此其n值差异较大。A、B、C的伞裙结构有一定的差异，其n值虽有差异但不明显。从结构上看，E受气压的影响最小，从材料配方看，D受气压的影响最小。E型结构和

参考文献

[1] Naito K，Schneider H M．Round-robin artificial contamination test on

high voltage DC insulators[J]．IEEE Transactions on Power Delivery，1995，10(3)：1438-1442．

[2] Li Qingsheng，Wang Lai，Su Zhiyi，et al．Natural contamination test

results of various insulators under DC voltage in an inland area in China[C]．Proceeding of the 3rd International Conference on Properties and Application of Dielectric Materials，Tokyo，Japan，1991：350-353．

[3] Takasu K，Shindo T，Arai N．Natural contamination test of insulators

with DC voltage energization at inland areas[J]．IEEE Transaction on Power Delivery，1988，3(4)：1847-1853．

[4] Lampe W，Höglund T，Nellis C，et al．Long-term tests of HVDC

insulators under natural pollution conditions at the Big Eddy Test Center[J]．IEEE Transaction on Power Delivery，1989，4(1)：248-258． [5] Fazelian M，Wu C Y，Cheng T C，et al．A study on the profile of

HVDC insulators-DC flashover performance[J]．IEEE Transactions on Electrical Insulation，1989，24(1)：110-125．

[6] 宿志一．±500kV葛南直流输电设备外绝缘运行概况分析[J]．电网

技术，2001，25(1)：57-60．

Su Zhiyi．Operation and analysis of external insulation of ±500kV GE-NAN transmission equipments[J]．Power System Technology，2001，25(1)：57-60(in Chinese)．

[7] 汤存燕，梁曦东．国外直流合成绝缘子运行及自然污秽试验[J]．电

网技术，1999，23(9)：50 -53，59．

Tang Cunyan，Liang Xidong．A brief introduction to service performance and natural contamination test on abroad DC polymeric insulators[J]．Power System Technology，1999，23(9)：50 -53，59(in Chinese)．

±800kV直流复合绝缘子短样人工污秽闪络特性研究

第10期 李立浧等： ±800kV直流复合绝缘子短样人工污秽闪络特性研究 19

[8] 张开贤．悬式绝缘子串自然积污规律探讨[J]．电网技术，1997，

21(3)：39-43．

Zhang Kaixian．Rule of distribution of natural pollution on suspension insulator string[J]．Power System Technology，1997，21(3)：39-43(in Chinese)．

[9] Lampe W，Eriksson K A，Peixoto C A O．Operating experience of

HVDC stations with regard to nature pollution[C]．CIGRE Paper 33-01，Paris，France，1984．

[10] Fazelian M，Wu C Y，Cheng T C，et al．A study on the profile of

HVDC insulators-DC flashover performance[J]．IEEE Transactions on Electrical Insulation，1989，24(1)：110-125．

[11] 蒋兴良，张志劲，胡建林．高海拔下不同伞形结构750kV合成绝

缘子短样交流污秽闪络特性及其比较[J]．中国电机工程学报，2005，25(12)：159-164．

Jiang Xingliang，Zhang Zhijin，Hu Jianlin．AC pollution flashover performance and comparison of short samples of 750kV composite insulators with different configuration in high altitude area [J]．Proceedings of the CSEE，2005，25(12)：159-164(in Chinese)． [12] Rizk F A M．HVDC source requirements in polluted insulator test

[J]．Electra，1991，136：96-111．

[13] 孙才新，舒立春，蒋兴良，等．高海拔污秽覆冰环境下超高压线

路绝缘子交直流放电特性及闪络电压校正研究[J]．中国电机工程学报，2002，22(11)：115-120．

Sun Caixin，Shu Lichun，Jiang Xingliang，et al．AC/DC flashover performance and its voltage correction of UHV insulators in high altitude and icing and pollution environments[J]．Proceedings of the CSEE，2002，22(11)：115-120(in Chinese)．

