实验5-1 半导体激光器的特性测试实验

光信息专业实验指导材料（试用）

实验5－1 半导体激光器的特性测试

[实验目的]

1、通过测量半导体激光器工作时的功率、电压、电流，画出P-V、P-I、I-V曲线，让学生了解半导体的工作特性曲线；

2、学会通过曲线计算半导体激光器的阈值，以及功率效率，外量子效率和外微分效率，并对三者进行比较；

3、内置四套方波信号或者外加信号直接调制激光器，通过调整不同的静态工作点，和输入信号强度大小不同，观察到截至区，线性区，限流区的信号不同响应（信号畸变，线性无畸变），了解调制工作原理。

[实验仪器]

实验室提供：半导体激光器实验箱（内置三个半导体激光器），示波器，两根电缆线。

[实验原理]

半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产生激光的具体过程比较特殊。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。

半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。

半导体激光器具有体积小、效率高等优点，广泛应用于激光通信、印刷制版、光信息处理等方面。

一、半导体激光器的结构与工作原理

1.半导体激光器的工作原理。

半导体材料多是晶体结构。当大量原子规则而紧密地结合成晶体时，晶体中那些价电子都处在晶体能带上。价电子所处的能带称价带（对应较低能量）。与价带对应的高能带称导带，价带与导带之间的空域称为禁带。当加外电场时，价带中电子跃迁到导带中去，在导带中可以自由运动而起导电作用。同时，价带中失掉一个电子，相当于出现一个带正电的空穴，这种空穴在外电场的作用下，也能起导电作用。因此，价带中空穴和导带中的电子都有导电作用，统称为载流子。没有杂质的纯净半导体，称为本征半导体。如果在本征半导体中掺入杂质原子，则在导带之下和价带之上形成了杂质能级，分别称为施主能级和受主能级。有施主能级的半导体称为n型半导体；有受主能级的半导体称这p型半导体。n型半导体主要由导带中的电子导电；p型半导体主要由价带中的空穴导电。

半导体激光器中所用半导体材料，掺杂浓度较大，n型杂质原子数一般为2～5×1018cm-1；p型为1～3×1019cm-1。

半导体材料中，从p型区到n型区突然变化的区域称为p-n结。其交界面处将形成一空间电荷区。n型半导体中的电子要向p区扩散，而p型半导体中的空穴要向n区扩散。这样一来，结构附近的n型区由于是施主而带正电，结区附近的p型区由于是受主而带负电。在交界面处形成一个由n区指向p区的电场，称为自建电场。此电场会阻止电子和空穴的继续扩散（见图5.1.1）。

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图5.1.1 自建电场的示意图

若在形成了p-n结的半导体材料上加上正向偏压，p区接正极，n区接负极。显然，正向电压的电场与p-n结的自建电场方向相反，它削弱了自建电场对晶体中电子扩散运动的阻碍作用，使n区中的自由电子在正向电压的作用下，又源源不断地通过p-n结向p区扩散，在结区内同时存在着大量导带中的电子和价带中的空穴时，它们将在注入区产生复合，当导带中的电子跃迁到价带时，多余的能量就以光的形式发射出来。这就是半导体场致发光的机理，这种自发复合的发光称为自发辐射。

要使p-n结产生激光，必须在结构内形成粒子反转分布状态，需使用重掺杂的半导体材料，要求注入p-n结的电流足够大（如30000A/cm2）。这样在p-n结的局部区域内，就能形成导带中的电子多于价带中空穴数的反转分布状态，从而产生受激复合辐射而发出激光。

2．半导体激光器结构。

如图5.1.2为半导体激光器结构图，其外形及大小与小功率半导体三极管差不多，仅在外壳上多一个激光输出窗口。夹着结区的p区与n区做成层状，结区厚为几十微米，面积约小于1mm2。

图5.1.2 半导体激光器的结构图

半导体激光器的光学谐振腔是利用与p-n结平面相垂直的自然解理面（110面）构成，它有35％的反射率，已足以引起激光振荡。若需增加反射率可在晶面上镀一层二氧化硅，再镀一层金属银膜，可获得95％以上的反射率。

