模拟电子技术复习题(含答案)

模 拟 电 子 技 术 复 习 题

一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。）

第二章

（× ）1. 运算电路中一般引入正反馈。

（ √ ）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

第三章

（× ）1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（× ）2. 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（× ）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。

（√ ）4. N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（× ）5. 二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。

（√ ）6. PN 结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。

（ × ）7. 未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。

第四章

（√ ）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（√ ）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。

（× ）3. 晶体管的参数不随温度变化。

（√ ）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。

（ × ）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。

（√ ）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。 （ × ）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（× ）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。

（× ）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。

（× ）10. 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT 特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。 （× ）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。

（ √ ）12. 射极输出器的输入电流是B i ，输出电流是E i ，因此具有较高的电流放大倍数。

第五章

（ × ）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。

（ √ ）2. MOSFET 的输入电阻比BJT 高。

第六章

（√ ）1. 运放的共模抑制比C

V D V CMR A A K =。 （× ）2. 通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。

（× ）3. 某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=1000，共模电压放大倍数Avc=10，则其共模抑制比

K CMR =100dB 。

（ √ ）4. 在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。

（√ ）5. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

第七章

（√ ）1. 负反馈放大电路可能产生自激振荡。

（× ）2.电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

（ × ）3. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（× ）4. 某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。 （ × ）5. 要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。

第八章

（√ ）1. 功率放大电路的转换效率V

O P P =η。 （ × ）2. 在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。

（√ ）3. 通常采用图解法分析功率放大电路。

（√ ）4. 功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。

第九章

（√ ）1. 负反馈放大电路在一定条件下可能转化为正反馈。

（ √ ）2. 欲使振荡电路能自行建立振荡，起振时应满足1AF >的条件。

（√ ）3. RC 正弦波振荡电路产生的信号频率可通过改变RC 串并联网络中电阻R 和电容C 的值来调节。 （× ）4. 正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。

（√ ）5. 在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为?f ，放大电路的相移为?a ，那么只有φa +φf =2nπ，才满足相位平衡条件。

（ √ ）6. 从结构上来看，正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。

第十章

（ √ ）1. 整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。

（√ ）2. 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。

二、填空题

第二章

1. 为使运放电路稳定地工作在线性区，应在电路中引入深度 负 反馈。

2. 工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均约等于零称为虚

断 。 第三章

1. 稳压管稳压时是让其工作在 反向击穿 状态。

2. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V ，-6V ，-6.2V ，则这只三极管是 PNP 型锗管 。 （写出三极管的类型NPN 型还是PNP 型，是硅管还是锗管。）

3. 齐纳二极管是一种特殊二极管，常利用它在 反向击穿 状态下的恒压特性来构成简单的稳压电路。

第四章

4. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数I CBO 将变 大 （大；小）。

5.放大电路的静态分析，要依据 直流 通路图；放大电路的动态分析，要在 交流 通路图的基础上画出 小信号等效电路 图。

6. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级有载电压放大倍数的 积 ，总的输入电阻等于 第一级放大电路的输入电阻 。

7. 单管共集电极放大电路如下图所示，当R b 太小时，将产生 饱和 失真，其输出电压的___顶部___波形会被削掉。

8. 单管共射放大电路中，若输入电压为正弦波，在中频通带内o u 和i u 的相位相 反 （同；反）。

9. 放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受 温度 的影响。

10. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数β将变 大 （大；小）。

11. 放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生 饱和 失真。

12. 晶体管是温度的敏感元件，如果温度升高三极管的输出特性曲线将向__上__（上；下）移动。

13. 放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生 截止 失真。

14. 下图为某放大电路v A 的对数幅频特性图，则该电路的上限截止频率为 810H Z ，下限截止频率为210H Z 。

20lg /v A ?

