集成电路设计基础复习提纲

集成电路设计基础复习提纲

一 EDA常用unix命令

Ls: 显示当前目录下的文件和路径 Pwd: 显示当前文件的绝对路径. cd : 进入指定目录 more 显示文件内容

cp ;复制 rm;删除mkdir ; 创建目录 vi;创建或修改一个文件 tar;打包文件 zip ; 压缩文件unzip ;解压文件ftp：传送文件 二 基本概念 1版图设计

CIW ：命令解释窗口Library 库，Reference Library,相关库 Library Path，库路径 Cell 单元View ，视图Techfiler.tf, 工艺文件cds.lib,库管理文件 techfile.cds ，ASCII文件LSW，涂层选择窗口

display.drf ，图层显示文件 LayerPurpose Pair;涂层用途配对

，Cellview Attributes and Properties；单元视图属性，Instance，单元 2 DIVA验正

DRC,(设计规则检查)EXTRACT（提取）ERC(电路规则检查)LVS,（版图和电路图比较） Hierarchy（层次化), Flatten(平面化)，Derived Layer（导出层）, Original Layer（原始层）, Soft-Connect（软连接），Recognition Layer（识别层） ，MatchType（匹配），permute（交换），prune（删除）， 三 DIVA验正命令及操作 1 DIVA程序结构

Drc：图层工艺命令",用限制块去包含或排除特定的命令群组",改全局变量",drc/extract??drc 命令去检测

EXT 程序结构

预先设定提取设备的声明",定义设备识别层",定义终端名",定义软连接",如需??定义连接 声明",完成声明 输出 2 图层处理：

geomNot, geomCat，GeomAnd, geomOr, geomAndNot, GeomXor, geomOutside, geomInside, GeomButting, geomCoincident, geomEnclose ,geomOverlap, geomSize, geomStretch, saveDerived, copyGraphics, geomErase，

GeomXor",这个命令输出两层或多层之间非公有的部分",, geomNot(输出输入层的反),

geomCat",使所有的输入层连续。其输出包含所有的输入层?? GeomAnd",与, 输出两个不同层次或边界间的交叠部分", , geomOr",或, 输出所有的输入层",,

geomAndNot",与非,输出第一层中未被第二层覆盖的部分",。 相关命令",

geomInside",选择完全处在第二输入层中的第一输入层",, geomOutside",选择完全处在第二输入层之外的第一输入层?? GeomButting(选择与第二输入层相外切的层次), geomCoincident",选择与第二输入层相内切的层次",, geomOverlap(选择与第二输入层有公共面积的层次)。 尺寸命令",

geomSize",按输入的数值扩张或收缩输入层",,

geomStretch(扩张或收缩输入层的边界",。 存储命令",

saveDerived",将衍生层存入库中相关的视图中去",, copyGraphics",从当前分析层拷贝源层次到特定层中去",, geomErase",从所有的视图中删去指定原始图形层上的全部图形", outLayer = geomBkgnd",创建个长方形包围设计中的所有数据) geomEnclose",选择完全包含第二输入层的层次",可以内切", geomStraddle(选取个被其他多变形横跨的多边形) geomHoles(从甜甜圈图形里生成图形) 4 DRC 操作步骤及常用命令 width, notch, area, sep, enc, ovlp,

Width 线宽:检查同一输入层中内边线到内边线的距离, notch 开槽: 检查同一输入层中外边线到外边线的距离, area 面积: 检查单一输入层的面积,

sep 隔离: 检查第一输入层的外边线到第二输入层外边线的距离, enc 包围: 检查第一输入层的内边线到第二输入层外边线的距离, ovlp 覆盖: 检查第一输入层的内边线到第二输入层内边线的距离, 5 提取器件操作步骤？

根据器件版图，写出提取Nmos器件程序？ 3",提取nmos 管的程序 Via=geomOr(“via”)… ngate=geomAnd(ndiff poly1)

nsd=geomAndnot(ndiff poly1) ptap=geomAndNot(pdiff nwell)

geomConnect(via (contact metal1 nsd poly1 ptap)) subConn=geomStamp(sub ptap) extractDevice(ngate poly1(“G”) nsd(“S””D”) subConn (“B”) “nmos ivpcell”) saveRecongnition(ngate “poly1”) saveInterconnect(contact metal1 poly1 (nsd” ndiff”))

根据器件版图，写出提取Pmos器件程序？ 6 LVS 操作步骤及命令

PruneDevice",忽略特定的设备在比较中

permuteDevice",允许mos 结构与终端交换",与类似与系列设备的合并 parameterMatchType",当遇到不模糊的线路时 所调用的工艺参数技术规程 compareDeviceProperty",在版图和原理图里比较设备参数所调用的技术参数 四 设计方法

1 CIC设计流程？设计规划，建库，原理图输入，电路仿真，细胞模块版图，Topcell版图，输出GDSII，制掩膜，流片，封装测试。

2在CIC设计中建立设计库和单元的步骤？建库：进入设计项目所在的文件夹，打开命令窗口输入icfb。在ciw菜单栏选择file-craet –creat new library,选择要连接的techfiler.tf或者悬着相应的库为链接库，然后根据指示完成余下的操作 3 库的路径编辑？

4 图层的选择及绘图的方法？在lsw选择图层选择（AV/NV/AS/NS）;shift+middle mouse layer tap.lsw-edit-layer tap/[/t]选取点2次

5 版图编辑基本方法及常用命令的使用？新建，根据设计要求选择图层用不同的绘图命令绘

制和按参数编辑，连接，测试

6 GDS数据输入输出步骤？工艺文件，建库，拉动相关库，符号库，原理图编辑，版图编辑 7 pk445chip电路、模块电路设计（结构）及工作原理？

Pk445chip 主要有两个放大器",还有一个测量控制器和测量开关管",以及两个单向二极管和信号存储器组成",当一个峰值信号来到时",第一个放大器",把峰值信号跟随输出到信号存储器存储",而峰值下降时",通过第二个放大器的反馈使信号保持。在第二个峰值来到前",通过测量控制器控制MOS 开关管放电",使存储器复位。

版图设计方面主要是运放、测量控制器和测量开关管。运放采用差分同相输入",单端输出",加上一个RC 反馈网络作为频率补偿。测量控制器和测量开关管采用简单的反相器加与非门和一个NMOS 管子组成。布局布线采用自动的布局布线。

8 pk445chip版图设计的原则？匹配设计，抗干扰设计，抗寄生效应，可靠性 五 实验

1 版图编辑部分实验 lab1-3， lab1-4，lab2-4， Lab2-5 ，lab3-1—lab3-5。 2 DIVA部分实验 lab2-1， lab2-4， lab2-5， lab3-1， lab4-1， lab5-1 lab5-3 。

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