电子技术I-作业题

东北农业大学网络教育学院 电子技术专科网上作业题

半导体器件

一、 判断题

1．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。( )

2．晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。( )

3．P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。( )

4．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。( )

5．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。( )

6．当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。( )

7．发射结处于正向偏置的晶体管，则其一定是工作在放大状态。( ) 8．一般情况下，晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小。 ( ) 9．常温下，硅晶体管的UBE＝0．7V，且随温度升高UBE增加。( )

10．二极管正向动态电阻的大小，随流过二极管电流的变化而变化，是不固定的。（ ）

11．用万用表识别二极管的极性时，若测的是二极管的正向电阻，那么和标有“十”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。( )

12．N型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。( )

13．在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。( )

14．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。( )

15．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。( )

16．当外加电压为零时，PN结的结电容最小。( )

17．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。( )

18．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且UCE小于BUCEO时，晶体管就能安全工作。( ) 19．晶体管的电流放大系数β值越大，说明该管的电流控制能力越强。所以晶体管的β值越大越好。( )

20．场效应管和晶体管一样，均为电流控制元件。( )

21．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。( )

22．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。( ) 23．基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。( )

24．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，则β增大。( ) 25．稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。（ ）

26．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关，IB愈小，输入电阻愈小。( )

27．晶体管的集电极—发射极击穿电压BUCEO的值同工作温度有关，温度越高，BUCEO越大。( ) 28．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关，温度升高，RBE、rbe都减小。( )

二、 选择题

1．如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管( )。 A．正常 B．已被击穿 C．内部断路

2．当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于( )。 A．饱和状态 B．放大状态 C.截止状态

3．当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于( )。 A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态

4．NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc＝9V，UB＝0．7V，UE＝0V，则该晶体管的工作状态是( )

A．饱和 B．正常放大 C．截止

5．当环境温度升高时，二极管的反向电流将( )。 A．增大 B．减小 C．不变

6．在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( )。 A．大电阻 B．接通的开关 C．断开的开关

7．用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各电极对地电位是：UB＝4．7V，UC＝4．3V，UE

＝4V，则该晶体管的工作状态是( )。

A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态 8．点接触型二极管比较适用于( )

A．大功率整流 B．小信号检波 C．大电流开关

9．用万用表欧姆挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R xl k挡 B．R×1Ω挡 C．R×10kΩ挡

10．如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为( )半导体。 A．N型 B．P型 C．本征 11．N型半导体( )，P型半导体( )。

A．带正电 B．带负电 C．呈中性 12．对PN结加反偏电压时，参与导电的是( )。

A．多数载流子 B．少数载流子 C．既有多数载流子，也有少数载流子 13．当晶体管饱和时会发生( )。

A．IC随IB 变 B．IC不随IB变 C．IC 随Ube变 D．Ic随β变

14．两个稳压值分别是8V、7.5V的稳压管用不同的方式串联起来，最多可得到的稳压值是( )。 A．二种 B．三种 C．四种 D．五种

15．场效应管G—S之间的电阻比晶体管B—E之间的电阻( )。 A．大 B．小 C．差不多

16．场效应管是通过改变( )来控制漏极电流的。

A．栅极电流 B．栅源电压 C．源极电压 D．源极电流

17．下列半导体材料中热敏性突出（导电性受温度影响最大）的材料是( )。 A．本征半导体 B．N型半导体 C．P型半导体 18．在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于( )。 A．温度 B．杂质浓度 C．原本征半导体的纯度

19．P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为( )。 A．正电 B．负电 C．电中性

20．PN结加上反向电压时，其PN结的宽度(或空间电荷区)会( )。 A．变窄 B．变宽 C．不变

21．使晶体管具有放大作用的外部条件是( )。

A．发射结正偏 B．发射结反偏 C．集电结正偏 D．集电结反偏 22．使用晶体管时，下列哪些额定值不能超过?( )

A．电流放大系数β B．反向饱和电流ICBO C．反向击穿电压B UCEO D．耗散功率PCM

三、 填空题

1．半导体按导电类型分为（ ）型半导体与（ ）半导体。

2．N型半导体主要靠（ ）来导电， P型半导体主要靠（ ） 来导电。

3．二极管按所用材料可分为 （ ） 和（ ）两类，按PN结的结构特点可分为 （ ） 型和（ ）型两种。

4．PN结的正向接法是P型区接电源的（）极，N型区接电源的（ ）极。 5．P型半导体中的多数载流子是（ ），少数载流子是（ ） 。 6．N型半导体中的多数载流子是 （ ） ，少数载流子是（ ）。

7．晶体管的三个电极分别称为 （ ） 极、（ ） 极和（ ）极，它们分别用字母（ ）、（ ）和（ ）来表示。

8．由晶体管的输出特性可知，它可分为 （ ）区、（ ）区和 （ ）区三个区域。

9．晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做 （ ） ，另一个叫做（ ）。 10．晶体管具有电流放大作用的内部条件是：（ ）区的多数载流子浓度高；（ ） 结的面积大；（ ）区尽可能地薄；（ ） 结正向偏置；（ ）结反向偏置。

11．晶体管具有电流放大作用的外部条件是：（ ）结正向偏置；（ ） 结反向偏置。

12．晶体管的电流放大作用，是通过改变（ ）电流来控制（ ）电流的，其实质是以（ ）电流控制 （ ） 电流。

13．硅晶体管的饱和电压降为（ ），锗晶体管的饱和电压降为（ ）。

14．硅晶体管发射结的导通电压约为（ ），锗晶体管发射结的导通电压约为 （ ） 。

15．当晶体管处于饱和状态时，它的发射结必定加（ ）电压，集电结必定加（ ）电压或（ ）电压。

16．当晶体管的UCE一定时，基极与发射极间的电压UBE与基极电流IB之间的关系曲线称为 （ ）曲线；当基极电流IB一定时，集电极与发射极间的电压UCE与集电极电流IC的关系曲线称为 （ ）曲线。