15. 用示波器观察NPN 管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示，判断该波形属于 截止 失真。

16. 下图是放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它的类型为NPN 型。

题15图 题16图

第五章

1. 下图所示的是某管子的转移特性曲线，则它是 N 沟道耗尽型MOSFET 管。

2．

NMOS 增强型场效应管在放大区的电流控制关系是2D n GS T ()i K v V =-。 第六章

电流源电路的特点是直流电阻小，动态输出电阻 大 。

第七章 1. 为减小放大电路的输出电阻，应引入 并联 负反馈。

2. 为了稳定静态工作点，应引入 直流 负反馈。

3. 在反馈电路中，若∣1+AF ∣>1，则为___

负___反馈；若∣1+AF ∣<1时,则为__正____反馈。

4. 下图所示电路的反馈极性是 正反馈

。

5. 为了稳定放大电路的输出电压，应引入 电压 负反馈；为了增大放大电路的输入电阻，应引入 串联 负反馈。

第八章

1. 双电源互补对称电路工作在乙类时，每只BJT 的最大允许管耗CM P 必须大于 0.2 om P 。

2. 下图功放电路中V CC ＝12V ，R L =6Ω，则最大输出功率P OM ＝ 12 W ，最高转换效率为 78.5% 。

第九章

1. 希望获取频率为100H Z —500H Z 的有用信号，应选用 带通 滤波电路。

2. 正弦波振荡电路主要有RC 和LC 型振荡电路两大类, RC 型振荡电路一般用来产生 低 频信号，LC 型振荡电路一般用来产生 高 频信号。

3. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则其振荡频率o f = 12RC

π 。 4. 正弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、 选频 网络和稳压电路四部分组成。

第十章

在电子系统中，经常需要将交流电网电压转换为稳定的直流电压，为此要用整流、 滤波 和稳压等环节来实现。

三、单项选择题（每题2分,共20分）

第一章

1. 要使电压放大器具有较强的带负载能力，应减小放大器的哪个参数（C ）。

A. V A

B. i R

C. o R

D. L R

第三章

1．N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。

A. 电子

B. 空穴

C. 三价元素

D. 五价元素

2. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。

A. 增大

B. 不变

C. 减小

D. 不能确定

3. 晶体二极管具有（A ）特性。

A. 单向导电

B. 集电极电压饱和

C. 双向导电

D. 集电极电流截止

4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

D. 无法确定

5．二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是（C ）。

A. I S e U

B. S e T U nU I

C. S (e 1)T U n U I －

D. S (e 1)T U nU I +

6. 二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。锗管为（ A ）V 伏。

A. 0.1

B.0.3

C.0.4

D.0.7

7. 稳压管稳压是利用它的 特性，所以必须给稳压管外加 电压。（ C ）

A.单向导电，反向

B.反向击穿，正向

C.反向击穿，反向

D.单向导电，正向

8. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A ）。

A.大

B.小

C.相等

D.无法确定

第四章

1. 在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，在中频通带范围内o V 和i V 的相位（ B ）。

