模电试卷题库含答案

1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压

为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直

流电压），它的电压增益为（C ）

a、700

b、650

c、100

d、-100

2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中

频时的（B ）

a、05.

b、0.7

c、0.9

d、1

3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。

A、2 dB

B、3dB

C、4dB

D、6dB

4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ

的负载

电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C ）

a、10KΩ

b、2KΩ

c、1 KΩ

d、0.5KΩ

5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压

信号进行放大，测试结果输出电压V OA>V OB，由此可知A比B（ B ）

a、一样

b、差

c、好

d、无法判别

6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA

a、输入电阻高

b、输入电阻小

c、输出电阻高

d、输出电阻低

理想运放

7.在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（A ）

1 / 1

a、虚短

b、虚断

c、虚地

d、以上均否

8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A ）

a、0V

b、3V

c、6V

d、9V

9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V O为（ C ）

a、9V

b、6V

c、0V

d、3V

10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输

出端，则V0与V N、V P分别成（ D ）

a、同相、同相

b、反相、反相

c、同相、反相

d、反相、同相

11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ）

A、反相比例运算电路

B、同相比例运算电路

C、微分运算电路

D、积分运算电路

半导体

12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D ）。

a、电子

b、空穴

c、三价硼元素

d、五价磷元素

13.半导体中有两种载流子，它们分别是（C ）

a、电子和受主离子

b、空穴和施主离子

c、电子和空穴

d、受主离子和施主离子

14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ）

a、温度

b、杂质浓度

c、掺杂工艺

d、晶体缺陷

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15.在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（C ）

a、载流子

b、多数载流子

c、少数载流子

d、正负离子

16.温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（ A ）

a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同

b、空穴增多，自由电子数目不变

c、自由电子增多，空穴数目不变

d、自由电子和空穴数目都不变

二极管

17.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B ）

a、只从P区流向N区

b、等于零

c、只从N区流向P区

d、无法判别

18.流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压（A ）

a、减小

b、增大

c、基本不变

d、无法确定

19.当PN结外加正向电压时，耗尽层将（ C ）

a、不变

b、变宽

c、变窄

d、无法判别

20.二极管正向电压从0.7V增大5%时，流过的电流增大为（ B ）

a、5%

b、大于5%

c、小于5%

d、不确定

21.温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（ A ）

a、上移

b、下移

c、不变

d、以上均有可能

22.利用二极管组成整流电路，是应用二极管的（ D ）

a、反向击穿特性

b、正向特性

c、反向特性

d、单向导电性

23.PN结形成后，PN结中含有（ D ）

1 / 1

a、电子

b、空穴

c、电子和空穴

d、杂质离子

24.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（ A ）

a、相等

b、大于

c、小于

d、无法确定

25.稳压管能够稳定电压，它必须工作在（ D ）

a、正向状态

b、反向状态

c、单向导电状态

d、反向击穿状态

26.以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（ C ）

a、2CZ11

b、2AP6

c、2CW11

d、2CP10

27.在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模

型和小信号模型。如图所示符号为（C ）。

A、理想模型

B、恒压降模型

C、折线模型

D、小信号模型

三极管

28.放大电路的静态是指（ A ）

a、输入端短路

b、输入端开路

c、交流信号短路

d、交流信号为零

29.三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（C ）

a、低

b、中

c、高

d、以上均可

30.三极管工作在饱和区时，b-e极间，b-c极间分别为（D ）

a、反偏，反偏

b、反偏，正偏

c、正偏，反偏

d、正偏，正偏

31.三极管工作在放大区时，b-e极间、b-c极间分别为（ D ）

a、正编、正编

b、反编、反编

c、反编、正编

d、正编、反编

32.NPN型和PNP型三极管的区别是（ C ）

a由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同

1 / 1

c、P区和N区的位置不同

d、以上均否

33.温度升高时，三极管的输出特性曲线将（A ）

a、上移

b、下移

c、不变

d、以上均有可能

34.温度升高时，三极管极间反向电流将（ A ）

a、增大

b、减小

c、不变

d、无法确定

35.某三极管的极限参数Pc M=150m W，Ic M=100m A，V（BR）CE o=30V，

若它的工作电压Vc E=10V, 则工作电流Ic不得超过（ C ）

a、100mA

b、50mA

c、15mA

d、1mA

36.某三极管的极限参数P CM=150mw，I CM=100mA，V（BR）c EO=30V，

若它的工作电压V CE=1V，则工作电流不得超过（ D ）

a、1mA

b、15 mA

c、40 mA

d、100 mA

37.某三极管的极限参数P CM=150mw , I CM=100mA , V(BR)CE0=30V ,

若工作电流I C=1mA , 则工作电压不得超过（ A ）

a、30V

b、15V

c、10V

d、1V

38.用两个Au相同放大电路A和B分别对同一个具有内阻的电

压信号进行放大，测试结果为V o A＞V o B,这是由于( C )

