基于Cadence平台三输入或非门的设计
更新时间:2023-12-08 04:01:01 阅读量: 教育文库 文档下载
BY:浪底飞沙 QQ:970097556 2011.01.10
基于Cadence平台三输入或非门的设计
设计目的:
1、熟悉candence软件,并掌握其各种工具的使用方法。
2、用cadence设计一个三输入或非门,并画出仿真电路、版图、并验证其特性。
一、设计背景
1.cadence简介:
Cadence公司的电子设计自动化(Electronic Design Automation)产品涵盖了电子设计的整个流程,包括系统级设计,功能验证,IC综合及布局布线,模拟、混合信号及射频IC设计,全定制 集成电路设计,IC物理验证,PCB设计和硬件仿真建模等。本次设计是基于cadence工具的三输入或非门的电路和版图设计。
2.三输入或非门:
a.逻辑表达式:
b.逻辑符号:
Y?A?B?C
c.真值表:
A 0 1 0 0 1 1 1 0 B 0 0 1 0 1 0 1 1 C 0 0 0 1 0 1 1 1 Y 1 0 0 0 0 0 0 0 - 1 - 情缘阁:http://970097556.qzone.qq.com
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二、三输入或非门电路设计和逻辑仿真
进入红帽4系统,打开终端输入cd Artist446进入Artist446目录,输入icms &命令运行Cadence软件。
在打开的CIW的窗口选择tools → Library Manager建立一个新的库文件myLib,在创建一个新的cellview
元件表格: Library Name analogLib analogLib analogLib analogLib analogLib analogLib analogLib analogLib analogLib analogLib
Cell Name Properties/Comments pmos4 nmos4 vpulse vpulse vpulse vdc res cap gnd vdd For Mo,M1,M2:ModelName=trpmos, l=6u,w=12u For M3,M4,M5:ModelName=trpmos,l=2u,w=6u For V0:pulse width=4u,period=8u For V1:pulse width=2u,period=4u For V2:pulse width=1u,period=2u。 For V3:voltage=5V For Ro:Resistance=1k For C0:Capcitance=1p 1、在schematic窗口中选择Tools → Analog Evironment,打开模拟窗口
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1、 setup → simulator /directory/host…,在弹出窗口中确认simulator项是spectre.单击ok。
2、 setup → Model Library setup,做如下输入,然后add。
3、 选择Analyses → Choose,在坦诚的窗口中吧stop time设为50u 4、 选择outputs → save all.
5、 选择outputs → to be plotted → select on schematic,然后在schematic窗口中依次选择A、B、C、Y为输入和输出,选择之后按ESC。 6、 选择完毕后窗口如下图所示
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7、选择Simulation → Netlist → Create 8、选择Simulation → Run
三、版图设计:
登录Linux系统,启动终端,cd Layout进入版图目录,然后以layoutPlus &运行版图设计软件,进行版图设计。
一、nmos版图设计
设计规则(允许的最小尺寸)
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1. ndiff overlap of contact 0.9u 2. contact minimum width 0.6u 3. contact spacing 0.6u
4. contact to gate spacing 0.6u 5. poly extension 0.6u
6. metal overlap of contact 0.4u
[1]、在CIW窗口中,选择File → Open (若无nmos Cell, 则建立 New),打开nmos版图设计窗口,参数如下:
Library Name design Cell Name nmos View Name layout OK
[2]、画poly:在LSW窗口中选择poly dg为当前层,Create → Path 画出nmos的门极,按回车或双击鼠标完成绘制。 [3]、画ndiff:在LSW中选择ndiff dg为当前层,Create → Rectangle 画一矩形。Edit → Move 移动ndiff层,把它放在合适的位置。 [4]、画nmos器件源、漏极的外连接contact:
metal1 dg为当前层,在源、漏极画尺寸为1.4um*2.6um的矩形;
contact dg为当前层,在源、漏极各画两个尺寸为0.6um*0.6um的contact。 [5]、选择Window → Create Ruler,并配合Stretch命令调整版图。 [6]、Save存盘,关闭nmos版图窗口。
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