A.同相

B.反相

C.相差90度

D.不确定

2. 晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。

A. 前者反偏、后者也反偏

B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏

D. 前者反偏、后者正偏

3. 一个三极管放大电路，B i =60μA ，C i = 2mA,β值为50，这个三极管工作在（ D ）状态。

A.放大

B. 击穿

C.截止

D. 饱和

4. 电路如图1所示，二极管为理想二极管，对二极管工作状态的判断及输出电压大小的确定均正确的是（ B

）。 A. 二极管D 截止 V 0o1=U B. 二极管D 导通 V 2o1=U

C. 二极管D 导通 V 0o1=U

D. 二极管D 截止 V 2o1=U

图1 图2

5. 已知某MOS 场效应管的转移特性如图2所示，试判断该场效应管的类型为（ B ）。

A. N 沟道增强型MOS 场效应管

B. N 沟道耗尽型MOS 场效应管

C. P 沟道增强型MOS 场效应管

D. P 沟道耗尽型MOS 场效应管

6. 当信号频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）。

A. 0.5倍

B. 0.7倍

C. 0.9倍

D. 1倍

7. 两级放大电路的带负载电压放大倍数分别是V1A =－10，V2A =－20，则此放大电路总的电压放大倍数应是（

C ）。 A. V A = －30 B. V A = －10 C. V A = 200 D. V A = -200

8. BJT 三极管具有光敏性和热敏性的原因是由于（ B ）。

A. 只有一种载流子参与导电

B. 两种载流子参与导电且少子是由本证激发产生的

C. 电子、空穴两种载流子都参与导电

D. 两种载流子参与导电且多子是由本证激发产生的

9. 要使放大器具有较好的频率特性，应选用哪种放大组态（ D ）。

A. 共射极

B. 共源极

C. 共集电极

D. 共基极

10. 对于共集放大电路的特点，其错误的结论是（ B ）。

A. 电压放大倍数小于1且近似等于1

B. 电流放大倍数小于1且近似等于1

C. 输出电阻小，且与信号源内阻有关

D. 输入电阻大，且与负载有关

11. BJT 三极管放大电路的三种组态中，因其输出电阻小而被用于多级放大电路输出级的是（ B ）。

A. 共射极

B. 共集电极

C. 共基极

D. 共源极

12．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ B ）。

A. 耦合电容和旁路电容的存在

B. 半导体管极间电容和分布电容的存在

C. 半导体管的非线性特性

D. 放大电路的静态工作点不合适

14．考虑了带负载增益分别为V120lg 30dB A =，V220lg 30dB A =，V320lg 20dB A =的三级放大电路，则总的电压增益为（ B ）dB 。

A. 1800 dB

B. 80 dB

C. 600 dB

D. 60 dB

15．多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（ A ）。

A. 输入级

B. 中间级

C. 输出级

D. 增益最高的一级

16．某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V ，1.3V, 1V,则这只三极管是（ B ）。

A. NPN 型的硅管

B. NPN 型的锗管

C. PNP 型的硅管

D. PNP 型的锗管

17.下面各电路器件符号，哪个表示的是晶体三极管？（ C ）。

A . B. C. D.

18.工作在放大区的三极管，当B i 从20μA 增大至40μA 时，C i 从1mA 变为2mA ，其β值约为（ B ）。

A . 100 B. 50 C.500 D.1000

19.一个放大器输入端输入有效值为50mV 的正弦交流电，从输出端测量其有效值电压为1V ，则其电压放大倍数为（ D ）。

A . 1000 B.100 C.200 D. 20

20. 一个三极管若放弃集电极不用，那么基极和发射极之间可当作（ B ）器件使用。

A.晶体三极管

B.晶体二极管

C.固定电阻

D.大容量电容

21. 共集电极放大电路的放大倍数 ，而电流放大倍数 。（ C ）

A.≤1,很小

B.≥1,很大

C. ≤1, 很大

D. ≥1,很小

22. 工作在放大区的三极管，已知值β=100,20μA B i =，E i 约为（ B ）mA 。

A.1

B.2

C.3

D.4

23

. 一个单管放大器电源电压6V ，发射结正向偏置后，若Vc 约为0.6V ，Ve 为0.4V,若Vb 为1.1V,则该放大器的三极管可能处于（ B ）状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿 24

. BJT 放大电路中既能放大电压，也能放大电流的是（ A ）组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定

第五章 1. 下述管子中输入电阻最高的管子为（ A ）。

A. MOS 场效应管

B. BJT 三极管

C. 结型场效应管

D. 二级管

2. 已知某MOS 场效应管的转移特性如图3所示，试判断该场效应管的类型为（ A ）。

A. N 沟道增强型MOS 场效应管

B. N 沟道耗尽型MOS 场效应管

C. P 沟道增强型MOS 场效应管

D. P 沟道耗尽型MOS 场效应管

3. 场效应管是一种（ D ）的器件。

A. 电流控制的电流源

B. 电流控制的电压源

C. 电压控制的电压源

D. 电压控制的电流源

4. 结型场效应管利用删源极间所加的（ A ）来改变导电沟道的电阻。

A. 反偏电压

B. 反向电流

C. 正偏电压

D. 正向电流

5. 题13图示电路中，T 1V V =，GSQ 2V V =，2n 0.2mA V K =，则漏极电流DQ I =（ A ）。

A. 0.2mA

B. 0.4mA

C. 0.6mA

D. 0.1mA

6. 设题14图示电路中漏源之间动态电阻ds r =∞，则图示电路中电压增益v A =（ A ）。

A. m d g R -

B. m d g R

C.

