大功率 SiC MOSFET 驱动电路设计

大功率ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ驱动电路设计

彭咏龙，李荣荣，李亚斌

（华北电力大学电气与电子工程学院，河北保定０７１００３）

摘要：在实际工程应用的基础上，针对５０ｋＷ／１ＭＨｚ的高频感应加热大功率ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ电路要求及ＳｉＣＭＯＳ－要求，在现有已经成熟应用的ＳｉＭＯＳＦＥＴ驱动电路基础上对其进行改进，研究适合工作在兆赫范围内的ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。关键词：ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ；开关特性；驱动电路；双脉冲实验中图分类号：ＴＭ１３　　　　　　文献标识码：Ｂ

ＦＥＴ开关特性进行开发研究。通过对ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开通过程特性进行详细研究，得出使其可靠、安全驱动的

文章编号：１００１－１３９０（２０１５）１１－００７４－０５

DesignofhighpowerSiCMOSFETdrivercircuit

（SchoolofElectricalandElectronicEngineering，NorthChinaElectricPower

University，Baoding071003，Hebei，China）

Abstract：Ｏｎｔｈｅｂａｓｉｓｏｆｐｒｏｊｅｃｔａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ，ｏｎｅｋｉｎｄｏｆｄｒｉｖｅｒｃｉｒｃｕｉｔｆｏｒＳｉＣＭＯＳＦＥＴｗａｓｄｉｓｃｕｓｓｅｄａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏ

ＰｅｎｇＹｏｎｇｌｏｎｇ，ＬｉＲｏｎｇｒｏｎｇ，ＬｉＹａｂｉｎ

ｔｈｅｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓｏｆ５０ｋＷ／１ＭＨｚｈｉｇｈｐｏｗｅｒＳｉＣＭＯＳＦＥＴｃｉｒｃｕｉｔ，ａｎｄｔｈｅｓｗｉｔｃｈｉｎｇｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＣＭＯＳＦＥＴ．ＴｈｒｏｕｇｈｒｅｓｅａｒｃｈｉｎｇｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｏｆｏｐｅｎｉｎｇｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＣＭＯＳＦＥＴｉｎｄｅｔａｉｌ，ｃｏｍｅｔｏｍａｋｅｉｔｓｒｅｌｉａｂｌｅ，ｓａｆｅｄｒｉｖｉｎｇｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ，ｔｏｉｍｐｒｏｖｅｉｔｉｎＳｉＭＯＳＦＥＴｄｒｉｖｅｒｃｉｒｃｕｉｔ－ｂａｓｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｎｅｘｉｓｔｉｎｇｍａｔｕｒｅ，ｒｅｓｅａｒｃｈｆｏｒｔｈｅｊｏｂｉｎｔｈｅｍｅｇａｈｅｒｔｚｒａｎｇｅｏｆＳｉＣＭＯＳＦＥＴｄｒｉｖｅｒｃｉｒｃｕｉｔ．Ｔｈｅｂａｓｉｃｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｈｅｄｒｉｖｅｒｃｉｒｃｕｉｔｕｓｉｎｇｔｅｒｓｏｆｔｈｅｇａｔｅｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ．０　引　言

碳化硅（ＳｉｌｉｃｏｎＣａｒｂｒｉｄｅ，ＳｉＣ）是一种具有宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速度和高热导率等优越电学特性的材料

［１－３］

ｄｏｕｂｌｅ－ｐｕｌｓｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓｖｅｒｉｆｙｔｈｅｂａｓｉｃｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｄｅｓｉｇｎｅｄｄｒｉｖｅｒｃｉｒｃｕｉｔａｎｄｄｅｔｅｒｍｉｎｅｔｈｅｏｐｔｉｍａｌｐａｒａｍｅ－Keywords：ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ，ｓｗｉｔｃｈｉｎｇｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ，ｄｒｉｖｅｒｃｉｒｃｕｉｔ，ｄｏｕｂｌｅ－ｐｕｌｓｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ

大，而电压UＧＳ变为负值时，ＧＳ两端的氧化层电容回增大，这会增加ＭＯＳＦＥＴ开通及关断时所需的电荷量，从而影响开关速度。故完全套用ＳｉＭＯＳＦＥＴ的驱动方式，来驱动ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ是不合理的，而是应对ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ驱动电路进行精心设计。

