电子技术试题及答案
更新时间:2024-04-12 00:55:01 阅读量: 综合文库 文档下载
电子技术基础 参 考 答 案
题号 得分 一 二 三 四 得分
一、填空题(每空1分,共20分)
1、电子电路中的信号可以分为两类,一类是在时间和幅度上都是连续的信号,称为模拟信号;另一类在时间和幅度上都是离散的信号,称为_数字信号( 脉冲信号)_______。
2、晶体二极管具有 单向导电 特性。
3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,它具有_热敏性 ,杂敏性,光敏性等特殊性质,利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。
4、共集电极放大电路又称射极输出器,它的电压放大倍数接近于 1 ,输出信号与输入信号同相,输入电阻大,输出电阻小。
5、若在放大电路中引入电压串联负反馈,则可以稳定输出 电压 ,并使输入电阻增大。
6、单管共射极放大器,当工作点Q选择较低时,易出现 截止 失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。
8、逻辑函数的表示方法通常有四种,分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻辑电路图(逻辑图)和卡诺图。
9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。
10、当变量A、B、C分别为1、0、0时,(A+B+C)AB= O 。
11、TTL或非门多余输入端的处理方法是接低平,接地, 与其他引脚连在一起 。
12、当多个三态门的输出端连在一条总线上时,应注意任何时刻 只能有一个门电路处于工作态 。
13、在组合逻辑电路中,当输入信号改变状态时,输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为 竞争冒险 。
14、将数字信号转换为模拟信号,应选用 D / A转换器 。 15、A/D转换的过程可分为 采样 、保持、量化、编码4个步骤。 16、A/D转换器两个最重要的指标是 分辨率 和转换速度。
17、 能完成两个一位二进制数相加,并考虑到低位进位的器件称为 全加器 。
18、实现将公共数据上的数字信号按要求分配到不同电路中去的电路叫 数据分配器
19、OC门在使用时输出端应接 上拉电阻 和电源。
20、TTL非门的灌电流负载发生在输出 低 电平情况下,负载电流越大,则输出电平越高。
二、选择题(每选对一项得1分,共20分)
1、用一只伏特表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压,读数只有 0.7 伏,这种情况表明该稳压二极管( B )。
(A) 工作正常 (B) 接反
(C) 处于击穿状态 (D) 以上各项都不是 2、晶体管工作在放大区时的偏置状态为( C )。 (A) b与e极,b与 c极间均正向偏置 (B)b与e极,b与 c极间均反偏
(C) b与e极间正偏,b与c极间反偏 (D)b与e极间反偏,b与c极间正偏
3、单相半波整流电路,如果电变压器副边电压V2=100V,则负载电压 Vo将是( B )。
(A)100V (B)45V (C)90V (D)60V
4、直流负反馈是指( C )。
(A)直接耦合放大电路中所引入的负反馈 (B)只有放大直流信号时才有的负反馈 (C) 在直流通路中的负反馈 (D) 以上各项都不是
5、如图所示负反馈放大器的方框图,它属于负反馈的类型是( B )。 (A) 电流串联 (B) 电压串联
(C) 电流并联 (D) 电压并联
6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C )。
(A)电阻阻值有误差 (B)晶体管参数的分散性 (C)晶体管参数受温度影响 (D)电源电压不稳定
7、一位十六进制数可以用( C )位二进制数来表示。
(A)1 (B)2 (C)4 (D)16 8、下列四个数中与十进制数(163)10不相等的是( D )。 (A)(A3)16 (B)(10100011)2 (C)(000101100011)8421BCD (D)(100100011)8
9、一个8选一数据选择器的数据输入端有( D )个。 (A)1 (B)2 (C)3 (D)8 10、用与非门组成的基本RS触发器的所谓“状态不定”,是发生在R、S端同时加入信号( A )时。
(A)R=0,S=0; (B)R=0,S=1; (C)R=1,S=0; (D)R=1,S=1。
11、用0、1两个符号对100个信息进行编码,则至少需要( B ) (A) 8位 (B) 7位 (C) 9位 (D) 6位
12、相邻两组编码只有一位不同的编码是( D ) (A) 2421BCD码 (B) 8421BCD码 (C) 余3码 (D) 格雷码
13、一只四输入端与非门,使其输出为0的输入变量取值组合有( D )种。