一旦半导体激光器上加上正向偏压时，在结区就发生粒子数反转而进行复合。 二、半导体激光器的工作特性

1.22.5 V－I 2 0.8 1.5 1 0.4 0.5P－ I 输出功率（mW）00510152025工作电流（mA）0 2

工作电压（V）

图5.1.3半导体激光器的工作特性曲线

图5.1.3给出了典型的半导体激光器的工作特性示意图，其中实线是输出光功率和工作电流的关系曲线（P－I曲线）；图中的虚线是工作电压和工作电流的关系曲线（V-I曲线），它基本是由两段斜率不同的直线构成，一般LD在极小的电流状态下，电压已经较大了，所以一般测量时，只能看到第二段，第二段是LD的串联电阻（LD本身的电阻特性）与通过LD的电流的结果。

1． 阈值电流（Ith）。

当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达到阈值电流时，p-n结产生激光。影响阈值的几个因素：

a) 晶体的掺杂浓度越大，阈值越小。 b) 谐振腔的损耗越小（如增大反射率），阈值越低。

c) 与半导体材料结型有关，异质结阈值电流比同质结低得多。目前，室温下同质结

的阈值电流大于30000A/cm2；单异质结约为8000A/cm2；双异质结约为1600A/cm2。现在已用双异质结制成在室温下能连续输出几十毫瓦的半导体激光器。

d) 温度愈高，阈值越高。100K以上，阈值随T的三次方增加。因此，半导体激光器

最好在低温和室温下工作。 e) 阈值电流（Ith）的测量方法。

450400输出光功率（uW）3503002502001501005000P-IdP/dId2P/dI2d c b 510a 15 工作电流（mA）2025

图5.1.4 半导体激光器的工作特性曲线

图5.1.4给出了典型的半导体激光器的特性示意图，其中的实线是输出光功率和工作电流的关系，虚线是对功率和电流的关系一次求导的结果，划线是对功率和电流的曲线的二次求导的结果。一般对阈值的描述常用的有下述几种过程：a，在P-I曲线的快速上升段上取其中的线性部分延长线与横坐标的交点；b，把荧光部分和激光部分分别近似看成两条直线，那么两条直线的交点就是阈值；c，在dP-dI的曲线上，取上升延的中点（10％和90％两点的中点）所对应的电流值；d，d2P/dI2的顶点所对应的电流值作为阈值点。

2． 发散角。

由于半导体激光器的谐振腔短小，激光方向性较差，在结的垂直平面内，发散角最大，可达20°-30°；在结的水平面内约为10°左右。（由于实验中我们使用的LD是已经准直后的LD，所以没有安排这部分实验）

3．效率

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a) 外量子效率：

?ex?P/h?激光器每秒钟发射的光子数＝ex激光器每秒钟注入的电子?空穴对数I/e0

其中Pex为激光器输出光功率，h为普朗克常数，e0为电荷常数，I为工作电流。一般77K时，GaAs激光器外量子效率达70％－80％；300K时，降到30％左右。 b) 功率效率

?p?激光器辐射的光功率Pex ＝激光器消耗的电功率VI由于h??Eg?e0V，所以功率效率可以近似为外量子效率。其中V为激光器工作电压。

c) 外量子微分效率

由于激光器是阈值器件，当I小于Ith时，发射功率几乎为零，而大于阈值以后，输出功率随电流线性增加，所以用外量子效率和功率效率对激光器的描述都不够直接，所以定义了外量子微分效率。

?D?(Pex?Pth)/h?Pex/h??(I?Ith)/e0(I?Ith)/e0

由于各种损耗，目前的双异质结器件，室温时的ηD最高10％，只有在低温下才能达到30％－40％。 4．光谱特性。

由于半导体材料的特殊电子结构，受激复合辐射发生在能带（导带与价带）之间，所以激光线宽较宽，GaAs激光器，室温下谱线宽度约为几纳米，可见其单色性较差。输出激光的峰值波长：77K时为840nm；300K时为902nm。 三．半导体激光器的调制特性

激光具有极好的时间相干性和空间相干性，它与无线电波相似，易于调制，且光波的频率极高，能传递信息的容量很大。加之激光束发散角小，能量高度集中，既能传输较远距离，又易于保密。因而为光信息传递提供了一种理想的光源。