本文在对ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开通过程特性进行详细分析后，得出使其可靠、安全驱动的要求，在现有已经成熟应用的ＳｉＭＯＳＦＥＴ驱动电路基础上对其进行改进，研究适合工作在兆赫范围内的ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ驱动电路。从实际工程应用的角度出发，对大功率高频感应加热电路的ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ进行驱动电路开发设计，并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。１　ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ导通过程分析

ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开关过程主要受其动态特性参

，与其他材料相比其更适合在高

温、高功率和高频的特殊条件下工作，故该材料一经诞生就引起了人们的广泛关注。电力电子行业的发展一直与半导体器件的发展密切相关。在行业对高频化、大功率化提出更高要求的情况下，大功率高频感应加热技术对ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的应用也进入了积极探索阶段。

由于ＳｉＣ材料的禁带宽度和击穿场强远高于Ｓｉ等材料，故在相同的耐压水平下，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的寄生电容远小于ＳｉＭＯＳＦＥＴ，对驱动电路的寄生参数更加敏感。ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ更适合在－２Ｖ～＋２０Ｖ的驱动电压下工作，与ＳｉＭＯＳＦＥＴ的０Ｖ～＋１５Ｖ区别较—７４—

数的影响，而极间电容是动态特性参数中最主要的参数。

如图１所示为ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的内部等效模型。采用输入电容Ｃｉｓｓ、输出电容Ｃｏｓｓ和转移电容Ｃｒｓｓ来描述各极间电容的关系，以此来表征各极间电容对ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ开关过程的影响

［４－７］

电压UＧＳ线性增大，t２时刻iＤ达到最大值。UＤＳ保持ＭＯＳＦＥＴ功耗最大。

截止时的高电平不变，电压与电流产生重叠区域，

（３）t２～t３区间：从t２时刻开始，UＤＳ开始下降，

。其中，输入电容Ｃｉｓｓ

产生米勒电容效应，UＧＳ停止上升而出现平台，从ｔ２小值。

ＦＥＴ工作过程中会影响开关时间。

决定电路的ＲＣ时间常数；转移电容Ｃｒｓｓ在ＳｉＣＭＯＳ－

C到ｔ３区间电荷量等于QＧＤ，在ｔ３时刻UＤＳ下降到最

（４）t３～t４区间：UＧＳ从平台上升至给定驱动电压ｉｓｓ＝CＧＳ＋CＧＤ，Cｏｓｓ＝CＧＤ＋CＤＳ，Cｒｓｓ＝CＧＤ

（１）

Ｆｉｇ．１　图ＳｉＣ１　ＭＯＳＦＥＴＳｉＣＭＯＳＦＥＴｉｎｔｅｒｎａｌ内部等效模型

对于驱动电路设计，管子高速导通与关断两个

ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｍｏｄｅｌ

过程是设计关注的重点。图２所示为动作过程的漏极电压与漏极电流、

栅源极电压与电荷之间的关系。

Ｆｉｇ图．２　２　ＭＯＳＦＥＴＭＯＳＦＥＴｓｗｉｔｃｈｉｎｇ开关转换过程

ｐｒｏｃｅｓｓ

以图２中的（ａ）、（ｂ）ＭＯＳＦＥＴ从截止向导通转换过程为例进行分析，该过程可分为四个阶段。（１）t０～t１区间：栅极电压从０上升到门限电压

UＧＳ（ｔｈ）生变化，，但漏故将该区间称为延迟时间－源电压UＤＳ与漏极电流。

iＤ的值均不发（２）t１～t２区间：在该区间漏极电流iＤ、栅－源极

值。t４时刻以后，ＭＯＳＦＥＴ管进入导通状态。

由图２可知，管子的开通与关断的变化过程基本相同，只是时间顺序相反。

由以上分析可知，与普通的ＳｉＭＯＳＦＥＴ驱动电路相比，工作在兆赫频率范围内的ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ，其驱动电路设计要做以下改进：

（１）驱动电路延迟时间要更小，以减小开关死区时间，提高变换器的控制精度和效率，通常工作在兆赫兹的管子其延迟时间在１０ｎｓ左右。

（２）为减小平台的持续时间，驱动电路峰值电流Iｍａｘ要更大，以缩短密勒电容的充放电时间，提高开关速度。

（３）增大栅源极电压变化率ｄuＧＳ极电压上升时间和下降时间。／ｄt，缩短栅源

２　驱动电路设计

由于ＭＯＳＦＥＴ的工作频率及输入阻抗高，容易被干扰，故驱动电路应具有良好的电气隔离性能，以实现主电路与控制电路之间的隔离，使之具有较强的抗干扰能力，避免功率级电路对控制信号的干扰

