电子显微镜的现状

电子显镜的现微与展望状电子微显镜(简电称，E镜M经)过五十 年多发展已成的现代科学技为中术不可缺少 重要的具。我工的国电显子学微也 有了长的进展。足子显电微镜的创者制鲁斯卡 E.R(uka)教s因而授获了得186年9诺 贝奖尔的理奖物 。

电与子质相互物作会用产生透射子，电性弹散射子电，能 量损失子电二，电次，子反背射电子吸收，电子，X射，线俄 电歇，子阴极光和电发动力等。电等显子微镜是就利这些用信息来 试样进行形貌观察、成分对析和结构测定的。分电子 显微有镜多类很，型要有主射透子显微电(简称镜透射电镜， EM)和扫描T子电微镜 显(称简描扫镜电S,EM两大类) 。扫透射电描子微镜显(简扫描透射电镜，STEM称)兼则两 有的性者能。为进一步了表征器的特仪，点有以加电速区压 的分，:如超高(压MV1和中)电压(20等—0500kV)透电射镜、低 电压(1~V)扫描电镜；有k电以枪类子区型的，如场发 分枪电射镜；以用有途区分的，高如分辨镜电，分电镜、析 能选量择镜电、生物电、环境镜电镜原、位镜电、长C测D-扫描 镜；电以激有发信息的命的名，如电子针探射线微X区分 析(简仪称电探子针EP,AM等。)

半 个多纪世以来子显微电学奋的目标主 斗是要求观察更微力的小物体结、构细小 更实的体甚至单、个子原并获得，关试样有的更多的 信，如标征非息和晶晶，成微 分布分晶粒，状和尺形寸晶体，相的、晶 的取体、向晶和界晶缺陷体特等征以，对便材料 的显微结构行综合进析及标分研征。 究近，来电显微镜(电子显子微),包学扫括 隧道描显镜微，又有了等足的长发展。节本仅讨 使论广用的透泛射镜电扫描和电，镜并就 上几个方面列一作要介简。

绍射电子显透镜微 1、 分高辨子显电微学及子像的观原 察 料的材宏性观能往往与本其身的成、结分构以晶及体 缺中原陷子位置等密切的相关。观试察中单个样原像子是科 界学长期求追的标目一个。子原的径约为1直千分万之 23—m。因m此要分，辨每出个子的原位置要需0.n1m 左右分辨的本，领把并放大它1千万约倍70年。代初形成 的分高辨电子微学(显RHE)是M在子尺原上度接直察观析分 质微观物构的学结科。计机图算处理像引入使其进的一 向超高步分辨率和量化方定向发，展时同也辟开一些崭新了的应用领 域例如，英国医学。研委究员会子生物分验室实的A .Klg博士u等展发一套重了物构三体结构的高分辨图维 像处理技，术为分生子学物拓了一个崭新开领的。因域而获得 1了928年诺贝奖的尔学奖化以表彰，他在发晶展体电 显微学及核子酸—蛋质复白体合晶的学结体构方的面越卓 贡

献

用H ERM使单个子原像的一个严重困成是信难号噪/比声 太小。子经过试电样，后对像成贡有的弹献散性电射子不( 损失量能只改变、动方运)所向占百分的太比低而非弹，性散射 电(子损既能失量改变运又动向方)相不干对成像，无 献且贡成形亮的底(背亮),场因非而期结构试周样中的单个 子原像反差的小极在档。了未去散的直透射子电暗场的 像中由，于高提反差，才能了察到观其中的重子，原例 铀和钍—如TCAB中铀(的=Z29)和钍Z(=90原子。对于晶体 )试，原子样列阵会加强像成信息采。超用压高子显电微 和镜中加速等电的高亮度压高、干相度的场射电子发枪透 电镜在射定的离焦条件 (特chSezrr欠e焦)拍摄的下薄体 晶分辨高可以像获得接直晶体与原子结相构对的应结像构。再 用像图处技理，术如电例晶体学子理方法，处能从已一 张 02kV的0JM-E2100F发场电射镜点(辨本领分0194nm).拍 摄的分辨约率02.nm照的上片获取超分辨高结构率息， 信成功测定出分辨地率 约 01nm的.体晶构[6]结。

