桂林电子工业大学 模拟电子技术基础（二系）

桂林电子科技大学2006年工程硕士研究生第二阶段考试试题

桂 林 电 子 科 技 大 学

二○○六年工程硕士研究生第二阶段考试试题

考试科目: 模拟电子电路

考试时间: 2006年12月22日 工程领域: 电子与通信工程

（本试卷共8大题，共 7页，总分100分，考试时间120分钟） 注意：所有答案全部答在答题纸上，否则本试卷无效。

题号 满分 得分 教师签名

一 30 二 10 三 10 四 10 五 10 六 10 七 10 八 10 九 十 成绩 一、填空(本题共15空，每空2分，共30分)

1．杂质半导体中的少子因( )而产生，多子主要因( )而产生。

2．杂质半导体分为( )型和( )型。自由电子是( )型半导体中的多子。空穴是( )型半导体中的少于。

3．当温度增加时，β ( )，ICBO ( )，而共射输入特性曲线( )移动，使得UBE减小。

4．放大器信号源的等效负载是放大器的( )电阻，而向放大器的负载RL输出功率的等效信号源的内阻是放大器的( )电阻。

5．图1是某放大器的通用模型。如果该放大器输出端开路的端电压增益Auo= -100，则求该放大器的Au=

图1

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100Ω

2KΩ

uou?( ) ，Aus=o? ( )。 uius

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6．NPN-PNP互补对称乙类功放在每管工作时，都是( )组态。这种功放电路，对发射结加一定正偏电压的目的是为了克服( )。

二、 选择题：（本题共5小题，每小题2分，共10分） 1．温度上升时，半导体三级管的( )。 A．β和ICEO增大，UBE下降 B．β和UBE增大，ICEO减小 C．β减小，ICEO和UBE增大 D．β、ICEO和UBE均增大

2．在图2的电路中，若晶体管T1、T2 的特性一致，ui1?802sin?tmV，

ui1?602sin?tmV，则该电路的差模

输入电压有效值uid为( )。 A．10mV B．20mV C．70mV D．140mV 图2

3．一放大电路，当其RL=3kΩ的负载电阻开路和接上时，用交流电压表测得的输出电压分别为2V和1.5V, 则其输出电阻Ro为（ ）。

A. 3kΩ

B. 2kΩ C. 1.5kΩ D. 1kΩ

4．设Auf和2Δf0.7f分别为负反馈放大电路的中频增益和通频带，与其无负反馈时相比，则负反馈电路的（ ）。

A. Auf增加 ，2Δf0.7f增加 B. Auf减小 ，2Δf0.7f减小

C. Auf增加 ，2Δf0.7f减小 D. Auf减小 ，2Δf0.7f 增加

5．有两个放大器A1和A2分别对同一电压信号放大。当输出端开路时，A1和A2输出电压相同。而接入相同的负载电阻后，uo1 >uo2 。由此可知，A1比A2的（ ）。

A．输出电阻大 B．输出电阻小 C．输入电阻大 D．输入电阻小

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三、 电路如图3所示。已知：EC=12V，RB1= RB1=150kΩ，Rc=5．1kEC Ω，RL=3 kΩ，Cl=C2=C3=47μF，晶体

RC 管的β=50，UBEQ=0．7V。

RB1 RB2 (1) 画出所示电路的直流通道

(2) 试求晶体管静态时的值IBQ、ICQ、UCEQ (本题10分)

RL

图3

四、 图4所示为具有电流源的差动放大电路。若三极管的β=50、rbb'＝0、UBE=0．6V，rce5＝200 kΩ，其他参数如图所示。求， (1) 求静态时的ICQ、UCQ值 (2) 差模增益Aud?（10分）

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uo

ui1?ui2

图4

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五、 电路如图5所示。已知：ED=24V，Rl=90kΩ，R2=25 kΩ，R3=1MΩ，RD=RS=10kΩ；场效应管的IDSS=2mA，UGS(off)= -5V；电容C1、C2、C3的值均足够大，对交流信号可以视作短路。试求：

(1) 静态工作点UGSQ、IDQ和UDSQ

(2) 画出中频微变等效电路；求电压放大倍数Aul (?（10分）

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uo)。 ui

图5

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六、 如题图6所示的深度反馈放大电路 （1） 判断反馈组态

（2） 近似估算闭环增益Au f

（10分） + ui -

图6

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+ uo -

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