m d m d 1g R g R + D. m d m d 1g R g R -+ 7. 题15图示转移特性曲线，则它是（ A ）管。

A. N 沟道耗尽型MOSFET

B. P 沟道耗尽型MOSFET

C. N 沟道耗尽型JFET

D. N 沟道增强型JFET

DD

DD

题13 图 题14 图

题15 图

第六章

1. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A ）。

A. 减小温漂

B. 增大放大倍数

C. 提高输入电阻

D. 减小放大倍数

2. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ D ）。

A. 可抑制温度漂移

B. 可使输入电阻减小

C. 可获得很大的放大倍数

D. 集成工艺难于制造大容量电容

3. 集成运放的中间级采用复合管放大电路是因为可以（ B ）。

A. 减小温漂

B. 提高放大倍数

C. 展宽通频带

D. 提高带载能力

4. 复合管的电流放大倍数约等于两个管子各自电流放大倍数的（ C ）。

A. 和

B. 差

C. 积

D. 商

5. 某一差动放大电路的输入i1i210m ,5mV v V v ==-，则该差放的共模信号c v 和差模信号d v 分别为（ B ）。

A. 2.5mV ，7.5mV

B. 2.5mV ，15mV

C. -7.5mV ，-2.5mV

D. -15mV ，5mV

6.运放的共模电压增益越小，表明运放的（D ）。

A.放大倍数越稳定

B.交流放大倍数越大

C..输入电阻越大 D 抑制共模信号的能力越强

7. 通用型集成运放的输入级多采用（ D ）。

A. 共基接法

B. 共集接法

C. 共射接法

D. 差分接法

8. 差分放大电路中，当i1V =300mV ，i2V =280mV ，VD A =100，VC A =1时，输出电压为（ D ）。

A. 580mV

B. 1.71V

C. 2V

D. 2.29V

第七章

1. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ D ）。

A. 输入信号中的干扰和噪声

B. 输入信号和放大电路中的干扰和噪声

C. 反馈环外引入的干扰和噪声

D. 产生于反馈环内的干扰和噪声

2. 在输入电量不变的情况下，若引入反馈后（ C ），则说明引入的反馈是正反馈。

A. 输入电阻增大

B. 输出量减小

C. 净输入电量增大

D. 净输入电量减小

3. 提高输入电阻，又可稳定输出电流的反馈组态是（ D ）。

A. 电压并联负反馈

B. 电压串联负反馈

C. 电流并联负反馈

D. 电流串联负反馈

4. 放大器引入直流负反馈可以（ D ）。

A. 稳定输出电流

B. 稳定输出电压

C. 稳定电压放大倍数

D. 稳定直流工作点

5. 对题9图示电路中交直流反馈的判断正确的是（ B ）。

A. 电压串联负反馈

B. 电压并联负反馈

C. 电流串联负反馈

D. 电流并联负反馈

6. 在稳定范围内放大电路引入的负反馈越强，则其（ D ）。

A. 放大倍数越大

B. 输入电阻越大

C. 输出电阻越小

D. 放大倍数的稳定性越强。

7. 欲得到一个压控电流源电路，应该引入的反馈类型为（ D ）。

A. 电压并联负反馈

B. 电压串联负反馈

C. 电流并联负反馈

D. 电流串联负反馈

8．既提高输入电阻，又可稳定输出电压的反馈组态是（ B ）。

A. 电压并联负反馈

B. 电压串联负反馈

C. 电流串联负反馈

D. 电流并联负反馈

9．放大电路如图1所示，要使静态工作点 Q 上移, 应使（ C ）。

A. L R 增大

B. C R 增大

C. b R 减小

D. 2C 增大

图1 图2 10．判断图2电路中交流反馈的组态（ B ）。

A. 电压并联负反馈

B. 电压串联负反馈

C. 电流串联负反馈

D. 电流并联负反馈