2.像差正校电子微镜显电 子微显镜的分本领由辨于到电受透子球镜差 的制，人限们力图像光透学那样镜来少减或消除球。差 是，但在早193年Sch6rezer指出，对于常就用的无空间荷 电不且随时间化变的旋转对电称透镜子，差恒球正值为。 4在年0代由兼顾电于物子镜的衍射和球差电，显子微的理 镜论辨本领分为0约5n.m校正电。透镜的子主要像差人是们 长期追求的标目经过。5多年0的力，1努90年9osRe出用提六极校 正校器正透镜差像到无像差得子电学光统系方法的 最近。在CM200T场发S射枪002k透射V电镜上增加了种六 极这校正器研，成世制上第一界台像校差电子显微镜正。 镜电高的度仅提了高42c,m并不影而其响它性。能分辨本 领0.由24n提高m到0.14m[7n]在这台。像差正校子电显微 上镜球差系数少至减.050mm(5μ0m时拍)到了GaA摄 s〈110〉向取的铃哑状构像结点，间为0距.1n4m8][。

3、原子尺度电全子息学Gbora19在4年当8难以时校正电子镜透球的情况差提下出了子 电息全的基本理原方和。论法了证如果电用子束作全息制，记图电子录 波的振幅位和相，然用后光进波重行，只现光线要学的光差像精确地 与子电学光像差相匹配，的能就到无像差得、的辨分率高的像。由更 于时那有没相性很好的电干源，子子全息术电的展发当缓相慢。来， 后这种波全光息想应思用激光到领域获得，了极大成功。G的aor也因b 此获得了而贝诺物理奖。随尔M着llenstoetd电双静棱镜发明以的点及状灯丝，特别 场发射电子是枪的发，展电子全的息论和实理研验究也有了很大的进 展在电，

磁场量测和分辨高电子微显像的构重等面方得 取丰硕的成了果[]。Lic9hte等电子全息术用在MC3 0 EGF/ST电子型微镜(显差球系Cs=1数2.m)上以mk×11的k扫慢 C描DC机相获，得0了.31m的分辨n本。目前领，使用刚安装刚好 的 CM0 3EFG/T型电U显微镜子球(差数C系=s065.m)和2m×2k的kCCD相机 ，达到已.0nm1信息极的限分辨本[10,11]。领

4表面、的高分电辨子微正面成显 如像何区表面和体分阵点周从期而到得样的表试信息是面 电显子微界学一个期长关心问的题。前表面目的高分辨子电显微面正 成像及图其像处理得已到了长的进展足，成地揭功了示S[111]i表面(7 ×)7重的细构节，仅看到不了扫描道隧显镜微STM能看够到处于 表面的一第的层吸附原(子datomsa)而且看到了，部三层的顶有所原， 子括包TSM前还目难看到的以于第三处的层聚物二d(mires)说，明正面 像成法与目认前最强有为的，在原力子水上直接平观表察结构的 面SM相T,也比其有到之处。独日升李以Cu[110等]膜晶表上观面察 了到C由-uO原链子吸的产生附的2×()重构1例，为采表面用高分的 电辨显微正子成面法像表明对于所，有的周强期体，系存均衬度随在厚 度周呈性期变化现象，对一般的膜也可厚进高分辨表面正面行的观像 [测2]1

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5、 超高压子显电镜微 近年 来超高压，透电镜射分的本辨 有了进领步一的高。提JEO公司L成制2105Vk J的M-ERM A2510/000型超1压高子分原辨率电镜，点分辨本领 已达0.1m,n可在原子水平上以 接直观厚试样的三察维结构[3]1日立公司于。1 99年制5成台新一的M3超V压高射透电，分辨镜 领为0本14nm.[41。]超高电压镜分本辨高领、 试对的穿透能力强样1(VM时约为01k0V的倍),3但 价昂格贵，需要门建造专高的实验大室，很 难广推

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6、 等电中电子压微镜显中 等压电020k\,300kVV镜电穿的透能力别分10为k0V的 .1和2.2倍，成6本较、效低/益投入高，比因得到了而大的很发。 展场射透发射电镜日益已成。熟TEM上常配有漂锂硅移S(iLi)X线能射 谱(EDS)仪，有还配的电子能有选量成像择仪谱可以，分析试样化学的成 和结构分原。的高分辨和分来型两析类电镜有合并的也势趋用：计 机算控制甚完至通过全算计机件软作操，采用差球系更数小的物镜 场和射电子枪发，可以获既得分高辨像又可进纳行米度的微区化学尺成 分和构结析，发分成展多能高分辨功析电镜分。JOL的20Ek0 V JEM-210F和3000kVJE -3M00F,日0公立的2司00k VF2000以及H荷兰利飞浦公司2的0k0V C2M00 FGE和30kV0 C3M0 0EF型G都于属这产种[品]1目。, 前际上国规2常0k0 VETM的点辨本分领0为2nm左.,右放倍数大约50为倍15—0 倍

