材料科学与工程基本概念及其应掌握的内容

基本概念

再结晶退火、再结晶、动态再结晶、二次再结晶、 晶体、点阵、空间点阵、点阵畸变、晶胞、晶族、同质多晶、同质异构体、晶粒生长、一级相变、二级相变、珠光体相变、相图中的自由度、相平衡、连线规则、共晶转变、中间相、伪共析转变、共析转变、包晶转变、离异共晶、晶界偏聚、金属键、共价键、离子键、配位数、费米能级、能带、储存能、形变组织、临界变形量、形变织构、网络形成体、网路变性体、尖晶石结构、反尖晶石结构、线缺陷、组分缺陷、福伦克尔（Frenker）缺陷、肖特基缺陷、位错、位错滑移、交滑移、螺位错、全位错、弗兰克尔空位、非化学计量结构缺陷、孪生、空间群、点群、电子化合物、稳态扩散、上坡扩散、反应扩散、弛豫、时效、均相成核、异相成核、固溶体、索氏体、珠光体、配位多面体、高分子的数均相对分子质量（Mn）、

高分子链的构型、间同立构、平衡分凝系数、热力学势函数、活性氧、调幅分解、金属玻璃、金属间化合物、润湿、.独立组分、烧结

填空题

1. 材料的组织结构包括： 、 、 和 。

2. 在描述原子中电子的空间位置和能量的4个量子数中，其中决定体系角动量

和电子几率分布的空间对称性的是第 量子数。

3. 派生键合包括 和

4. 组合成分子轨道的条件是 、 、 和 。

5. 晶体结构= + 。

6. 晶胞的基本要素： 和 。

7. 固体的表面特性包括 、 和 。

8. 最紧密堆积的晶体结构有两种：一种是 ，每个晶胞中有 个原子；另外一种是 ，每个晶胞中 有个原子。

9. 金刚石结构中，C是 链连接，配位数为 。

10. 固态相变的驱动力是 ，阻力是 和 。

11. 金属材料常用的强化手段有 、 、 和 。

12. 在离子晶体结构中，正离子构成 ，正负离子间的距离取决于 ，配位数取决于正负离子的 。

13. 高分子链中由于 而产生的分子在空间的不同形态称为构象，高分子能够改变构象的性质称为 。

14. 形成置换固溶体的影响因素有 、 、 和 。

15. 马氏体相变的两个基本特点是 和 。

16. 多晶体材料塑性变形至少需要 独立滑移系开动。

17. 固态相变形核时，晶核形态呈圆盘状具有最小的 能，最大的 。

18. 发生固态晶体中的扩散，根据伴随原子扩散是否产生新的相结构，可以分

为 扩散和 扩散。

19. 根据界面上原子排列结构不同，可把固体中的相界面分为 、 和 。

20. Cr （原子序号24）的基态电子为 。

21. 高分子中，由于 而产生的分子在空间的不同形态称为构象，高分子

能够改变构象的性质叫 。

22. 硅酸盐晶体主要结构类型（亚类）有 、 、 、 和架状。

23. 金属间化合物通常包括受电负性控制的 ，以原子尺寸为主要控制因 素的密排相和 ，以及由电子浓度起主要控制作用的 。

24. 线性高分子可反复使用，又称为 塑料；交联高分子不能反复使用， 称为 塑料。

25. 高岭石属于层状硅酸盐结构，一层是 ，一层是 。

26. 晶体内部构造的对称要素是除C、P、Ln和Lni外的 、 和

。

27. 三元相图中，共晶点是 相平衡，自由度为 。

28. 链段是用来描述高分子的 性。

29. CaO掺杂到ZrO2 中，其中Ca2+离子置换了Zr2+离子，由于电中性要求，以 上置换同时产生了一个 缺陷，可用 缺陷反应方程来表示。

30. 固态相变形核的驱动力是 ，阻力主要是 和 。

31. 小角度晶界由位错构成，其中对称倾转晶界由 位错构成，扭转晶界 由 位错构成。

32. 强化金属材料的方法有 强化、 强化、 强化、 强化。

33. 晶体按对称性可分为 晶族， 晶系，总共有 种点群 和 种空间群。

34. 面心立方堆积中，晶胞的原子数为 ，它有 个四面体空隙， 个八面体空隙。

35. 铸锭三晶区指 、 和 。

36. 再结晶完成后，晶粒长大可分为 晶粒长大和 晶粒长大。

37. 马氏体相变时，新相往往在母相的一定晶面上开始形成，这个晶面称为 。

38. 晶胞是 。

39. 空间群为Fm3m的晶体结构属于 晶族， 晶系。

40. 晶体结构与它的 、 和 有关。

41. 粘土荷电的主要原因有： 、 和 。

42. 熔体结构的聚合物理论认为熔体是 的混合物，聚合物的 、 和 随熔体的组成和温度而变化。

43. 在玻璃性质随温度变化的曲线上有二个特征温度 和 ，与这 二个特征温度相对应的粘度分别为 和 。

44. 本征扩散是由 而引起的质点迁移，本征扩散的活化能由 和 两部分组成，扩散系数与温度的关系式为： 。

45. 晶体的本质 。

46. 在等大球体的最紧密堆积中有 和 二种排列方式，前者的堆 积方式是 ，后者的堆积方式是 。

47. 在面心立方晶体结构中，密排面是 。

48. 由于 的结果，必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”，组分缺陷的 浓度主要取决于： 和 。

49. 熔体中析晶的过程分二步完成，首先是 ，然后是 过程。均 匀成核的成核速率是由 因子和 因子所决定的。

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