(A) 15 (B) 8 (C) 7 (D) 1 14、已知某电路的真值表如题表所示,该电路的逻辑表达式为( C )。
(A) F=C (B) F=ABC (C) F=AB+C (D) 都不是
15、 对LSTTL与非门电路,以下( A )说法是错误的: (A) 输入端悬空会造成逻辑出错
(B) 输入端接510kΩ的大电阻到地相当于接高电平 (C) 输入端接510Ω的小电阻到地相当于接低电平 (D) 输入端接低电平时有电流从门中流出
16、TTL与非门的低电平输入电流为1.0mA,高电平输入电流为10μA,最大灌电流为8mA,最大拉电流为400μA ,则其扇出系数为N=( A )。
(A) 8 (B) 10 (C) 40 (D) 20
17、下列电路中,不属于组合逻辑电路的是( C )。 (A) 译码器 (B) 全加器 (C) 寄存器 (D) 编码器
18、组合逻辑电路中的险象是由于( C )引起的。 (A) 电路未达到最简 (B) 电路有多个输出 (C) 电路中的时延 (D) 逻辑门类型不同
19、题图所示为某时序逻辑电路的时序图,由此可判定该时序电路具有的功能是( A )。
(A) 十进制计数器 (B) 九进制计数器 (C) 四进制计数器 (D) 八进制计数器
20、由555定时器构成的电路如题图所示,该电路的名称是( C )。
(A) 单稳态触发器 (B) 施密特触发器 (C) 多谐振荡器 (D) RS 触发器
三、判断题(每空1分,共15分)
1、( × )用万用表测二极管的反向电阻时,黑表棒应接二极管的正极,红表棒应接二极管的负极。
2、( √ )晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会迅速增大。
3、(×)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。 4、( × )欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入电压并联负反馈。
5、( √ )欲将正弦波电压叠加上一个直流量,可选用加法运算电路。 6、(√ )一个理想的差动放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。
7、(× )反相比例运算电路中引入了一个负反馈,同相比例运算放大电路中引入了一个正反馈。
8、( √ )整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。 9、( √ )反相求和运算电路可实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均小于零。
10、( √ )三态门三个状态是高阻态,高电平和低电平。
11、如题图(VDD)所示是用CMOS与非门组成的单稳态触发器电路,vI为输入触发脉冲。指出稳态时a 、b 、d 、e 各点的电平高低;为加大输出脉冲宽度所采取的下列措施哪些是对的,哪些是错的。如果是对的,在()内打√,如果是错的,在()内打× 。
(1)加大Rd ( × ); (2)减小R ( × ); (3)加大C ( √ ); (4)提高VDD ( × );
(5)增加输入触发脉冲的宽度( × )。
四、分析与计算题(共45分)
1、(3分)如果将一个二极管看做电阻,它和一般由导体构成的电阻有何区别?
答:将二极管看做一个电阻,其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻在有限的电压、电流范围内,基本上是线性的。
(1)二极管的正反向电阻,其数值相差悬殊。正向电阻很小,而反向电阻很大。
(2)二极管具有负温度系数,而导体构成的电阻具有正温度系数。
2、(3分)一个晶体三极管接在放大电路中,看不出它的型号,也无具他标志,测得它的三个电极对地的电位分别如图题所示。试判断该管的导电电类型(是PNP还是NPN) 和三个电极的名称以及
半导体材料是硅还是锗。
答:处于放大状态下的三极管,无论是PNP管或是NPN管,基极电位总是处于中间值,据此首先判断出基极。通常发射结的电压对硅材料为0.6~0.7V,对锗材料约为0.2V。而集电结的电压一般为若干伏的数量极,据此区分余下的两个电极哪一个是集电极,哪一个是发射极。然后根据发射结的电位是基极比发射极高还是比发射极低来区分是NPN或PNP管。
根据上述原则.处于中间电位的y极是基极;和y极电位相差0.2V的x极是发射极;和y极电位相差6V的z极是集电极。因为基极比发射极电位低0.2V,可知这是锗材料NPN管。
3、(12分)题图(a)所示放大电路,3DG32的rbb′=55Ω,其输出特性曲线如图(b)所示,RC=3kΩ,RB=200kΩ,VCC=12V。
(1)(2分)设输入一正弦波电流,求输出电压的最大可能峰-峰值。 (2)(4分)求小信号电压放大倍数及其分贝值。 (3)(2分)为了使输出电压在现有供电条件下达到极限值,应如何调整偏置电阻RB ?