［８－１０］

。所以在选取驱动电路时，本文只考虑隔离

驱动电路。

隔离驱动可分为电磁隔离与光电隔离。采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离，是一种电路简单可靠，又具有电气隔离作用的电路，但其对脉冲的宽度有较大限制，若脉冲过宽，磁饱和效应可能使一次绕组的电流突然增大，甚至使其烧毁，而若脉冲过窄，

为驱动栅极关断所存储的能量可能不够。光电隔离，是利用光耦合器将控制信号回路和驱动回路隔离开。该驱动电路输出阻抗较小，解决了栅极驱动源低阻抗的问题，但由于光耦合器响应速度较慢，因而其开关延迟时间较长，限制了适应频率。故本文采用如图３所示的改进光耦合器驱动电路，速度更快，性能更好。３　驱动电路详细设计

本文针对大功率５０ｋＷ／１ＭＨｚ的高频感应加热

—７５—

电路系统的工作性能和运行安全。

内含短路检测、门极米勒钳位、软关断保护功能。芯片供电电压为＋５Ｖ。脉冲输入采用施密特特性的ＣＤ４０９３进行整形；门极米勒嵌位三极管外置，保证主回路中的另外ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ导通时的电压尖峰，不会通过米勒电容对该驱动器门极造成虚高电位导致

图３　改进光耦合器隔离驱动原理图ＢＭ６１０４ＦＶ为开关频率高达１ＭＨｚ的驱动芯片，

ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ管直通，因此电路设计从门极电阻后端

Ｆｉｇ．３　ＳｃｈｅｍａｔｉｃＳｉＣｏｐｔｏｃｏｕｐｌｅｒｏｆｉｍｐｒｏｖｅｄｄｒｉｖｅｒ

极触发ＭＯＳＦＥＴ，以及对工作过程中的故障做出快速判断及驱动进行开发，ｉｓｏｌａｔｉｏｎ

用来实现逆变桥臂的门动作。

驱动电路的主要功能为接收逆变板的脉冲进行功率放大，检测ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的短路故障及驱动器的原副边欠压故障ＭＯＳＦＥＴ、副边正负供电电源故障、并联ＳｉＣ除短路故障为管丢脉冲故障６１０４芯片内部短时锁定外、桥板水冷系统的超温故障，其他故障

。均设计为带自锁的故障，所有故障汇总在一起，由光耦进行总的报警输出。

根据电路功能要求，本文将驱动电路主要分为脉冲整形放大与故障检测两部分。电路功能框图如图４、图５

所示。

Ｆｉｇ．４　Ｐｕｌｓｅ图４　ｓｈａｐｉｎｇ脉冲整形放大电路框图

ａｍｐｌｉｆｉｅｒｃｉｒｃｕｉｔｂｌｏｃｋ

ｄｉａｇｒａｍ

Ｆｉｇ．５　图Ｆａｕｌｔ５　故障检测电路框图

ｄｅｔｅｃｔｉｏｎｃｉｒｃｕｉｔｄｉａｇｒａｍ整形放大部分：其主要功能为实现驱动脉冲的功率放大。本文采用专门用于ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ的高速驱动芯片ＩＸＤＤ６１４双管并联实现，该芯片不仅可满足驱动电路高速、低传输延迟时间、低输出阻抗、低能耗等要求。并且该芯片具有使能控制端，当使能端为低电平时，输出为高阻状态。

故障检测部分：其主要功能是实现过流故障检测。过流保护是开关器件应用的关键技术，过流保护的好坏直接关系到ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ器件本身及整个—７６—

嵌位。

由于外扩软关断电路及芯片内部短路检测电压较低的原因，本文对芯片外部配置的过流检测电路进行改进，使该检测电路输出控制外扩功率管输出高阻态，同时控制软关断电路进行软关断。软关断进行到一定电压，ｐｒｏｏｕｔ引脚进行相应电平的检测，下降到某一电压（芯片内部设定），６１０４芯片输出低电压，关断ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ管。