万。

7、120V\k10,0kV析分电子显镜 微 物、医学生以及业、药物和农品食业等工领 往往域要把求镜和光电显微学得镜的到息信系联 来。起此，因一在种得高分辨像的同获还可以时得 大到视场反高的低倍差显微、像作方便操、结 构凑紧，有E装SD的算机控制计析电分镜就也 运应而生例如，飞。浦公利司的MC12 0iBotwin电镜有冷配冻样试台和EDS可， 观察分析以差低以及对电子反束敏感的生试样。 日本的物JE-120M0电在镜中、放低倍数大时具有都 好良反的差适，于用材科学料和生科学研究。命 目，这种多用途前21kV透射0镜电的点辨分本 领0达.53n左右m1[]

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8、场发射枪描扫透射子电微镜 场发显扫描透射电射STEM是镜美国由芝加哥大的A.学.CVerew授教在 70代初年期展起来发。的试后样的两方个测探分别逐器接收未散点射的射 电子透和全散部电子射弹。性和弹非性射散子信息电都随原序数子而变。状环 探测接器收散角大射的性散弹电射子。原子重的弹性射电散子，多果如入电射 子束径直于 0.小5mn且试，样够足薄便可，到得单个子像原实际上。TEMS也已到 看了-aγulmni支a膜持的上个Pt单和Rh子[原15]。透射电通子过环探状测中器心的 小孔由，心中探器测接收再用，量分能析器测其出损失特征能量的便可 进，成行分分。为此析，Crew发展e亮了度比般电子一高枪约5量级个场的射 电子发F枪GE曲：半径率为100nm仅左右钨的单针晶在尖电强场度高 达010MV/m的作用c下，在温室时可即生产发射电子场把电子，聚束到焦.20— 1.n0m仍而足有大够的亮。英国度GV公在80年司开代始生这种产TEMS最近 在VG。HB5 FEGS EMT增加了上一个磁电极四—八球差校正器，球差极数系原由来的3.5mm减少到0. 1m以m。下进步一除排各种不定因稳素，后望可10把k0 VSTE的暗M场像的分本辨领高到0提.n1[m16]利。加用速压电为30 0k的VVGHB6-03U型获得了Cu〈12〉1的电子显微像0:2.80mn基本的距 和0.1间27n的晶格像。期m望物球差镜系数减到0少.7mm的400Vk仪能器到更达高 的分本辨[1领5。这种UHV]-STE仪器M当复杂相难，推广。

以

、9量选择能电显微镜子 能选量择电镜FE-TE是M一新个的发方向展。一在般射电镜透中，性弹散射电形成显微子像或 射衍花样非；性散弹射电则子往往忽被略，而来近已作用子能电损量谱分失。德国析eiZsOpsot公司在n08代年末产生E的M02A9生型物镜电在成，系像统中有配电子能量仪谱选取损失，一了 特征定能量的电子来像。成其主优点要：可观是察.50m的厚试样，μ未对染色经生的试样物能也看 高反到的差显微像，能获得还素元布分像。目前等eLicaZ与iess并合