11.希望接上负载L R 后，o V 基本不变，应引入（ A ）负反馈。

A.电压

B.电流

C.串联

D.并联

12. 放大器引入电流串联负反馈可以（ A ）。

A. 稳定输出电流

B. 降低输入电阻

C. 降低输出电阻

D. 稳定电压放大倍数

13. 负反馈放大电路产生自激振的条件是（ C ）。

A. 1AF ??=

B. 0AF ??=

C. 1AF ??=-

D. AF ??

=∞

14. 某负反馈放大电路的开环增益 A ?=100000,当反馈系数F =0.0004时,其闭环增益 f A 为（ A ）。

A. 2500

B. 2000

C. 1000

D. 1500 15.

在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电压成正比，称为（ C ）反馈。 A. 电流 B. 串联 C. 电压 D. 并联

第八章 1. 在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中每个功放管的集电极最大功耗约为（ C ）。 A. 1 0W B. 20 W C. 0.2 W D. 0.4 W

2. 若图1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为CES U ，则最大输出功率om P 为（ C ）。

A. L 2CES CC 2)(R U V -

B. L 2CES CC )21(R U V -

C. L 2CES CC 2)21(R U V -

D. L 2CES CC )(R U V -

图1 图2

3. 电路图2中D 1和D 2管的作用是消除（ B ）。

A. 饱和失真

B. 交越失真

C. 截止失真

D. 线性失真

4.理想情况下，乙类双电源互补对称功放电路的最大输出功率为（ A ）。 A.L CC R V 22 B.L CC R V 42 C.L CC R V 2 D.L

CC R V 82

5. 为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在（ B ）状态。

A. 甲类

B. 甲乙类

C. 乙类

D.丙类

第九章

1．一个实际的正弦波振荡电路的组成为（ D ）。

A. 放大电路和反馈网络

B. 放大电路和选频网络

C. 放大电路、反馈网络和稳频网络

D. 放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节

2. 有用信号频率高于500Hz ，可选用（ B ）滤波电路。

A.低通

B.高通

C.带通

D.带阻。

3. 一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则（ C ）。

A. 一定会产生高频自激振荡

B. 有可能产生高频自激振荡

C. 一定不会产生高频自激振荡

D. 无法判定

第十章

10. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ D ）。

A. 将直流变为交流

B. 将高频变为低频

C. 将低频变为高频

D. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉

9. 串联反馈型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ B ）。 A. 基准电压 B. 基准电压与采样电压之差

C. 采样电压

D. 基准电压与采样电压之和

12. 单相桥式整流电路中，设V 2为变压器副边的有效值，则二极管所承受的最大反向截止电压为（ B ）。

A. 2V

B. 2

C. 22V

D. 22V

四、作图题

1．电路如下图所示，稳压管为硅管，设其正向导通后其上压降7.0V ，且稳定电压8Ζ=U V 。设t U ωsin 15=I V ，试画出输出电压o U 的波形，并标出幅值。