过流保护及软关断电路如图６所示，过流保护电路采用比较器ＬＭ３３９进行过流值比较，输出为ＳＣ，一路给定９０１３三极管对ＩＸＤＤ６１４进行控制，一路给定软关断电路进行软关断。考虑到１０只并联管子软关断的一致性，

采用门极电阻前端软关断。

Ｆｉｇ图．６　６　过流保护及软关断电路图

Ｏｖｅｒｃｕｒｒｅｎｔｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎａｎｄ

综合故障锁存及复位电路如图ｓｏｆｔ－ｓｈｕｔｄｏｗｎｃｉｒｃｕｉｔｄｉａｇｒａｍ７所示。本电路对故障进行相应锁存、指示，汇总为１路光耦故障供外电路使用。其中板内故障共分五路，两种电位。丢脉冲故障、正电平故障、负电平故障、超温故障为高电位故障，驱动芯片提供的原副边欠压故障、短路故障为低电位故障。电路采用光耦进行隔离后进入锁存电路，并提供相应的ＬＥＤ显示；其余四路故障通过比较器ＬＭ３３９和设置门槛进行比较然后进入锁存电路进行锁存，提供相应的ＬＥＤ显示。复位电路外

接＋２４ＶＤＣ逻辑电平，对上述锁存电平进行复位。

Ｆｉｇ．７　Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅｆａｕｌｔｌａｔｃｈａｎｄ

ｒｅｓｅｔｃｉｒｃｕｉｔｄｉａｇｒａｍ

４　驱动实验与分析

图７　综合故障锁存及复位电路图

由于本文所采用的ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ工作频率在兆赫范围内，保证其以最小的开关损耗安全快速的完成开通本身ＳｉＣ、关断转换成为该驱动电路设计的关键。

，还与外电路参数有关ＭＯＳＦＥＴ的开关快慢并不完全取决于器件

。而驱动电路门极电阻

Rｇ的大小即可强烈地影响其在开关过程中是否振荡、关断时的电压尖峰是否太大以及二极管的反向恢复电流是否合适等问题，故本文采用双脉冲测试法，动态调节该参数的大小，以评估确定最佳的驱动电路Rｇ数值大小及确定是否需要设置ＲＣ缓冲保护电路来吸收ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ快速关断导致的浪涌电压，防止器件击穿。

需要说明的是，图８中Vｇ的门极被短接，处于关断状态，仅发出两个脉冲Ｍ；Ｍ２

２仅在Ｍ１关断时起续流二极管的作用，Ｍ１才是我们要观测的对象；流经管子的电流IＤ＝VＤＤ倡t／L，故实验时，流经管子电流的大小可通过调节其他参数大小来控制。实验参数如表１所示。

通过对图９（ａ）～图９（ｃ）实验波形对比分析可知，过小数值的Rｇ会使主电路中ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ电压、电流产生严重振荡，给器件带来非常不利的影响，增大Rｇ程的振荡的数值可以有效抑制。

ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ开通关断过

对比图１０实验波形可知，增大Rｇ减小振荡，但ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开关时间及开关损耗会的数值虽然会

增加。

表１　实验参数

参数

型号／大小直流电压VＤＤ

３００Ｖ电感L１００μＨ

开关器件M１／M２

ＳＣＨ２０８０ｋｅ（１２００Ｖ／３５Ａ）

驱动脉冲Vｇ＋１５Ｖ／－３Ｖ门极电阻R１Ω／５Ω／

１５Ω

Ｆｉｇ图．８　８　双脉冲实验电路图及波形图

ｄｉａｇｒａｍＣｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｄｉａｇｒａｍａｄｏｕｂｌｅ

ａｎｄｐｕｌｓｅｗａｖｅｆｏｒｍ

图９　RＦｉｇ．ｇ９　＝１Ω／５Ω／１５Ω电压、感应加热电源设计中为保证开关器件安全快速ａｎｄR电流波形图

ｇｃｕｒｒｅｎｔ＝１Ω／５Ω／ｗａｖｅｆｏｒｍｓ

１５Ωｖｏｌｔａｇｅ

的动作，常采用增加阻容吸收电路的方式来保证电路的可靠运行。阻容吸收电路不仅可以实现过电压保护，还可以抑制谐振和消除谐波。

文中采用如图１１所示的过电压吸收效果好且电路结构简单的ＲＣＤ缓冲电路，通过电容的充放电和电阻的能量消耗来吸收和消耗电路接通断开时感性负载产生的自感电动势，避免开关器件的过电压击穿；采用快速二极管ＶＤ来防止浪涌电压的振荡。ＦＥＴ不因其快速关断为了尽可能的减小开关损耗又保证，漏极电流ｄi／ｄＳｉＣＭＯＳ－