(4)(4分)为了使输出电流极限动态范围的峰-峰值为5mA,应如何调整电路元件值?
解:
(1)按RC=3kΩ画负载线,示于题图(b)中曲线① 。
根据题图(a)可列出如下方程;
IBQ?VCC?VBEQRB?12?0.7?6?A??56.5?103200?10
于是求得工作点示于图(b)Q1点。
因为当IB=80μA时,器件达到饱和与放大工作状态的分界点,故容许输入正弦波电流峰-峰值为
IBPP=2(80-56.5)=47(μA)。
由曲线图可得β=50时相应的集电极电流峰-峰值为
ICPP=47×l0-6×50=2.35(mA)。
输出电压最大可能峰-峰值
VOPP?ICPP?RC?2.35?3?7.05?V?
(2)
rbe?rbb??26?26?50?50??603???ICQ2.35
A??RCrbe?50?3000?249603
分贝值 20lg249?48dB
(3)为了使输出电压在现有供电电压下达到极限值,应将Q点
置于负载线的中央,由图(b)中Q2点可知,IBQ约为39μA。则偏流电阻应为
RB?VCC?VBE12?0.7??290?k??IBQ39?10?6
取标称值300kΩ。
(4)为了使输出电流极限动态范围的峰-峰值为5mA,首先应将负载电阻减小,交于Icm=5mA的膝弯点
RC?VCC?VCES12?0.3??2.34?k??Icm5
取标称值2.4kΩ。画负载线示于图中曲线②。
Q点应位于Q3点,基极偏流IB3Q应为50μA,相应的基极偏流电阻
RB?取标称值240kΩ。
VCC?VBE12?0.7??234?k??IBQ50?10?6
4、(6分)某同学做基本共发射极放大电路实验,现有如题图所
示的5种不同接线方式。从正确、合理、方便和实用等方而综合衡量,哪一种最为可取?
答:图(a)用一个电位器RB调节偏流,当RB调至零值时,电源电压VCC全部加到发射结有可能损坏晶体管。
图(b)有两个缺点:第一是所选器件的β值偏大或偏小时,为了得到合适的VCEQ,RC值将会偏小或偏大,不满足电压放大倍数所要求的值:第二是当RC不慎调至零值时,可能误导认为电路发生了其他故障。
图(c)存在有图(b)的第一个缺点。 图(e)电容C2的极性接反了。 图(d)最为可取。
5、(6分)题图所示镜像电流源电路,所有器件参数相同,证明:
IC2?IR21???1???
证:由题图可得
IR?IC1?IB3
IB3?IE3I?IB2 ?B11??1??但
IB1?IB2?故
IB3?2IC2
??1???IC2?
又因 IC1?IC2 于是
?2?IR?IC2?1?????1????
移项得
IC2?1?IR2??1???
6、(6分)由与非门构成的基本RS触发器如题图所示,已知输入端的电压波形,试画出与之对应的Q和Q的波形。
解
7、(9分)电路如题图所示,G1、G2均为TTL门电路,其输出高电平VOH=3.6V,输出低电平VOL=O.3V,最大允许拉电流IOH=0.4mA,最大允许灌电流IOL=30mA,(max)(max)三极管T导通时VBE=0.7V,饱和时VCES=0.3V,发光二极管正向导通时压降VD=1.4V
(1)当输入A、B、C、D取何值时,VD有可能发光?
(2)为使T管饱和,T的β值应为多少? 解:(1)要使发光二极管VD发光必须使T管饱和导通,要使T管饱和导通,必须使G1输出高电平,G2输出低电平,即A=B=0,C=D=l,因此,当且仅当ABCD=0011时,VD才可能发光。
(2)为使三极管导通时进入饱和状态,三极管β的选择必须满足IB≥IBS,式中
IB?VOH?VBE?VOL3.6?0.7?0.3??0.26?mA?RB10
IBS?VCC?VD?VCES?VOL5?1.4?0.3?0.31.5 ???RC??0.2?代入给定数据后,可求得β≥58 。
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