2．电路如下图所示，已知t u ωsin 5I =（V ），二极管为理想二极管，试画出o u 的波形并标出其幅值。

3．电路如下图所示，已知i 5sin u t ω=（V ），二极管导通电压7.0D =u V ，试画出o u 的波形，并标出幅值。

4．电路如下图所示，稳压管的稳定电压3=Z u V ，R 的取值合适，I u 的波形如右图所示。试画出o u 的波形。

5．某放大电路v A ?的对数幅频特性图如下图所示，则该电路的上限截止频率为 810H Z ，下限截止频率为 210H Z 。通带增益为 80 dB 。

6．已知某N 沟道耗尽型MOS 场效应管的转移特性和输出特性如下图所示，由图可知夹断电压GS V = -5 V ；饱和漏极电流DSS I = 2 mA 。

7．某放大电路的直流负载线如图所示，已知 BQ 20μA I =，（1）在图中标出Q 点位置；（2）由Q 点读

出CQ I = 1 mA ；

CEQ V = 3 V 。

C m i

五、计算题 第二章

1. 电路如下图所示，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。

由运放的“虚断”特性有：P i v v =

在运放的同向输入端由虚短”特性有：f R R i i =

o n

i f

v v v R R -= 再由“虚短”特性有：n p i v v v ==

f

o i 1R

v v R ??

=+ ??

?

2. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放A 1、A 2、A 3是否为线性应用？A 1、A 2、A 3分别组成何种运算电路？（2）分别列出A V 、B V 、o1V 、o2V 的电压方程；（3）求电路输出电压与输入电压的运算关系。

、 (1) 是线性运用；A 1、A 2为电压跟随器，A 3构成求差电路

(2) o1A i i 1

2

R v v v v R R ==

=+， o2B i i 1

(1)2R v v v v R R δδ

==

=+++

(3) 22o 201i 11()2(2)

o R R v v v v R R δδ-=

-=+

3. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。（10分）

在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n 0i ≈，有21R R i i = 即

i n n M 12

v v u v R R --= （1）

在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚短特性有：n p 0v v == （2） 在M 点，有 342i i i =+

，即

M o

M M 243

00v v v v R R

R

-

--+= （3） 联立（1）（2）（3）式有()

23234o i i 1

/104R R R R R v v v R ++=-

=-

4. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。

在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n 0i ≈，有f R R i i =1

即

n o

i1n 1f

v v v v R R --= （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性p 0i ≈，有

i2P P

1f

v v v R R -=（2） 再利用理想运放的虚短特性有：n p v v = （3） 联立（1）（2）（3）式得 f

O i2i1i2i11

()8 ()R v v v v v R =

-=- 5. 电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初始电压()c 00v =。（1）集成运放1A 、2A 是否为线性应用？1A 、2A 分别组成什么运算电路？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。

（1）集成运放1A 、2A 是线性应用，运放1A 组成差分式运算电路，2A 组成积分电路； （2）3f f O1i2i12311

(

)(1)R R R

v v v R R R R =+-?+ 集成运放2A 组成积分电路：o1i3O 41 d v v v t C R R ??

=-+ ???

?

()1f 3i3f O i2i1123141 d R R R v R v v v t C RR R R RR R ??+??

=-

-+ ? ? ?+????

? 6. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放A 是否为线性应用？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。

（1）集成运放A 是线性应用。

（2）在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n 0i ≈，有

f R R R i i i =+21

即

n o

i1n i2n 12f

v v v v v v R R R ---+= （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性p 0i ≈，有p i 3v v =

再利用理想运放的虚短特性有：n p i3v v v == （2） 将（2）式代入（1）式得

f f f

O i1i2i3i3i3i1i2i31212

225f R R R R v v v v v v v v v R R R R =-?-?+?++=--+

7. 电路如下图所示，其中KΩ==4021R R ，KΩ=80f R ，KΩ==2043R R ，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。

在集成运放1的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n10i ≈，

有12f R R R i i i +=

即 n 1o i 1n 1i 2n 112f

v v v v v v R R R ---+= （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性P10i ≈，有4P1i334

R v v R R =+ （2） 再利用理想运放的虚短特性有：n1p1v v = （3）

联立（1）（2）（3）式得 i1i2f 4O1f i3121234

()(1)v v R R v R v R R R R R R =-+++??+∥ 集成运放2组成积分电路：O O11 d v v t RC =-

? []i 1i 2f 4O O 1f i 3121234

11 d ()(1)v v R R v v t R v dt RC RC R R R R R R =-=--+++??+??∥ 8. 试求下图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。

在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性p 0i ≈有：

P i3i1P 23

v v v v R R --= （1） 在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n 0i ≈，有

n o i1n 1f

v v v v R R --= （2） 再利用理想运放的虚短特性有：p n v v = （3）

联立（1）（2）（3）式得 f f f O i1i2i3i1i2i3123

1010R R R v v v v v v v R R R =-?+?+?=-++ 9. 电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初始储能为零。试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。

由运放的虚短特性有：n p 0v v ==

在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性N 0i ≈，有1i C 1R v I I R ==

o i i 11d 1000d v v t v t R C =-

=-??