我们把欲传输的信息加载于激光副射的过程称为激光调制，把完成这一过程的装置称为激光调制器，由已调制的激光辐射中还原出所加载信息的过程称为解调。由于激光起到“携带”信息的作用，所以称其为载波。通常将欲传递的信息称为调制信号。被调制的激光称为已调波或调制光。

激光调制分为内调制和外调制两类。外调制即间接调制，是指加载调制信号是在激光形成以后进行的，即调制器置于激光谐振腔外，在调制器上加调制信号电压，使调制器的某些物理特性发生相的变化，当激光通过它时即得到调制。所以外调制不是改变激光器参数，而是改变已经输出的激光的参数（强度、频率等）。由于内调制即直接调制在波长上引入啁啾，所以外调制是当前人们较重视的一种调制方法。激光间接调制的方法由调制器依据的原理不同可分为电光调制、声光调制、磁光调制等。

直接调制是指加载的调制信号是在激光振荡的过程中进行，以调制信号的规律去改变振荡的参数，从而达到改变激光输出特性实现调制的目的。例如通过直接控制激光泵浦源来调制输出激光的强度。内调制也可在激光谐振腔内放置调制元件，用信号控制调制元件，以改变谐振腔的参数，从而改变激光输出特性实现调制。

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由于直接调制技术具有简单、经济、容易实现等优点，是低速光纤通信中最常采用的调制方式，但只适合用于半导体激光器和发光二极管，这是因为发光二极管和半导体激光器（对激光器来说，阈值以上部分）基本上与注入电流成正比，而且电流的变化转换为光频调制也呈线性，所以可以通过改变注入电流来实现光强度调制。 直接调制会引入光源的啁啾，这在长途系统中会引入较大的色散，使传输质量变差，特别是在高速传输系统中，应尽量避免。

直接调制的原理图如图5.1.5。

P I P I a,模拟信号工作在线性区 b,模拟信号工作在截至区 P I 限流点 c,模拟信号工作在饱和区

图5.1.5 半导体激光器的直接调制原理图

上图给出了直接光强度调制的原理示意图，每个图形下面的曲线是要调制的电流信号，右边是调制后输入的光电流信号。从图a中可以看出输入信号和输出信号失真度很小，这种状态下的工作点基本位于线性工作区的中间。图b是工作在截至区的特性，由于工作电流偏低，所以有一部分信号畸变很大，造成信号失真。图c是工作在饱和区（注：任何半导体激光器都会有一个电流上限，从保护激光器和激光器的寿命考虑，设计电路时限流点

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都会小于这个电流上限的20～40%左右）。

因为半导体激光器的结电容特性，直接调制的带宽并不能像上面图中画的那样理想工作，激光器对于不同的输入频率，响应并不相同，一般频率越高，输出的光强调制振幅越小。半导体激光器的带宽定义为当输入信号的振幅相同的情况下，输出光强度调制是低频调制下振幅的1/2时的频率，（现在最高速的调制是10GHz带宽，但我们实验中使用的PN结较大，所以带宽为15KHz左右）。

[实验内容]

1、测试半导体激光器的阈值电流

通过调节半导体激光器的工作电流，观察激光器的输出功率，找到阈值电流。 提示：

1）开机前，检查工作点旋钮是否逆时针旋转到头（将工作点调整旋钮顺时针、逆时针轻轻转动一下，通过手感可以判断是否达到最小，注意不要大力硬行旋钮。）； 2）实验箱中集成了三个半导体，测试其中两个半导体激光器的阈值电流。 3）实验完毕将工作电流旋钮旋转到最小，关机。 2、计算功率效率、外量子效率和外微分效率。 3、观察半导体激光器的调制特性曲线。

通过调节不同区域的电流工作点，观察半导体激光器的调制特性，从而了解半导体激光器的性能。 提示：

1）半导体激光器实验箱内置的是方波信号，当其输出到示波器时，看到的信号本身有失真。 2）准确掌握示波器的用法。

[必做思考题]

1、在图5.3中，V-I曲线的第一段（左面部分）的斜率远远大于第二段（右边部分），如何解释这种现象（提示从二极管工作特性考虑）。 2、为什么LD开机和关机时，工作电流要调整到最小（工作点旋钮要逆时针调整到最小）？ 3、在半导体激光器的电流和输出光功率的曲线中（P-I），为什么最后的斜率变小？（提示从探测器饱和特性考虑）

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