模拟电子技术试卷三套（无答案）

《模拟电子技术》考试试卷1 一、填空题（20分，每题2分）

1、 半导体三极管按极性可分为_____型和_____型二类。

2、 半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压URM=_______U2，

负载电压UO=_________U2。

3、如果温度升高三极管的输出特性曲线将向________移动。 4、抑制零点飘移的电路称为___________________________.。

5、乙类互补对称功率放大电路将产生__________失真， 而________互补对称功率放大电路，可以消除这种失真。 6、CＷ79XX系列三端稳压器各脚功能是：①脚________； ②脚________；③脚________。

7、当信号发生器电压调在1V，现在用40dB衰减其输出电压为______mV。 8、当示波器幅度旋钮位置V/div在0.5V时读数为4格， 其电压的有效值为______V。

9、当示波器频率旋钮位置T/div在0.5ms时读数为2格， 其周期为______Hz。

10、要抑制50Hz的工频信号的影响，应选择________ 滤波电路。

二、判断题（20分，每题2分，对的打√错的打╳）

1、 稳压二极管必需工作在正向导通状态。 （ ） 2、 在集成电路中采用直接耦合。 （ ） 3、 石英晶体振荡电路的优点是其振荡频率的稳定性很高。 （ ） 4、 尽管开关稳压电源的体积小、稳压范围宽但它的功率消耗很大。（ ） 5、 在正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。 （ ） 6、 射极跟随器的放大倍数为1因此在电路不起任何作用。 （ ） 7、 在多级放大电路中前级放大的工作点宜设置在较低位置。 （ ） 8、 硅稳压管稳压电路只适用于负载小的场合且输出电压不能调节。（ ） 9、 跟据集成运算放大器电路虚断原则得到i+=i- 。 （ ）

10、判断正负反馈时，我们采用瞬时极性法， （ ）

当使净输入信号增强时即为负反馈。

三、简答题（25分，每题5分）

1、 电路如下图所示，二极管是导通还是截止，R=10K，试求出AO两点间的电压UAO？ （设二极管的正向压降是0.7V）

D+AR+10V--O8V+-

2、 如下图所示，稳压管D1、D2的稳定电压分别为8V、6V，设稳压管的正向压降是0.7V， 试求UO。

R+20V+D1D2U0-

3、简述示波器校正的过程。

4、判断下图是何种反馈类型。

++-+-++++++ui-R1R2RLuo-ui-R1uoR2R3

5、下图中二个二极管的作用是什么？并画出uO与ui的传输特性曲线。

-

ui3V+R1-++R2_5V+

四、选择题。请将正确答案的序号填在横线上（10分，每题2分）

1、二极管的反向电阻 。 A．小 B．中等 C．大

2、多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是 。 A．输入级 B．中间级 C．输出级 D．增益最高的一级

3、在使用信号发生器时，要调出40KHz的正弦波信号其频率旋钮位置应置于：

A．20~200Hz B．200 Hz ~2KHz C．2KHz~20KHz D．20KHz~200KHz

4、晶闸管的导通条件为 。

A．阳极和阴极加正向电压 B．控制极和阴极加正向电压

C．阳极和阴极加正向电压，同时控制极与阴极间加正向电压 D．阳极和阴极加正向电压，同时控制极与阴极间加反向电压

5、理想运放的两个重要结论是 。

-

A．虚地与反相 B．虚短与虚地 C．虚短与虚断 D．短路与断路

五、计算题（25分）

1、电路如图所示，试求出电路的输出电压u0的值。（10分）

10k1V20k120K8-4V-2V30k-+5k+uo

2、分压式共射放大电路如图所示，当UBEQ=0.7V,β=60,Ucc=12V三极管为NPN型硅管。1)画出微变等效电路；2）估算静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ；3)估算空载电压放大倍数Au’以及输入、输出电阻ri和ro。 (15分)

UCC12VRb1+40K++Rc4KC210uF+C110uuiRb2_+20K+ReCe47uF2KRLuO2K_

《电子技术基础》考试卷2

一、选择题：在每小题给出的四个选项中，选出符合题目要求的一项（字母）填在答案栏内。（2*15=30%，答案写在其它地方不给分）

1．在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（ ）

A、带正电 B、带负电 C、不带电 D、不能确定

2．如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为 （ ）

A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不能确定

3．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（ ）。

A. PNP锗管 B. NPN硅管 C. NPN锗管 D. PNP硅管 4．二极管的反向电阻（ ）。

A．小 B．大 C．中等 D．为零

5．测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA，3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为（ ）。