10. 电路如下图所示，（1）试求u -的表达式; （2）试求o u 与I1u 、I2u 、I3u 的运算关系。

在运放4A 的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n40i ≈，有3n4o o 34131

R v v v R R ==+ A 1、A 2、A 3的输出电压分别为v I1、v I2、v I3。 在集成运放4A 的同相输入端，利用理想运放的虚断特性P40i ≈有：

I3P4I1P4I2P4P41112

v v v v v v v R R R R ---++= （1） 由运放的虚短特性有：n4p4o 131v v v ==

（2） 联立（1）（2）式得：

4O I 1I 2I 3I 1I 2I 31

()10 ()R v v v v v v v R =++=++ 第三章

1. 已知下图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。（1）分别计算U I 为10V 、15V 两种情况下输出电压o U 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？

（1）当V I ＝10V 时，若V o ＝V Z ＝6V ，则稳压管的电流为()106V 4mA 1K -=Ω，

小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故 L O I L 3.33V R V V R R =?≈+ 当V I ＝15V 时，若V o ＝V Z ＝6V ，则流过限流电阻的电流为()156V 9mA 1K -=Ω，流过电阻L R 的电流为6V 12mA 500=Ω

稳压管中的电流Z 9mA-12mA=-3mA I = ，所以稳压管未被反向击穿，没工作在稳压状态。……1分 所以L O I L

=5V R V V R R =?+ （2）Z D I Z ()29mA I V V R =-=＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 2. 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求下图所示电路中电阻R 的取值范围。

稳压管的最大稳定电流

I ZM ＝P ZM /V Z ＝25mA

电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin

所以其取值范围为 I Z

Z

0.36 1.8k V V R I -==Ω～

3. 下图所示为恒流源电路，已知稳压管工作在稳压状态，试求（1）N u =?；（2）负载电阻L R 中的电流。

在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性P 0i ≈有： P Z 6V v V == 由运放的虚短特性有：N P Z 6V v v V ===

在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性N 0i ≈，有

2N L 26V

0.6mA 10k R v I I R ==

==Ω

第四章

1

.

电路计算题1图示，已知：V 12=CC V ，b15R =KΩ，b225R =KΩ，c L 5R R ==KΩ，

e 1R =KΩ,

f 300R =Ω晶体管的100β=，100r =Ω'

bb

。（1）求BQ V 、EQ I 、BQ I 、CEQ V ；（2）画出小信号等效模型；（3）

求V A 、i R 和o R 。（4）若电容e C 开路，则v A 、i R 如何变化。 (1)静态分析：

b1

BQ CC b1b2

2V R V V R R ≈

?=+ BQ BEQ EQ f e

1mA V V I R R -=

≈+

EQ BQ 10 μA 1I I β

=

≈+

CEQ EQ c f e () 5.7V CC V V I R R R ≈-++=

(2)小信号等效电路为：

(3)动态分析：

be bb'EQ

26mV

(1)

2.73k r r I β=++≈Ω c L be f

()

7.7(1)v R R A r R ββ=-

≈-++∥

i b1b2be f [(1)] 3.7k R R R r R β=++≈Ω∥∥ o c 5k R R ==Ω

(4) R i 增大；v A 减小

2.

