武汉科技大学考研电子技术试题及答案05-07
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武汉科技大学考研电子技术历年试题及答案,由于08年和10年文件过大,故没有上传,见谅。
武汉科技大学
2005年硕士研究生入学考试试题
课程名称: 电子技术 总页数:共4页 说明: 1、适用专业:控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。
2、可使用的常用工具:计算器、绘图工具。
3、答题内容请写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、计算题、分析题必须有解题过程,只给出答案的不给分。
一、选择填空题:(共30分,每空2分)
1、场效应管属于控制型器件,晶体三极管属于控制型器件。 A、电流; B、电感; C、电压; D、电容。 2、晶体三极管用来放大时,发射结应处于集电结应处于偏
置。
A、反向; B、90°; C、正向; D、不定。
3、 为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合,可在两者之间插
入;为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路,可在低阻输出的放大电路之后接入 。 A、共射电路; B、共集电路; C、共基电路; D、不定。
4、 多级直接耦合放大器中,影响零点漂移最严重的一级是漂移最大的一级是 。
A、输出级; B、输入级;
C、中间级; D、增益最高的一级。 5、 电流源电路在集成运放中,常作为
A、偏置; B、输入; C、有源负载; D、不定。 6、构成反馈通路的元器件是。
A、只能是电阻元件; B、只能是三极管、集成运放等有源器件; C、只能是无源器件; D、可以是无源元件,也可以是有源器件。 7、 反馈放大电路的含义是
A、 输出与输入之间有信号通路; B、 电路中存在反向传输的信号通路; C、 除放大电路外还有信号通路;
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D、电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路。 8、若希望负载变化时输出电压稳定,则应引入。
A、电流负反馈; B、电压负反馈; C、并联负反馈; D、串联负反馈。
9、当集成运放工作在线性区时,可运用和概念。 A、闭环; B、开环;
C、虚短; D、虚断。 二、(10分)写出PN结的伏安特性方程,画出相应的伏安特性曲线,并
依此分析PN结的伏安特性有何特点。 三、(25分)放大电路如图1所示。已知图中R1=1k ,R2=300k ,
R3=200 ,R4=1.8k ,R5=2k ,C1=C2=10 F,C3=100 F,R6=2k ,VCC=12V,三极管Q1的VBE=0.7V,β=50,rbb’=200 ,VT=26mV。试求:
(1) 求静态工作点IB、IC及VCE; (2) 画出微变等效电路;
(3) 计算放大电路的电压增益Av Vo/Vi
Ro。
,输入电阻Ri和输出电阻
图1
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四、(20分)已知双端输入、双端输出理想的差分放大电路如图2所示。
求解下列问题:
(1) 若vi1=1200μV,vi2=200μV,求差模输入电压vid、共模输入
电压vic的值;
(2) 若AVD=150,求差模输出电压vod;
(3) 若输出电压vo=1210 vi1-1200 vi2时,求电路的AVD、AVC和
KCMR的值。
图2
五、(20分)电路如图3所示。设运放A1、A2性能理想,R1=1k ,R2=R4=R5=10k ,R3=R6=0.98 k ,运放均用 15V供电。试求:
(1) 放大电路的电压增益AV=Vo/Vi的值;
(2) 当输入电压为直流1V时,电路能否正常工作。
图3
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六、(15分)电路如图4所示。已知:DZ的VZ= 6V,R1=R2=10k ,R3=20k ,运放A1性能理想,其最大输出电压为 12V,稳压管的反向饱和电流和动态电阻均可忽略。要求:
(1) 试分析该电路是什么电路。 (2) 请画出该电路的传输特性曲线。
图4 图5
七、(15分)逻辑电路如图5所示,图中,A、B、C、D为输入,L为输
出,U1、U2、U3均为异或门。试由逻辑电路写出真值表,并分析该电路的功能。