17．晶体管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管 （ ），所以硅晶体管的（ ）比锗晶体管好。

18．晶体管被当作放大元件使用时，要求其工作在（ ）状态，而被当作开关元件使用时，要求其工作在（ ）状态和（ ）状态。

19．PN结中的内电场会阻止多数载流子的（ ）运动。促使少数载流子的 （ ） 运动。 20．NPN型晶体管的发射区是 （ ）型半导体，集电区是（ ）型半导体，基区是 （ ）型半导体。

21．有一个晶体管继电器电路，其晶体管集电极与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。若晶体管的电流放大系数β＝50，要使继电器开始动作，晶体管的基极电流至少应为（ ）。 22．点接触型二极管因其结电容 （ ），可用于（ ）和（ ）的场合；面接触型二极管因其接触面积大，可用于（ ）的场合。

23．晶体管的输入特性曲线和二极管的（ ）关系特性相似，晶体管的输入特性的重要参数是交流输入电阻，它是（ ）和（ ）的比值。

24．晶体管的输出特性是指（ ）为常数时，（ ）与（ ）之间的函数关系。

25．二极管的直流电阻(即静态电阻)定义表达式为（ ），如果工作点上移，直流电阻值将（ ）。 26．二极管的结电容包含两部分：（ ）电容和（ ）电容，一般（ ）电容占主要地位。 27．晶体管的穿透电流ICEO是在基极开路时，由（ ）流向（ ）的电流。它是由—（ ）产生的，随温度的增高（ ）。

28． 晶体管的集电极发射极击穿电压BUCEO是指基极开路时（ ）的（ ）允许电压值，BUCEO随温度的增高（ ）。

29．半导体中的总电流是（ ）与（ ）的代数和。 30．在半导体中，自由电子带 （ ）电，空穴带 （ ）电。

31．理想二极管正向导通时，其压降为（ ）V；反向截止时，其电流为（ ）μA。 32．使晶体管处于放大状态的偏置状况是：（ ）结正偏，（ ）结反偏。 33．场效应管分（ ）和（ ）两大类。

34．场效应管的三个管脚分别称为（ ）、（ ）和（ ）。它的输入电阻（ ），这是晶体管与之无法比拟的特点。

35．场效应管中参与导电的载流子，只能是电子或空穴中的一种，NMOS管的载流子是（ ），PMOS管的载流子是（ ）。

四、 计算题

1．如图所示，设二极管的正向电压降为0．5V，求UA分别为十5V、—5V、0V时，UB的值。

2．某二极管的正向电压为1V时电流为40mA，这时二极管的直流内阻是多少?若又知道正向电压的变化为0．8V时的电流变化为20mA，则二极管的交流内阻是多少?

3．在如图所示电路中，当UA＝十10V、UB＝0V时，试求输出端电压UF及各元件中通过的电流。(设二极管的正向电阻为零，反向电阻无穷大)

4．在如图所示电路中，V1、V2、V3均为理想二极管。A、B两端的等效电阻及RAB应为多少?

5．某人测量一只3DG6型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，试判别晶体管分别工作在什么状态?

(1) UBE＝0.7V，UBC＝0.4V，UCE＝0.3V； (2) UBE＝0.7V，UBC＝-6V，UCE＝6.7V； (3) UBE＝0V，UBC＝-12V，UCE＝12V。

6．在如图所示电路中，已知VA＝2.3V，V1、V2为硅管，其管压降为0.7V，试估计VB等于几伏?UAB等于几伏?

五、 作图题

1．如图所示电路中，已知ui为幅值8V的正弦波，画出uo波形，其中二极管设为理想二极管。

2．如图所示电路中，已知ui为幅值8V的正弦波，画出uo波形，其中二极管设为理想二极管。

3．如图所示电路中，当输入端加上幅值为6V的三角波时，试绘出输出电压的波形。

4．如图为限幅电路，在其输入端加上幅值为10V的矩形波，试绘出输出端的波形。

5．试画出PN结两侧带电薄层的极性。

6．试画出NPN型和PNP型晶体管的图形符号，并标明电流方向。

单级交流放大电路

一、判断题

（1）可以说任何放大电路都有功率放大作用。（ ） （2）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。（ ） （3）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ ）

（4）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（ ） （5）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ）

二、分析与计算

1.未画完的场效应管放大电路如图所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。

2.按要求填写下表。

电路名称 连接方式（e、c、b） 公共极 输入极 输出极 共射电路 共集电路 共基电路

3. 电路如图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。

性能比较（大、中、小） ?Au ? Ai R i R o 其它

4.电路如图所示，晶体管的?＝80，Ro。

rbb'?A=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、u、Ri 和

5. 已知所示电路中晶体管的? ＝100，rbe=1kΩ。

（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；

（2）若测得Ui和

??Uo的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻R为多少千欧？ L

6. 在所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝∞

和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？

7. 电路如图所示，晶体管的?＝100，

rbb'=100Ω。

?A （1）求电路的Q点、u、R和R；

i

o

（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？

8. 电路如图所示，晶体管的?＝80，rbe=1kΩ。 （1）求出Q点；

?A （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的u和Ri；

（3）求出Ro。

9. 电路如图所示，晶体管的?＝60，

rbb'=100Ω。

（1）求解Q点、

?Au、R和R；

i

o

（2）设

Us＝10mV（有效值）UU，问Ui＝？o＝？若C3开路，则Ui＝？o＝？

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/erh3.html