峰电压，导致器件击穿损坏，故在折中考虑后t突变产生的尖，最终确定在加ＲＣ缓冲电路的基础上，将驱动电路的门极

电阻设置为５Ω。

—７７—

图１０　R．１０　ｇ＝５Ω／１５Ω开通时电压、电流波形图

ＦｉｇａｎｄRｇ＝５Ω／ｃｕｒｒｅｎｔ１５Ωｗａｖｅｆｏｒｍｓ

ｔｕｒｎ－ｏｎｖｏｌｔａｇｅ

Ｆｉｇ图．１１　１１　ＲＣＤＲＣＤ阻容吸收电路

ｓｎｕｂｂｅｄｃｉｒｃｕｉｔ

５　结束语

本文根据高频感应加热电路设计要求，针对新型开关器件ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开关特性，对其驱动电路进行开发设计，在对ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开通过程特性进行详细分析后，得出使其可靠、安全驱动的要求，在现有已经成熟应用的ＳｉＭＯＳＦＥＴ驱动电路基础上对其进行改进，重点分析研究了驱动电路中的整形放大故障检测部分，并通过双脉冲实验对门极电阻Ｒｇ进行动态调节，在较小开关损耗下，确定了最佳大小的Ｒｇ得到良好的ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ开关波形，该实验也验证了所设计驱动电路基本工作特性的有效性。

参考文献

［１］田颖，陈培红，聂圣芳，等．功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路设计与应用

［Ｊ］．电力电子技术，２００５，３９（１）：７３－７５．

ＴｉａｎｔｉｏｎＹｉｎｇ，ＣｈｅｎＰｅｉｈｏｎｇ，ＮｉｅＳｈｅｎｇｆａｎｇ，［Ｊ］．ｏｆＰｏｗｅｒｐｏｗｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＭＯＳＦＥＴｄｒｉｖｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｅｔ，２００５，ｃｉｒｃｕｉｔａｌ．Ｄｅｓｉｇｎ３９（１）：ｂａｓｅｄａｎｄ７３－ｏｎ７５．

ＥＸＢａｐｐｌｉｃａ８４１－［２］汪西川．常用电子器件原理及典型应用［Ｍ］．北京：机械工业出

版社，２０１２：１５０－１５４．

［３］严寒松，周伟松，王培清，等．高频感应加热电源功率器件ＭＯＳ－

—７８—

ＦＥＴＹａｎ驱动电路［Ｊ］．电力电子技术，２００７，４１（４）：９１－９３．

ＭＯＳＦＥＴＨａｎＳｏｎｇ，ＺｈｏｕＷｅｉｓｏｎｇ，ＷａｎｇＰｅｉｑｉｎｇ，ｅｔａｌ．Ｄｅｓｉｇｎｏｆｐｏｗｅｒ［Ｊ］．ＰｏｗｅｒｄｒｉｖｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｃｉｒｃｕｉｔｆｏｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｈｉｇｈｆｒｅｑｕｅｎｃｙ，２００７，ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ４１（４）：９１ｈｅａｔｉｎｇ－９３．

ｓｕｐｐｌｙ［４］张旭，陈敏，徐德鸿．ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ驱动电路及实验分析［Ｊ］．电

源学报，２０１３，（３）：７１－７６．

ＺｈａｎｇｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌＸｕ，ＣｈｅｎａｎａｌｙｓｉｓＭｉｎ［，Ｊ］Ｘｕ．ＳｕｐｐｌｙＤｅｈｏｎｇＪｏｕｒｎａｌ．ＳｉＣ，ＭＯＳＦＥＴ２０１３，（３）：ｄｒｉｖｅｒ７１ｃｉｒｃｕｉｔ－７６．