八、(15分)在图6(a)所示电路中,各触发器的起始状态均为0,U1为异或门,U2为或非门,U3为与非门,信号A和时钟CP的波形如图6(b)所示。试写出各个触发器的输入控制方程、输出方程、次态方程及时钟信号。
图6(a)
图6(b)
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2005年研究生入学电子技术试题答案
一、 选择填空题: 1. C、电压,A、电流 2. C、正向,A、反向 3. B、共集电路,C、共基电路 4. B、输入级,A、输出级 5. A、偏置,C、有源负载
6. D、可以是无源元件,也可以是有源器件 7. B、电路中存在反向传输的信号通路 8. B、电压负反馈 9. C、虚短,D、虚断
二、 PN结的伏安特性方程为:I=Is(eV/VT-1)
I为流过PN结的电流,Is为PN结的反向饱和电流,V为外加电压,VT为温度的电压当量,常温下,VT=26mV。 当外加正向电压,且V比VT大几倍时,I≈Is*eV/VT正向电流随正向电压的增加按指数规律增大,PN结为正向导通状态。
当外加反向电压,且V比VT大几倍时,I≈-Is ,PN结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而
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变,PN结呈反向截止状态。
由PN结的伏安特性方程的分析及其相应的特性曲线可见:PN结具有单向导电性和非线性伏安特性。
三、(1) 交流通路
:
直流通路:
VCC=IB*R2+VBE+(IB+IC)*(R3+R4),解得:IB=28 A,IC=1.4mA,VCE=6.4V
(2) rbe=rbb’+(1+β)VT/ IE =1.13 KΩ, AV=Vo/Vi=-[β*( R5|| R6)]/[ rbe+(1+β) R3] =-4.4,
Ri= R2||[ rbe+(1+β) R3]=11 KΩ, Ro≈R5≈2 KΩ
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四、(1)vid= vi1- vi2=1000μV , vic =( vi1+ vi2)/2=700μV (2) vod=AVD* vid=150mV
(3) vo=1210 vi1-1200 vi2
vo=AVD * vid + AVC * vic = AVD ( vi1-
vi2)+ AVC( vi1+ vi2)/2,
AVD=1205, AVC=5, KCMR=241
五、(1)A1、A2 均为典型的反相输入比例运算电路,即有: u01=-ui*R2/R1, u02=-u01*R5/R4,uo= u02- u01
AV=Vo/Vi= uo/ ui=20
(2)当ui =1V时,虽然uo=20V,但这是两运放输出端间的
电压,每个运放的输出电压(对地)为:u01=-ui*R2/R1=-10 V,
u02=-u01*R5/R4=10 V,由于运放的工作电压为 15V,故电路
能正常工作。
六、A的外部引入正反馈。uo= 9V,ub2= uo* /(R2+ R3)= 3V,
故该电路的阈值电压为UTH1=3V,UTH2=-3V
七、为奇偶校验器。
八、T触发器和J-K触发器是下降沿触发,D触发器是上升沿
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触发。
输入控制方程:T1=A;D2=Q
Q3;J
3=Q2,K3=Q2
输出方程:Z1=Q2+Q3,Z2=Q1·Q3
各触发器的次态方程为:Q1(n+1)=T1 Q1;Q2(n+1)=D2;
Q3(n+1)=J3Q3+K3Q3
各触发器的时钟信号为:CP1=CP2=CP,CP3=Q1
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武汉科技大学
2006年硕士研究生入学考试试题
考试科目及代码: 电子技术 418 总页数:共6页 说明: 1、适用专业:控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。
2、可使用的常用工具:计算器、绘图工具。
3、答题内容请写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、考试时间3小时,总分值150分。
5、计算题、分析题必须有解题过程,只给出答案的不给分。