[14] DL/T 859 高压交流系统用复合绝缘子人工污秽试验[S]．2004．

DL/T 859 Artificial pollution tests on composite insulators used on High-voltage AC systems[S]．2004．

[15] IEC 61245．Artificial pollution tests on high-voltage insulators to be

used on d.c. system[S]．1993．

[16] CIGRE WG’S-33.04．Artificial pollution testing of HVDC insulators：

analysis of factors influencing performance[J]．Electra，1992，140：98-113．

[17] Vlastós A E，Feiju Y．Clean fog rapid procedure test of artificially and

naturally polluted HVDC porcelain barrel insulator[J]．IEEE Transaction on Power Delivery，1991，6(4)：1791-1797． [18] 司马文霞，蒋兴良，武利会，等．低气压下覆冰染污10kV合成绝

缘子直流电气特性[J]．中国电机工程学报，2004，24(7)：122-126． Sima Wenxia，Jiang Xingliang，Wu Lihui，et al．DC electrical performance of icing and polluted 10kV omposite insulator at low atmospheric pressure[J]．Proceedings of the CSEE，2004，24(7)：122-126(in Chinese)．

[19] 蒋兴良，谢述教，舒立春，等．低气压下三种直流绝缘子覆冰闪

络特性及其比较[J]．中国电机工程学报，2004，24(9)：158-162． Jiang Xingliang，Xie Shujiao，Shu Lichun，et al．Ice flashover performance and comparison on three types of DC insulators at low atmospheric pressure[J]．Proceedings of the CSEE，2004，24(9)：158-162(in Chinese)．

[20] 舒立春，蒋兴良，田玉春，等．海拔4000m以上地区4种合成绝

缘子覆冰交流闪络特性及电压校正[J]．中国电机工程学报，2004，24(1)：97-101．

Shu Lichun，Jiang Xingliang，Tian Yuchun，et al ．AC flashover performance and voltage correction of four types of iced composite insulator at altitude 4000m above[J]．Proceedings of the CSEE，2004，24(1)：97-101(in Chinese)．

[21] Ramos N G，Campillo R M T，Naito K．A study on characteristic of

various conductive contaminations accumulated on high voltage insulator[J]．IEEE Transaction on Power Delivery，1993，8(4)：1842-1850．

[22] Matssuoka R，Shinokubo H，Kondo K，et al．Assessment of basic

contamination withstand voltage characteristics of polymer insulators [J]．IEEE Transaction on Power Delivery，1996，11(4)：1895-1900． [23] Rudakova V M，Tikhodeev N N．Influence of low air pressure on

flashover voltage of polluted insulators：test data，generalization attempts and recommendations[J]．IEEE Transaction on Power Delivery，1989，4(1)：607-613．

[24] Mercure H P．Insulator pollution performance at high altitude：major

trends[J]．IEEE Transaction on Power Delivery，1989，4(2)：1461-1468．

[25] 关志成，张仁豫，黄超峰．低气压条件下绝缘子污闪特性研究[J]．清

华大学学报(自然科学版)，1995，35(1)：17-24．

Guan Zhicheng，Zhang Renyu，Huang Chaofeng．Study on the pollution flashover performance of insulators under the low pressure condition[J]．Journal of Tsinghua Universtiy(Sci & Tech)，1995，35(1)：17-24(in Chinese)．

[26] Nigbor R J．DC Performance of non-uniformly contaminated

insulators[R]．CIGRE 33-83，WG-04，09IWD，1983． 收稿日期：2006-10-24。 作者简介：

李立浧(1943—)，男，大学本科，教授级高级工程师，博士生导师，从事电力工程技术研究；

蒋兴良(1961—)，男，博士，教授，博士生导师，从事高电压外绝缘技术与输电线路覆冰及防护研究工作，xljiang@；

孙才新(1944—)，男，大学本科，教授，博士生导师，中国工程院院士，从事高电压技术研究工作。

(责任编辑 韩 蕾)

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/f3vj.html