2N6520三极管参数 TO-92三极管2N6520规格书

长电科技CJ品牌2N6520三极管(晶体管)规格书,TO-92封装直插三极管外形尺寸与型号参数详见规格书。整理发布：长电三极管授牌代理商南京南山半导体有限公司

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

=TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors =

==FEATURES

=

z Complement to 2N6517 =

=

=

= MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) ==

VCBO VCEO VEBO IC PC RθJA Tj Tstg

Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient Junction Temperature Storage Temperature

-350 -350 -5 -0.5 625 200 150 -55~+150

V V V A mW ℃/W ℃ ℃

2N6520 TRANSISTOR (PNP)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current

Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO

*

Test conditions Min Typ Max Unit V V V

IC=- 0.1mA,IE

IC=-1mA,IB IE=-0.01mA,IC

VCB=-250V,IE-0.05μA VEB=-4V,IC-0.05μA

VCE=-10V, ICDC current gain

hFE

VCE=-10V, ICVCE=-10V, ICVCE=-10V, ICVCE=-10V, ICIC=-10mA,IB=-1mA Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

IC=-20mA,IB=-2mA -0.35IC=-30mA,IB=-3mA IC=-50mA,IB=-5mA Base-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Transition frequency

VBE(sat) VBE fT*

IC=-10mA,IB-0.75IC=-20mA,IB-0.85VCE=-10V, IC=-100mA VCE=-20V,IC=-10mA,f=20MHz

40

IC=-30mA,IB

*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%.

A,Dec,2010

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【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

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Sponge strip Sponge strip

2000 pcs

The top gasket

Label on the Inner Box

Inner Box: 333 mm×162mm×43mm

Stamp “EMPTY” Seal the box with the tape

QA Label

Outer Box: 350 mm× 340mm× 250mm

Label on the Outer Box

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Inner Box: 240 mm×165mm×９５mm

Label on the Inner Box

Stamp “EMPTY” on the empty box

Seal the box with the tape

QA Label

Outer Box: 525 mm× 360mm× 262mm

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/ef8e.html