材料发射率是表征材料表面辐射特性的物理量

材料光谱发射率的测量方法的研究总结 摘要：

本文主要系统介绍了目前材料光谱发射率的测量方法（黑体法，红外傅里叶光谱法，多波长法）,在社会上的应用，展望了发射率测量技术的目前存在的问题及发展趋势。

关键字：发射率 测量方法 傅里叶光谱 多波长 1，引言：

光谱发射率是衡量热辐射体辐射本领的重要依据之一，研究和测量材料发射率对于揭示材料的热辐射特性、提高辐射加热效率、寻找节能新途径都有重要的现实意义。材料表面发射率与材料组分和结构、表面温度、表面粗糙度等许多因素有关。发射率的测量依赖于表面温度的精确测定，由于接触法测温一方面会改变物体表面温度场的分布从而带来一定的测量误差，另一方面温度传感器和待测表面接触的紧密程度也会影响测量结果的精度1，所以要提高发射率的测量精度必须首先解决好表面温度的精确测定问题。[1]

为了能够清楚地看出发射率与波长的关系，高温状态下的光谱发射率的测试，对研究光谱选择性辐射表面的材料和涂层尤为重要。因此连续光谱发射率的准确测量．一直是世界各国普遍关注的焦点。 2，测量方法

[2]

2.1谱辐射线性度分析双温黑体法[3-5]

光谱辐射测量系统线性度反映出测量装置对单色辐射能量的响应情况。材料光谱发射率的测量建

立在线性度良好的前提上。本文提出双温黑体法，即采用另一个同样的黑体辐射源替代测量装置中样品加热器的位置，模拟发射率测量状况进行测量来验证测量系统的线性度。采用两个黑体和统计测量的方法消除黑体本身漂移带来的影响，而且可以在不同信号大小情况下验证线性度。两个黑体采用ISOTECH 976黑体炉，其空腔尺寸为Φ65mm×200mm，工作温度范围为30(室温为20℃时)～550℃，控温稳定性<0．2℃，空腔有效发射率>O．995。黑体测温用标准铂电阻温度计在中国计量科学研究院标定。两个黑体的温度分别设置为Tb1，和Tb2，以产生不同大小的黑体辐射。黑体辐射信号比为Rb，环境温度为Tam。，且假设黑体炉发射率为1。当不同大小的两个黑体辐射信号，根据测量原理式(3)以及普朗克定律，得到测量系统的线性度为：

(4)

假设两个黑体在各波段的有效辐射随温度的变化一样，则当黑体温度相同时，测量电压比信号R6应为1；当黑体温度不同时，根据式(4)则M也应为1。M越接近1，测量系统的线性度就越好。本文分别设置两个黑体温度，在不同的温度点，即不同的辐射信号比条件下验证了测量系统的线性度，见表1。

如表1所示，当黑体设定温度不同，即被测辐射体辐射信号不同时(替代样品的黑体温度设定低于原参考黑体)，电压比Rb显著小于1，而且波长越小，偏差越大，说明黑体光谱信号在短波长附近对温差的影响较敏感，M大多数情况下约为1表明线性度良好，而且当辐射信号比越大越接近于1，即两黑体温差相对越小，测量系统的线性度越好。

实际测量中由于通常测量样品为发射率较高的材料，被测样品与黑体辐射源的信号比大部分在0．5以上，与线性度实验中情况相比更加接近于l。因此实际测量材料发射率时，测量系统非线性的影响明显好于验证实验。

值得注意的是，在测量波长的两端，即2000nm和15000m附近，出现明显的偏差。2000nm附近结果大于1，而15000nm附近小于1。

15000nm出现的结果明显小于1的情况，分析证明被测的辐射信号受到截止滤光片在15000nrn附近漏过的二级光谱辐射的影响而增大。通过修正，15000nm处光谱辐射线性度良好。而且7000nrll处截止滤光片透射比约为0．002，7000m以下截止滤光片影响可以忽略。2000m出现的线性度结果明显大于1的问题，分析是由于受到杂散辐射影响。在本文实际测量的样品发射率条件下，测量系统非线性对发射率测量的信号比的影响很小，大多数测量条件下可以忽略。

同时采用双单色仪或增加必要数量的带通滤光片，可显著减小到达探测器的

杂散辐射通量。采用短波光谱响应度高、中长波光谱响应度低的探测器也可减小杂散辐射对探测器输出的影响。

2.2能量法[6-8]

基本原理是直接测量样品的辐射功率，根据普朗克或斯忒藩一玻耳兹曼定律和发射率定义计算出样品表面发射率值。由于目前辐射的绝对测量尚难达到较高精度，故一般均采用能量比较法，即在同一温度下用同一探测器分别测量绝对黑体及样品的辐射功率，两者之比就是材料的发射率值。”

从上世纪60年代开始，国内外学者就开始了该方法的研究．探测器分别为无渡段选择的绝对辐射计、热电堆或单个渡段的光电探测器、分光光度计等，到近年来国内外广泛采用的傅里叶分析光谱仪进行测量。

图2 激光偏振发射率测量仪

CCD一监视器；PSC一偏振发生器；PSD一偏振检测器；DL-激光二极管；Pol—偏振器；L-透镜；S一样品； BPF一带通滤光片；PBS-薄膜束器；GTP-托马斯棱镜；F-光纤；ID-虹膜光阑；FS-视场光阑

1984年上海计量技术研究所的刘宝明等人采用分光光度计研制成功了发射率测量装置，波长范围为2．5～25 gin；温度范围为400一1 000℃；精度为3％一5％，测量时间(不含加热时间)仅需几分钟。

90年代以来，由于傅里叶分析光谱仪的发展和广泛应用，很多学者采用傅里叶分析光谱仪构成光谱发射率测量系统和装置。图3示出了日本NMIJ的基于傅里叶分析光谱仪的发射率测量装置。

图3 日本NMU的基于傅里叶分析光谱仪的发射率测量装置 ．该发射率测量装置采用了一个简单的Michelson干涉仪，光谱范围为5～12 um，探测器为光伏型的HgCdTe；温度范围为一20—100℃；测量时间约几秒。2004年作者采用傅里叶光谱仪建立了宽光谱范围和温度范围的发射率测量装置，见图4。傅里叶光谱仪采用了MCT和 Si探测器，使光谱范围从0．6um扩展到25 pm。采用了石墨直接加热技术，使试样温度可以控制在60—1 500℃范围内。配置了两个参考黑体炉：高温黑体(500—l 500℃)和低温平面黑体(60—500℃)对测量系统的杂散辐射、非线性进行校正和补偿。

图4 作者研制的发射率测量装置原理图

主要技术指标：温度范围为50—1 600℃；光谱范围为0．6—25 pan；测量精度为3％；测量时间为几秒；试样为粒子、气体、块材料。基于傅里叶分析光谱仪的能量法是近年来主要的发展方向，也代表了发射率测量的最高水平。目前该方法可以达到的技术指标：测量的温度范围从一20℃到2 000℃，测量波段从可见光到25 um以上，测量时间在1—3 s，测量精度优于3％。

2.3多波长法[9-10]

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