二、填空题:(共35分,每空1分) 1、当外加PN结的反向电压超过某一特定电压时,反向电流急剧增大,这种现象叫 。刚开始击穿时,反向电流还不太大,若降低反向电压,PN结仍能正常工作,这种还未损坏PN结的击穿称为 。若继续提高反向电压,流过PN结的反向电流增大到一定数值时,会使PN结过热而损坏,这种造成PN结损坏的击穿称为 。 2、半导体三极管属于控制型器件,在其工作过程中,管子内部的 载流子和 载流子都起着导电作用;场效应管属于 控制型器件,在工作过程中起主要导电作用的是 载流子。 3、半导体三极管工作于放大状态时,发射结应应 偏置;工作于饱和状态时,发射结应 偏置、集电结应 偏置;工作于截止状态时,发射结应 偏置、集电结应 偏置。 4、放大电路对不同频率的正弦信号的稳态响应特性简称为由于放大电路对含有多种频率信号的 不同而产生的波形失真,称为幅值失真;由于放大电路对信号中不同频率产生的 不同而发生的波形失真,称为相位失真。 5、所谓反馈,就是将放大电路量(电压或电流)的一部分或全部,通过 网络,以一定的方式回送到 回路,并影响输入量和输出量。 6、一个逻辑函数全部最小项之和恒等于,一个逻辑函数全部最大
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项之积恒等于 。
7、将二进制数(1100100)2转换为八进制数的结果为 。 8、函数F A(B C DE)的反函数F。
9、在数字电路中,晶体三极管工作在 状态,即或者在 区,或者在 区。从电路结构上看,数字电路的基本单元电路是
和 。
10、一个五位的二进制加法计数器,由00000状态开始,经过169个输入
脉冲后,此计数器的状态为 。 11、根据功放管静态工作点位置的不同,可以用 、 和
来描述功率放大电路的工作状态。为了提高效率应尽量降低功放管的 ,使静态电流很小或为零。
12、当负反馈放大电路的反馈深度 AF 0时,会产生。 二、(10分)一硅稳压管稳压电路如图1所示,其中未经稳压的直流输入
电压UI=18V,R=1 k ,RL=2k ,硅稳压管DZ的稳定电压UZ=10V,动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。
(4) 试求UO,IO,I及IZ的值;
(5) 试求RL值降低到多大时,电路的输出电压将不再稳定。
图1
三、(25分)放大电路如图2所示。已知图中Rb1=10k ,Rb2=20k ,
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R=2k ,Rc=1k ,C1=C2=10 F,VCC=20V,三极管Q1的VBE=0.7V,β=20,rbb’=200 。DZ为理想的硅稳压二极管,其稳压值为UZ=5V。试求:
(1) 静态工作点IB、IC及VCE; (2) 画出微变等效电路;
(3) 计算放大电路的电压增益Av Vo/Vi
Ro。
,输入电阻Ri和输出电阻
图2
四、(25分)高输入阻抗型场效应管差分放大电路如图3所示。已知
gm=2mS,RL=Rd=RS=10 k ,VCC=15V。试求:
(4) 差模电压增益AVD2,共模电压增益AVC2及共模抑制比KCMR; (5) 当vi1=10 mV时,输出电压vo=?
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图3
五、(10分)电路如图4所示。设运放A1、A2性能理想,R1= R2= R3= 1k ,
R4=R5=10k ,R6=1k ,运放均用 15V供电。
(3) 分析电路的反馈极性和组态; (4) 计算放大电路的电压增益AV Vo
。
Vi
图4
六、(15分)电路如图5所示。设运放A1、A2性能理想,R2= R3,R4=2R1。
试求:
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(1) 写出放大电路的电压增益AV Vo
Vi
的表达式;
(2) 写出输入电阻Ri Vi
作的条件。
Ii
的表达式,并讨论该电路能够稳定工
图5
七、(15分)电路如图6所示。该电路由四位二进制加法器T692和“异
或”门组成,试分析该电路的功能,并加以简要说明。
图6
八、(15分)单次脉冲发生电路及其输入波形如图7所示。每按动一次按
钮S,电路能输出一个定宽的脉冲。
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(1) 分析并画出Q1、Q2的波形;
(2) 结合时序波形图简要说明电路工作原理,并指出电路输出的
单脉冲的宽度。
图7
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2006年硕士研究生入学考试电子技术试题答案
一、填空题:(共35分,每空1分) 1. 击穿,电击穿,热击穿。
2. 电流,多数,少数,电压,多数。
3. 正向,反向,正向,正向,反向,反向。 4. 频率响应,放大倍数,相移。 5. 输出,反馈,输入。
6. 1,0。 7. (144)8。 8. 9. 10. 11. 12.