已知晶体管的β＝80，r be =1kΩ。（1）求出Q 点；（2）求L R ＝3k Ω时电

路的V A 和i R ；（3）求出o R 。

（1）求解Q 点：

CC BEQ BQ b e

EQ BQ CEQ CC EQ e 32.3μA

(1)(1) 2.61mA

7.17V

V V I R R I I V V I R ββ-=

≈++=+≈=-≈

（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝3k Ω时

i b b e e L [(1)()]

76k

R R r R R β=++≈Ω∥∥ e L be e L (1)()

0.992(1)()

v R R A r R R ββ+=

≈++∥∥ ……3分

（3）求解输出电阻：Ω≈++=371be

b s e o β

r R R R R ∥∥

3. 放大电路如下图所示，已知：V 10CC =V ，KΩ=15b1R ，KΩ=20b2R ，KΩ=2c R ，KΩ=2e R ,KΩ=2L R

电流放大系数100=β。电路中电容容量足够大，要求：（1）求静态值B I ，C I ，CE U ；（2）画出放大电路的小信号等效电路；（3）求电压放大倍数V A ，输入电阻i R ，输出电阻o R 。

（1）静态分析 b1

BQ CC b1b2

4.3V R V V R R =

≈+

B Q B E Q

C Q E Q

e

1.8m

A V V I I

R -≈== (

)C

E Q

C C C Q

c e 2.8V

V V I R R =-+= CQ

BQ 18μA I I

β

=

=

（2）放大电路的小信号等效电路如下：

（3）动态分析：

be bb'EQ

26mV (1) 1.66k r r I β=++≈Ω ()

c L be //60v R R A r β=-≈-

i b1b2be 1.39R R R r =≈∥∥

Ω==k 2c o R R

4. 放大电路如下图所示，设80β=，BE 0.6V V =，CEO I ，CES V 可忽略不计，试分析当开关S 分别接通A 、B 、C 三位置时。BJT 各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流C I 。

（1）S 与A 相连时：()B 3120.6V 0.0003A 4010I -=≈?

而CC CS C

BS 0.038mA V I R I ββ==≈

故此时BJT 工作在饱和区

CC C C

3mA V I R ≈= S 与B 相连时：()B 3120.6V 0.000023A=0.023mA 50010I -=≈?

有B BS I I <，故此时BJT 工作在放大区，C B 1.84mA I I β==。

S 与C 相连时, BJT 工作在截止区，C 0I =。

5. 放大电路如图所示，已知：V 18=CC V ，KΩ=16b1R ，KΩ=56b2R ，KΩ=6c R ，KΩ=3.3e R ,

KΩ=6L R ，电流放大系数100=β，V 7.0BE =U ,V 7.0CES =U 。电路中电容容量足够大，要求：

（1）求静态值B I ，C I ，CE U ；（2）用图解法求静态工作点Q ；并画出交流负载线；（3）信号增大过程中，输出首先出现何种失真？怎样消除？（4）画出放大电路的小信号等效电路；（5）求电压放大倍数 V A ，输入电阻i R ，输出电阻o R 。

（1）静态分析 b1BQ CC b1b2BQ BEQ EQ e EQ BQ CEQ EQ c f e 4V 1mA 10 μA 1()8.7V CC R V V R R V V I R I I V V I R R R β≈?=+-=≈=≈+≈-++=

b1BQ CC b1b2BQ BEQ EQ e EQ BQ CEQ EQ c f e 4V 1mA 10 μA 1()8.7V

CC R V V R R U U I R I I V V I R R R β≈?=+-=≈=≈+≈-++=

（2）作出交、直流负载线如下：

（3）信号增大过程中，输出首先出现截止失真；为消除截止失真可使Q 点上移，减小R b1可达到此目的。

（4）放大电路的小信号等效电路如下：

（5）动态分析：

be bb'EQ

26mV (1) 2.7k r r I β=++≈Ω c L be ()

111v R R A r β=-≈-∥

i b1b2be 2.2k R R R r =≈Ω∥∥

o c 6k R R ==Ω

6. 设右图所示电路所加输入电压为正弦波。试问：

（1）1u A =o1U /i U ≈? 2u A =o2U /i

U ≈? （2）由输入电压i u 波形画出输出电压o1u 、

o2u

的波形。

（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为

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