A．70 B．40 C．50 D．60

6．两级放大电路，Au1= -40，Au2= -50，若输入电压Ui=5mv，则输出电压Uo为（ ）

A、-200Mv B、-250mV C、10V D、100V

7．检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（ ）。

A. IBQ B. UBE C.ICQ D. UCEQ

8．为了提高放大电路的输入电阻和输出电阻，应在放大电路中引入（ ）负反馈。

A. 电流串联 B. 电流并联 C. 电压串联 D. 电压并联 9．为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用( )

A.直接耦合电路 B. 差动放大电路 C. 阻容耦合电路 D.反馈放大电路 10．集成运放在作放大电路使用时，其电压增益主要决定于（ ）。

A. 反馈网络电阻 B. 平衡电阻 C. 开环输入电阻 D. 开环电压放大倍数 11．多级直流放大电路各级都会产生零点漂移，但抑制零点漂移的重点放在（ ）

A.中间级 B.最末级 C.第一级 D.哪一级都行 12．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（ ）

A.10V B.102 V C. 10/2 V D.20V

13．桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为( )

A.24V B.18V C.9V D.28.2V 14．串联稳压电路一般由基准电压、比较放大、( )和( )四部分组成．（ ） A. 测量电桥，分压电路 B. 调整电路，采样电路 C. 运放电路，采样电路 D. 运放电路，分压电路

15．一个放大电路其输出电阻为1kΩ，负载电阻为4kΩ时，其输出信号电压为4V，当断开负载，其输出电压是（ ）。

A. 2V B. 8V C. 4V D. 5V

二、填空题：把答案填在答案栏内。（2*10=20%，答案写在其它地方不给分）。

1．PN结最重要的特性是____________________，它是一切半导体器件的基础。

2．晶体三极管在放大状态下，其集电极电流IC与基极电流IB的关系式为 __________ 。

3．要使基本放大电路正常工作，三极管必须工作在___状态，否则输出信号将产生失真现象。 4．某电路三极管，测得管脚电压Va = -1V， Vb = -3.2V, Vc = -3.9V, 这是_____管（硅、锗）。 5．稳压集成电路W7810输出电压____________V。

6．当运放工作在线性放大状态时，分析两个输入端之间的电压和流入两输入端的电流时，常用到的两个重要概念是 ____________。

7．运算放大电路的输出级多用____________放大电路，主要因为它具有较高的输入电阻和较低的输出电阻。

8．直流稳压电源一般由变压器、____________、滤波电路和稳压电路四部分组成。 9．稳压管稳压电路中需要接入电阻R，它的作用是____________。

10．某放大电路接入负载电阻RL=40Ω,其输出电压VOL=4V，断开负载后其输出电压VO=5V，则该电路输出阻抗Ro为 __________ 。

三、判断题：判断下列各题说法，在答案栏内打√（对）或×（错）。（1*10=10%）

1．稳压二极管工作在反向击穿状态 （ ） 2．N型半导体中是掺入了微量三价元素（如硼） （ ）

3．若放大电路输入为单一频率的正弦波时，则输出波形就不会产生频率失真。（ ） 4．不论输入交流信号vi的幅度大小如何，都可以用h参数等效电路进行分析。（ ） 5．静态工作点设置不当，可能造成放大信号的截止失真或饱和失真。 （ ） 6．负反馈放大器可以提高放大倍数的稳定性，所以，△Af/Af 比 △A/A 小。（ ） 7．一个实际集成运放，其开环增益越高，输入阻抗越小，就越接近理想运放。（ ） 8．负反馈可以减小非线性失真，但对于信号源本身信号的非线性失真无法改善（ ）

9．在串联反馈型稳压电路中，输出电压仅与基准电压有关，而与取样电阻无任何关系。( )。

10．桥式整流电路由四个二极管组成，所以流过每个整流管的电流为流过负载电流的1/4，即Io/4。

（ ）

四、简答题：（2*5=10%）

1、直流电源应用电路：要求输出+5V，选用三端稳压电路的型号是什么？UC电压、U2电压的大小为何值？C1、C2电容作什么用？ 5VUCTCW78 12+ ++3+C1CC2 U? 220 Vu2UO- ---

2. 试分析下图电路，说明电路是什么类型的反馈电路？假设集成运算放大器为理想运放，请写出电路的电压放大倍数Auf的表达式 。

+VCC

R1

＋

－

+ Ui R2 Uo

R3

- R4 -VEE

五、综合题：（2*15=30%）

1、放大电路如图所示，已知晶体管的β=50，rbb=100Ω ，Rs=1kΩ 1）要使IcQ=0.5mA，求Rb=？（5%） 2）求Au。（4%）

3）该放大电路的Ri和Ro各为多少？（6%）

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