A B (C D E)。
开关,截止,饱和。逻辑门,触发器。 01001。
甲类,乙类,甲乙类,静态工作点 自激振荡。
二、(10分)
RL2
18 12V UZ,
R RL1 2
DZ 被反向击穿,使输出电压稳定,
U10
故UO UZ 10V,IO O 5mA,
RL2
U UO18 10I I 8mA,IZ I IO 8 5 3mA
R1RL
(7) 当UI UZ时,DZ不能被击穿,电路不能稳压。即
R RLRL
18 10,则有RL 1.25k
1 RL(6) UI
三、(25分)
(1) 由电路的直流通路可知,基极电位VB取决于VZ和VBE,
VB=VZ+VBE=5+0.7=5.7V IB=IR2-IR1=
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VCC VBVB20 5.75.7
0.145mA Rb2Rb120 10310 103
IC= IB=20*0.145=2.9mA
VCE=VCC-ICRC-VZ=20-2.9*1-5=12.1V rbe=rbb’+(1+ )
(2) 微变等效电路图略。 (3) Av Vo/Vi=
R
i Rb1
四、(25分)
2626mV
=200+(1+20)=388.3
2.9IE
RC
rbeRb
2
20 103
51.5
388.3
rbe rbe=388.3 ,RO RC 1 k
(1) 该电路为单端输入、单端输出差分放大电路,
AVD2
=
vo21
gm(Rdvi12VOC2VSC
RL)=
1
2 (102
10)=5
AVC2==
gmVgs2(Rd
RL)
=
gm(RdRL)
Vgs2 gmVgs2 2RS
1 gm 2RS
Rd
2RS
RL
=
1010
2 20
=0.125
KCMR=20lg
AVD5
dB=20lgdB 32dB AVC0.1
共模信号为vic=(vi1 vi2) 5mV,
2
出电压为
(2) 当vi1=10 mV时,差模信号为vid=10 mV,
则输:
vo vidAVD2 vicAVC2 10 5 5 ( 0.125) 49.38 mV
五、(10分)
(1) 电压串联负反馈,且交直流兼有。
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(2) 因电压串联负反馈,则有:Vi V
f
,所以
AV
VoVi
VoV
f
R5 R6
=11 R6
六、(15分)
(1) A1为一反相输入的比例运算电路,虽然其输出端的电压也经
A2反馈到输入回路,由于引入的反馈形式为并联正反馈,但信号源内阻为零,故不影响A1组成的反相比例运算电路的电压增益,即有:
AV
Vo
Vi
(2) A2也组成反相输入比例运算电路,则有:
R2
R1
VO2
R4 R4R2
VO ( )Vi 2Vi
R3R3R1
因 Ii IR IR1
Vi VO2ViR R1 Vi,
RR1RR1
则 Ri
ViIi
RR1
,由其表达式可见,当R R1时,Ri为R R1
负电阻,电路不稳定。所以,要求R R1,才能使该电路稳定工作。
七、(15分)电路功能为一个四位并行加、减运算电路。其中,被减数为
A4A3A2A1,减数为D4D3D2D1。当X=0时,B4B3B2B1= D4D3D2D1,电路实现加法运算;当X=1时,B4B3B2B1= D4D3D2D1,电路实现减法运算。C4=0表示有借位信号。 八、(15分)
(1)JK触发器的时钟信号为输入信号CP,且为下降沿触发翻转,激励信号K1为高电平“1”,J1的取值由开关S的状态决定,复位信号RD1
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由D触发器的输出Q2提供;
D触发器,因Qn 1 D Qn,被接成计数型工作方式,其时钟信号由
Q1提供,下降沿触发翻转,复位信号则由开关S的状态提供。
平时,开关S处于常闭状态,S’=J1=RD2=0,一方面使JK触发器虽有CP输入,但始终保持0状态不变;另一方面且使D触发器复位为0,从而解除了对JK触发器的复位作用。
