模电复试大纲
更新时间:2023-03-10 14:20:01 阅读量: 教育文库 文档下载
考试科目 复试 模拟电路 考试形式 笔试(闭卷) 考试时间 180分钟 考试总分 200分 (推免生复试100分) 一、总体要求
《模拟电路》要求掌握半导体器件:晶体二极管、双极型晶体三极管(BJT)和场效应晶体三极管(FET)的工作原理;掌握二极管单向导电性的基本应用和反向击穿特性及其应用;掌握BJT和FET基本放大器的小信号等效电路分析方法,并应用于实用电路的工程估算;理解放大器的频率特性概念及其描述,根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率;掌握模拟IC中重要单元电路,如差动放大器、互补推挽输出电路等的分析计算方法;掌握负反馈放大电路的工作原理和分析方法;能用理想运放分析法分析集成运放构成的信号运算电路;掌握直流电源基本概念及其应用。 二、内容及比例
A半导体材料及二极管 1、了解半导体的基本知识
本征半导体与杂质半导体(P型与N型);本征激发与复合;杂质电离;空穴导电原理;多子与少子;漂移电流与扩散电流的概念;PN结的形成(耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义);PN结的单向导电特性;不对称PN结。 2、掌握二极管的基本知识
二极管单向导电特性及二极管伏安特性方程;二极管伏安特性曲线及其温度特性;二极管导通电压与反向饱和电流;二极管的直流电阻与交流电阻(估算式);硅管与锗管的区别。 3、二极管应用
掌握单向导电特性应用:整流与限幅。能分析简单二极管电路。 正向导通特性应用:恒压源模型及小信号模型。
反向击穿特性及应用:了解反向击穿现象;掌握稳压管工作原理及电路。 了解电容效应及应用:势垒电容与扩散电容;变容二极管原理。 B 双极型晶体三极管(BJT) 1、理解BJT工作原理)
NPN与PNP管;放大偏置特点;放大偏置时内部载流子传输;放大偏置时外电流关系(掌握直流传输方程,,,ICBO,ICEO的概念);放大偏置时的vBE、vCE的作用(正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应);BJT的截止与饱和状态及特点。
2、BJT静态伏安特性曲线
理解共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点。 3、BJT参数 理解 、、、、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEO和fT的含义 4、混合模型
理解完整模型和了解模型参数的物理含义。
熟练掌握两种简化模型(gm参数和参数模型)及其模型参数的计算方法。 C BJT放大电路
1、理解放大器的一些基本概念;
信号源(内阻,源电压,源电流);负载电阻;输入输出电压(电流);耦合电容与旁路电容;直流通路与交流通路;交流地;工作点;小信号放大的波形演
示。
2、熟练掌握BJT偏置电路的分析和设计方法
工作点的估算;直流负载线;稳基流电路;基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。
3、BJT三种基本组态放大器(中频段)
熟练掌握小信号放大器指标及其意义:端增益、源增益、输入与输出电阻。 掌握CE、CC、CB放大电路、指标及特点;熟练掌握等效电路分析法。 掌握CE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法;理解截止失真与饱和失真。 4、多级放大器
理解级间耦合方式;了解直流放大器的特殊问题;掌握放大器通用模型;掌握多级放大器指标计算。 D MOSFET及其放大电路 1、FET原理
了解FET的分类、电路符号;了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理;放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。 2、FET特性曲线
以N沟道FET(包括JFET和MOSFET)为重点,理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线,掌握放大区的平方律公式。 3、FET偏置电路(自给偏压和混合偏置)
掌握工作点的估算方法,了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。 4、FET的小信号模型
理解gm的含义及计算式,理解rds含义、完整小信号模型;掌握低频小信号模型。
5、FET的CS和CD组态放大器
熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。 E 模拟集成单元电路 1、恒流源
熟练掌握恒流源电路的原理、模型及主要指标;理解基本镜像恒流源、比例
恒流源和微电流恒流源电路和特点;熟练掌握有源负载放大器工作原理。 2、熟练掌握差动放大器的工作原理和分析方法 差放的信号分解(vic、vid与任模信号关系);各种差放电路;差放工作点估算;差放的指标(Avd,Avc,KCMR,Rid,Ric,Ro)及用单边等效电路法求指标,差放抑制零漂的原因;了解差放的小信号范围、大信号限幅特性及频率特性。 3、功率输出电路
了解功放的分类,乙类功放优于甲类功放的特点;理解乙类功放的交越失真及克服方法。
掌握互补功放的电路原理及满激励指标(效率、管耗、电源功率)的计算;理解功率管极限参数(ICM,PCM,BVCEO);理解复合管的连接方式。, F 放大器的频率响应
1、放大器频率响应的概念及描述
掌握产生频率响应的原因;理解放大器频率特性函数,掌握fL、fH、BW的定义;理解幅频特性和相频特性函数;了解频率失真(幅频失真、相频失真)及其与非线性失真的区别;了解对数频率特性曲线波特图的概念。理解放大器的增益
函数与零、极点分布的关系。
2、根据单管放大器频率响应求解低、高频截止频率 用放大器增益响应函数求解 H 负反馈放大器 1、单环理想模型
理解基本概念:原输入xs、净输入xi和反馈信号xf;A放大器、B网络;开环增益A与闭环增益Af;反馈系数B;反馈深度F;环路传输系数T;基本反馈方程;正反馈与负反馈;深度负反馈。四种反馈类型及其双口网络模型。 2、掌握反馈放大器类型及极性的判断 3、理解负反馈的效果
理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减小非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用。
4、熟练掌握深负反馈条件下Af和Avsf的计算。 5、负反馈放大器的稳定性
理解产生自激振荡的原因和自激条件;了解用已知的T(j)和A(j)的波特图判
断稳定性的方法;了解稳定裕量的计算方法;了解自激振荡的消除方法。 I 集成运算放大器及其应用电路与设计
1、了解集成运放电路组成及特点,理解放大电路的四种模型。
2、了解集成运放的主要参数:Avd,KCMR,Rid,Ro,BWG,SR,VIO,dVIO/dT,Iio,dIIO/dT
3、熟练掌握理想运放分析法
虚短路与虚开路法则;理想运放分析法成立的原因;两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。
3、掌握运放的线性应用电路的分析和设计方法
代数和运算电路;差动放大器;积分器与微分器;了解线性应用电路(有源滤波器、振荡器、比较器、波形发生器等)。 J 直流电源
掌握直流电源基本电路及其应用。 三、题型及分值 选择题:15% 填空题:30% 简答题:15% 计算题:40%
半导体, 电子科大, 二极管, 放大器, 三极管 --信息来自于:http://www.uestcky.net/forum.php?mod=viewthread&tid=2955
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