ａｎｄ［５］程凯，孙凤超．ＭＯＳＦＥＴ驱动电路类型的研究与测试［Ｊ］．今日电

子，２０１３，（５）：５２－５４．

［６］侯铁年，马怀俭．功率－ＭＯＳＦＥＴ开关特性与参数的测试电路及

方法［Ｊ］．电测与仪表，２００２，３９（４）：２７－３０

ＨｏｕｆｏｒｍａｎｃｅＴｉｅｎｉａｎ，ＭａＨｕａｉｊｉａｎ．Ｍｅａｓｕｒｅｃｉｒｃｕｉｔａｎｄｍｅｔｈｏｄｏｆｓｗｉｔｃｈｐｅｒ－［７］ｕｒｅｍｅｎｔ王志强，＆ａｎｄ王莉Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎｐａｒａｍｅｔｅｒｆｏｒ．一种新颖的，ｐｏｗｅｒ２００２，－ＭＯＳＦＥＴ３９（４）ＭＯＳＦＥＴ驱动：２７［电路－Ｊ３０］．ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＭｅａｓ－［Ｊ］．电力电子技

术，２００５，３９（１）：９２－９４．

ＷａｎｇｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＺｈｉｑｉａｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＷａｎｇＬｉ，．２００５，Ａｎｏｖｅｌ３９（１）ＭＯＳＦＥＴ：９２ｄｒｉｖｅｒ－９４．

ｃｉｒｃｕｉｔ［Ｊ］．Ｐｏｗ－［８］廖志凌，李华，贾洪平．一种简单实用的过流检测与保护电路设

计［Ｊ］．电测与仪表，２００３，４０（１０）：３２－３３，４０

ＬｉａｏｄｅｓｉｇｎＺｈｉｌｉｎｇｆｏｒｄｅｔｅｃｔｉｎｇ，ＬｉＨｕａ，ＪｉａＨｏｎｇｐｉｎｇ．Ａｓｉｍｐｌｅａｎｄｐｒａｃｔｉｃａｌｃｉｒｃｕｉｔｕｒｅｍｅｎｔ＆Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎｏｖｅｒ－ｃｕｒｒｅｎｔ．数字ＩＧＢＴ，驱２００３，ａｎｄ动保护４０（１０）ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ电路：设３２［计－Ｊ］［３３，．ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＪ］．电４０．

Ｍｅａｓ－［９］于飞，朱炯测与仪表，

２０１４，５１（１０）：１１６－１１９．

ＹｕＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＦｅｉ，ＺｈｕＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔＪｉｏｎｇ．Ｄｅｓｉｇｎ＆ＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎｏｆｄｉｇｉｔａｌＩＧＢＴ，２０１４：ｄｒｉｖｅｒ５１（１０）：ａｎｄｐｒｏｔｅｃｔ１１６ｃｉｒｃｕｉｔ－１１９．［Ｊ］．［１０］高萍，刘刚，孙莉平．ＩＧＢＴ过流保护实用整定方法研究［Ｊ］．黑

龙江电力，２００９，３１（５）：３５６－３５８．

作者简介：

彭咏龙（１９６６—），男，博士，硕士生导师，研究方向为电力电子在电力系统中的应用。Ｅｍａｉｌ：９４８９２６８６４＠ｑｑ

．ｃｏｍ

李荣荣（１９８９—）女，硕士，研究方向为电力电子在电力系统中的应用。Ｅｍａｉｌ：８５９９４３２０４＠ｑｑ

．ｃｏｍ

李亚斌（１９７０—），男，博士研究生，讲师，研究方向为电力电子在电力系统中的应用。Ｅｍａｉｌ：ｌｉｙａｂｉｎ２０１３＠１２６．ｃｏｍ。

收稿日期：２０１４－０４－２５；修回日期：２０１４－０７－２２

（王克祥　编发）

大功率 SiC MOSFET 驱动电路设计

作者：

作者单位：刊名：英文刊名：年，卷(期)：

彭咏龙， 李荣荣， 李亚斌， Peng Yonglong， Li Rongrong， Li Yabin华北电力大学电气与电子工程学院,河北保定,071003电测与仪表

Electrical Measurement & Instrumentation2015(11)

引用本文格式：彭咏龙.李荣荣.李亚斌.Peng Yonglong.Li Rongrong.Li Yabin 大功率 SiC MOSFET 驱动电路设计[期刊论文]-电测与仪表 2015(11)

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/alcm.html