开关S一经按下,即刻断开,使S’=J1=RD2=1,随之解除了对第二个触发器的复位作用,使两个触发器都进入工作状态。
(2)开关S一经按下,两个触发器都进入工作状态。JK触发器在CP信号的作用下,在Q1端输出一个宽度TW为CP信号周期的单脉冲。对于D触发器,在Q1下降沿出现后,其状态转换为1,此时,由于Q2=0,反过来将JK触发器状态强制为0,使得在开关S按下的整个时期内,JK触发器的状态不再转换。
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武汉科技大学
2007年硕士研究生入学考试试题
课程名称: 电子技术 418 总页数:共4页 说明:
1) 适用专业:控制理论与控制工程、检测技术与自动化装置、系统
工程、模式识别与智能系统、导航制导与控制、电路与系统。 2) 试题满分为150分,考试时间总共为3小时。 3) 可使用的常用工具:计算器、绘图工具。 4) 所有答案一律写在答题纸上,否则无效。
5) 分析题、计算题必须有分析、计算解题过程,只给出答案的不给
分。
三、填空题:(共30分,每空1分)
9、 整流二极管的整流作用是利用PN结的是利用PN结的 特性。 10、 半导体三极管属控制器件。 11、 按结构不同,场效应管分为
12、 射极输出器的主要特点是:电压放大倍数、输入电阻阻 。 13、 理想集成运算放大器的放大倍数Au等于,输入电阻ri等于电阻ro等于。
14、 差动放大电路,输入信号vi1 25mV,vi2 15mV,则差模信号为共模信号为 。
15、 如果要提高放大电路的输入电阻并稳定输出电流,应选用 16、 十进制数(100)10等于十六进制数 。 17、 连续“同或”299个0的结果是。
18、 F BCD ABD AD ABC ABCD的最简与或式为。 19、 根据触发器的RS触发器、JK触发器、D触发器、
T触发器等。
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20、 为使触发器克服空翻与振荡,应采用CP 21、 寄存器属于逻辑电路。
22、 同步时序电路中的触发器均用个时钟脉冲,异步时序电路中存在
个时钟信号,分别控制不同的触发器。 23、 单稳态电路有个暂态,其主要用途是。多谐振荡
器有 个稳态, 个暂态。 24、 为将正弦信号转换成与之频率相同的脉冲信号,可采用
25、 八位DAC电路可分辨的最小输出电压为10mV,输入数字量为 (10000011)2
时,输出电压为 。
二、(10分) 二极管电路如图1所示。已知二极管的导通电压VD=0.6V,直流电
阻RD=30 ,且有E=9V,R1=0.6k ,R2=0.3k ,R3=0.4k 。试求电路中I1、I2和Vo的值。
图1
三、(20分) 放大电路如图2所示。已知图2中Rs=0.6k ,Rb1=33k ,Rb2=10k ,
Rc=3.3k ,Re1=200 ,Re2=1.3k ,RL=5.1k ,C1=C2=10 F,Ce=50 F,VCC=-10V;晶体管T的VBE=-0.2V,β=50,rbb’ =300 ,VT=26mV。要求:
(8) 求静态工作点IC及VCE; (9) 画出微变等效电路;
(10) 计算放大电路的源电压增益Avs
vo
。 vs
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图2
四、(30分) 对称差动放大电路如图3所示。已知晶体管T1和T2的 50,
VBE 0.7V,rbb' 0,rce 。求解下列问题:
(6) 求T1和T2的静态集电极电流ICQ、VCQ和晶体管的输入电阻rbe; (7) 画出差模半电路和共模半电路的交流通路;
(8) 求双端输出时的差模电压增益Avd,差模输入电阻Rid和差模输出电阻
Rod;
(9) 求反相端单端输出(即RL接T2集电极的一端入地)时的差模电压增益
Avd(单)、共模电压增益Avc和共模抑制比KCMR。
图3
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