后的LE公司O的EM92 O1mgae电装有镜-Ω电子能量滤过，可器滤去以成形背底非弹性的散射子和电不要需其它的子，得电到 有一定能量的具子信息电进，能行量过会聚束衍射滤成和像清，晰地显示出原被掩盖来微弱显微的和 衍射子电样。花公司在该基此础上又展发200k了的V全自动能量择T选ME1[7。]EOJ公司L也 发展了Ω-电子带量过能滤的器JM2E100FEF型电显子镜微点分，辨领本0为.9nm,能量分1率辨在1 0kV和000kV2分时为别2.μm1e/V和1.μm1e/[1V8]日立。司也报道了公用E-1F00型γ形电子0量能 成像系谱统，T在E中观察M了到半导动态体随机取存储器存DRAM中厚05.m切μ的片清剖晰显微像 面1[]。9美国 ATAGN司公电的能子选量择成像统装系投在镜影方后，对电子可量损失能谱EEL 选S成择像可在。秒几钟内实现线在数据读的、出理、输处、出及时解图了像的质量据，自此调动有节关参数，完成 动合自、自动轴校像散和正自动聚焦等作工。例，在400如k的VEM-4000EX电J上用镜 EEPSL得到量能择选原像，并同子完成时EEL化S分析。学 射透电镜过经半个了世纪多的发已展接近达到了由透镜或差球和射差所决衍的0定.1— .2n0m的理论辨本领分人。正们在探索一进步消透除的各镜像种[20差]在，电枪子后方再加一个 电增子色器，研单新的像差校正究，进法步提高电磁透镜一整个仪器的稳和定性采用；进并步发展一 高度亮子源电场发电射子，枪X射线仪谱和子电能量择成像选谱，慢仪描电扫耦荷合器CC件D冷，冻低 和温境试样室环，米量级的纳会聚束微衍，原位实射分时析，状扫锥描体学成晶像Con(ica Slcn arCytsallgoaphr),全y数字控，制图处像与现代理息传送技术实信远距离现作观察操， 及以服试克本样带身来各的种制限透，射电正镜面着临一新的重大突个破。

扫描 电子微显镜1分、析扫电镜和描X射线能谱仪 前，使用最目的常规钨广丝极扫描电镜阴的辨本分已领3.5nm左达，加速右压电围范为 02.—03V。k描电镜扫备配X射线能谱仪DSE后发展分成扫析电镜描不仅比X,线射谱仪WDS波分析速 度、灵快度敏高也可、进行定和性标无定样量分析E。SD展十发分速迅已成为仪器，的一 个要组成部分，甚至重与其为一融体但是。,DS也存E不在足处，如之能量辨分低，率般为 129—1一5e5,V以及S(iL)i体需在晶温低下用(液氮使却冷)。X等线波谱射分仪辨率高得多，则常通 5为1—e0V且可在室温下工，作。1792起年EAD公司发X了一展E种CNO列无系口探测窗，器满足 分可超析轻素元时的一些特殊求，需但iS(Li晶体)易污染。1受978K年veex公开司发了能受承个大一气 压差的力TAW超窗薄，免避了述缺点，上可以探到测，B,

CN,等O超轻元，素大量应为创 用造了件条目前。,美国evKx公司的Qeanuifitre,oNrn公a司的xtreEe,mLnki司的Ul公racoolt ,DAXE公司Sap的phre等iiS(iL)探器测属都这种于窗口超单元素轻测器探分辨，率1为9eV,21 33eV,探等范围扩展测了到B5—29U。克服为统传iS(Li探测器)需用使液氮冷带来的却不便， 9189K年veex司推出了公可用液氮不S的uerprd探y测器，Norna司也公生产用温差了制冷的 Fr电eeodm探测(器有配型小却冷循水环机),和压缩制冷机的Cyrcooleod探器测。两种这测器探必 须昼夜4小2时电通适合于，无氮液应供的单。现位使用的在多还大改是的进氮冷液Si(却i)L测器探，只需 实际工在作时加液氮冷却入平，不时维必持液的供氮给。近最发展起的来高锗纯e 探测器，G仅不高提分了率，而辨且大扩了探的能量测围(从范25ke扩V到展10keV)0,特 别适用透于电射：镜Lin如kG的M型E分辨的已优于 1率1e5(VMnKα和)6e5VFK(α)Nora,的n Epxlror eG探测器e探测，范围可达010kV等e19。59中年国科院上学海子原研核所研究制了S成(Li) 探i测，器量能分率辨为52e1[2V]。中1科学院国北京科学器仪研中制也生心了X产线能射分析 谱统系iFdern1-000,件硬借No鉴anr公的功司能电路，配该以公司探的器测，采W用nidosw操作 系，统开了自己的图形化能谱分析发系统程序2[2。]

、2X线波谱仪和电子射针探 现仪SE代大M配多了置DSE探测器以行成分分进。析当需含低量、确定精 以及超量元素分析时轻，则可再加1增到4X射道线波谱WD仪SMicro。pecs公的司全聚 焦DX-W040WDX-6,0型0别分有4块配6和不块的衍射同晶，体检测能到5B(Be)4上以的 种元各。素该仪可以倾斜谱方式在扫描电镜装样试室，上以对水便放平置试样进行的析， 分不必而垂直如仪谱样那用需光学显微来镜确调精试整样物离镜的工距离。 为满作大量足元素多试样的超轻元素，含量低高，定性速、量定规分常析需的 求法，国amCea公司长期c产电生探针子仪S,X5和SX 0maroc配型备4道DS 及W道E1DS物，镜装有同轴内学光显镜微可随以时察分观析区[域23。岛]公津最司近生 的产算计机控制PEM-A1006型子电探，可配针2—置道5DWS1道E和S,D试最大样 寸尺100为m×1m00m×m5mm (0厚)二，次子电图像分率辨为6nmJEO。L公也司产生了计机控制算JX的A8-800电 探子和J针X-A9800系列WD/ED综合微分显析系统—电子超探针可装，5道射线光 谱仪X和1X道射能线仪，谱素分析元范为围5—B2U9,二次电子图分像率为6nm。辨N rano司下公属的ePak司公近最发了展一种新的APeX崭全数X射线参谱 光，与传仪的统械机联动构完机不全同，由计算控机制个独6立的服伺马分别达节调分晶 光的体

位置和倾以及角X线射测器探的XY、坐标狭缝宽和度。配有块4标的分光准晶可分 体5B(4析eB)以 的元上素罗兰圆。径半随分析元而素，可变分为别1071,8,0901和02m0,m以获 最得高的计数率，提了分析精度高灵和性。活oraNn公还推出了司为称AXMay的X 射r线平束光谱行仪将，最新的X光学究研成——果准平束行整X光透体镜置于样上的X试 射线射点和发析分体晶之间，高了提收接射线X立体的角比，一WDS的般强度高了提50 左右。倍分可析00e1—1V8k.e能V范量围的K、L、M内线，别特利于有电低、低压流 分析，束B对e、B、 CN、、和OF的分率辨高达5可15—e,V有兼WSD高分辨率和EDS的的高收效集 。这两种新率X型线射光仪谱望可到得广泛的应用。

3、 发场枪扫射电描和低压扫镜电描 镜 场射发描电扫得镜到很大的发展了2[]4日。立公司推 了出冷发射枪场描扫镜电A,mayr司则公产生热场射发枪扫电镜描，不仅提高 常规加速电压了的时辨本分，领显著还善改低压了性。低能 压扫描镜电 LSVME由可于提高成像以反的，减少甚差至消试样除充的 放电象现并少减辐照伤损因此，到了人们的受嘱目。EOJL公的司SM60J0F型场发0射高超分辨EM的S分辨领在加速电本3压0Vk时达.6n0, m接已近TEM水的，平试样必但须浸没入镜的强磁物场以中减球差的少影响，所 尺寸受到限以制，大最2为3mm×6mm3×m(m厚。)试样 半浸在没镜物场磁的场中发射SMJ-6430F可以型观大察试样，速加压 电1k5时V辨分本为1.2领mn低压 ， 1 V时k为.5n2m。两种S这E由于M样要处试在场中磁以所能 不察磁性材观料使。用FC正校小场型物镜可观察试大的样发射J场S660MF型分0辨本为2领.5n(1km时为8Vmn。)立日司也公供应几这产 类品S如-050,0S45-0和0-4S007型1[。]

4、大超试样扫描电室镜 德Vis国ietc高公捷司的大超试样室M ri型a扫描镜电。检被的物大尺寸可最为直径 007m,m60高m0m长，1004mm,大最重可达量 30 0公，斤真空长1室40,01宽10和高1200m0m 分辨本。4nm,加领电压速03.Vk—0kV2。是种一新 的算机计控制非、破性的坏检分查测析试装， 可置用于业工品的产生产，质量理管，机微工和加 工品的艺检查研等。究

5、境扫环电镜 80年代描出现的环境描扫镜E电SM,E据根要需样可试处压力为于1— 2060a不同P氛的高气压低气空环真中，境开辟了新应的领用域与。样试内室10-3为aP 的常规真空SEM高同不，以所可也为低真称扫描电镜空L-SVME。在这种低真空环 中境，缘绝试即使在高样加速压电下也会不因出现、放电现象而无法充察；观潮 的湿样试可则持其保来原的含自然状态水而产不形变。因此生，ESE可直M接观塑料察 、瓷陶、纸张、岩石泥、土以，疏松及会排而放体气的材和含料水生的试物，样需无先 涂导电层或冷喷冻燥干处理。919年0美国Elcetro Sac公n司先首出了推商品SEEM。了为保试证室内样的高气低压空真境， L环-SVE的M空系统真予须特殊以考虑目。,前mAray,Hitahi,cJE O和LEOL公司等都这有产品[1种]。样试室6—为270aP时，SMJ560— L0—VSME分的本辨领达已.05nm,自动换切高真空到状态后便如常扫描电镜规一 ，样分本领辨达3.n5m。中国学科北京院学科器研制仪心中化工冶与研金所合究， 作发展YKY-K5010高温境环描扫电子微镜显[52,]试最样温高可达1度020℃,最气 高为压600Pa;820℃时0分辨率60n为m,察了室温观下的湿玉淀米粉粒断面颗、盐食 的晶结子粒以，及在0Pa5,90℃时铁矿中的针0形F\-e2O\-3试等样。

6扫、电声描微显 80年镜初问世的代扫电声描显微S镜EAM采用，了 一种的成新像方：其强式受度频调制闪电子的在束样试表面扫描， 用压传感器接收电样热、试弹性观微质性变 的电化声信号经视，放频大成像后。对能试的亚样表面现 非破实性的剖面成像。坏应用于可导半体金、属陶和材瓷料，电子器 件及生学等物域。领中国学院北科科京学器仪研制中 也心发展这种扫描了电显声微镜，间分辨空领本为 .20—03μ.[2m]6。近最中，国科院学上海硅盐酸究研所 采数用字描扫生器控制发子电扫束等技描，提高了术信噪 ，使S比AME的像质图得量了很大到改的[进72]。

、测7/长缺陷测扫检描电 镜EM不但在科S研究而学且工农在业产生中得到了广泛的用应，特别是电 子算计机业的兴产使其起得到很了的发大。展前半目体导大规超模 成电集每条线路制的造宽正由0度2.μ5向m01.μ8m迈进作为半导。体集电路成 产生上Si片的线规检测常具，美工Amray公司国出推一种缺陷检测了3800 型DR扫描T镜电采，用了加到18热0K的0rO/Z阴W极脱基热场肖发电子射枪 ，有良具的好低速加压性电：能kV1分辨本时达领4m,n而且电束子流稳定的 度于优 %/1h、长期可续连工作对直径，1为0012,51,5,0002m的mi片， S小每时检测可001个陷缺日。公立为司了克以往服在温室工下作的冷场发枪 射测长描扫镜(C电-DEM)S需因进要行烁处闪以去除理射发尖所上吸的附气分 体子经而中常断作工、响在生产影线应上的缺用，点近最也出推这了种Z rO/阴W极场发射热电枪的S子8-000系列C-SEDM为了。服克热场发 射比冷发射枪场电子能量分大的缺散，点设了阻计场电滞物镜磁，并进改了二 电次探子器，测在加速压为电80V时分0辨本为领nm5,可每小以2时片， 0每片个5测点检的速连度续测125—检20m0直m的径iS1,2[]。8

8、晶体取向学成扫像电描子微显 术SME的另个一新展方发是以背散向电射子射衍图 样(BSP)为E基础晶的体学向成像电子显微术取OI()[M29。]在ESM上增加 一个将可样试倾约动07度的装置，CCD测器和数据探处理算机 系计，扫描并统接记收录状试块样表面的背散电子射射花样(背衍射散 菊池样)花按试样，各分部不的同晶取体分类向成像获得来有关晶 结体构的信息，可示晶显粒织组晶界和裂、纹等，也用于可定测织构 晶和取体。向望发展可成SM的一个E准标附。件199年6美 国TL(SeTxSem aLbrotoairs,eIn.c)公推司出TSL了 OI 系统M,间分辨空本已领优0.2μ于，比m原理似的电相通子道图 样(CEP)提了一个高量，级0在.秒4钟即内能成一完衍张射图的 自样动定工标作英。牛津国团显集微分仪器析ink-LPOL公司的EASBD 结学分析系统，晶目已用于前i片SA上l连线的取向析分，判以其质 量的优劣断及可靠。性

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