a、输出电阻小

b、输出电阻高

c、输入电阻高

d、输入电阻小

39.三极管输入电阻r be与静态电流I E的大小有关，因而r be是( C )

a、交、直流电阻

b、直流电阻

c、交流电阻

d、以上均否

40.如图示Us2=0，从集电极输出，则该电路属于（ C ）

a、无法确定

b、共集

c、其基

d、共发

41.检修某台无使用说明书的电子设备时，测得三极管各电极对地电压数据为

1 / 1

V B=-0.2V, V C=-5V, V E=0, 则该三极管为（ B ）

a、NPN 型,锗管

b、PNP型,锗管

c、NPN型,硅管

d、PNP型,硅管

42.某放大电路，I A=1.5mA，I B=0.03mA, Ic=-1.53 mA ，则A，B，C中极性分别

是（ D ）

a、（e、

b、c）b、（b、

c、e）c、（c、e、b）

d、（c、b、e）

43.有二只半导体三极管，A管子的β=200，Ic E o=240μA，B管子的

β=100，Ic E o =20μA其他参数一样，则管子的好坏为（C ）

a、均一样

b、A管好

c、B管好

d、无法判别

44.三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度（ A ）

a、窄

b、中

c、宽

d、以上均可

45.在单管共射极电路中，换上β减小的管子，V CEQ将（ C ）

a、不变

b、减小

c、增大

d、无法确定

46.三极管放大电路的三种组态（ D ）

a、都有电压放大

b、都有电流放大

c、只有共射极才有功率放大

d、都有功率放大

47.如图示，U S1=0，U S2≠0从集电极输出，则该电路属于（）

a共射b、共基c、共集d、无法判别

48.如图所示，U S1=0，U S2≠0，从发射极输出，则该电路属于（ C ）

a、共射

b、共基

c、共集

d、无法判别

49.检修某台无使用说明书的电子设备时，V B=2.73V，V C=2.3V,

V E=2V，则该三管类型为（ D ）

a、NPN型，锗管

b、PNP型，硅管

c、PNP型锗管

d、NPN型硅管

1 / 1

50.某放大电路，I A=-1.8mA ,I B=-0.06mA ,Ic=1.86mA，则A、B、C中

极性分别为（A ）

a、（c、

b、e ）b、（b、e、c ）

c、（c、e、b）

d、（

e、c、b ）

51.三极管能起放大作用的内部条件之一是集电结面积比发射结面积（ C ）

a、小

b、一样

c、大

d、无法确定

52.三极管工作在放大区时，流过发射结电流和流过集电结的

电流主要是（ D ）

a、均为扩散电流

b、均为漂移电流

c、漂移电流、扩散电流

d、扩散电流、漂移电流

53.温度升高时，V BE随温度上升而发生（ A ）

a、减小

b、增大

c、不变

d、无法确定

54.某三极管各极对地的电压为V B= -0.3V，V C= -5.1V，V E= -0.1V，则该三极管

结构及工作状态为（ D ）

a、NPN型放大

b、PNP型饱和

c、NPN型饱和

d、PNP型放大

55.晶体三极管的关系式i B = f (u BE)︱V CE , 它代表三极管（ D ）

a、共基极输入特性

b、共集电极输入特性

c、共射极输出特性

d、共射极输入特性

56.对于基本共射放大电路，当R C增大时，其输出电阻（ C ）

a、不变

b、减小

c、增大

d、无法确定

57.单管共射极电路中，输入f = 1KHZ的正弦电压信号后，分

别用示波器观察输入信号和输出信号，则二者波形应该是（ A ）

a、相差180°

b、相差90°

c、相差45°

d、同相

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58.对于基本共射放大电路，负载R L减小时，输出电阻（C ）

a、增大

b、减小

c、不变

d、无法确定

59.在单管射极放大电路，R b、R c分别是基极和集电极偏置

电阻，用直流电压表测出V CEQ≈V CC，有可能因为（ B ）

a、R b短路

b、R b开路

c、R C开路

d、β过大

场效应管

60.场效应管控制漏极电流的大小是利用外加电压产生的（A ）

a、电场

b、磁场

c、电流

d、以上均否

61.场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成，这种载流子是（ B ）

a、少子

b、多子

c、两种载流子

d、正负离子

62.三极管和场效应管应分别是（ A ）

a电流和电压控制器件b、电压和电流控制器件

c、均为电流控制器件

d、均为电压控制器件

63.N沟道场效应管的漏极电流是由载流子的漂移形成的，这种载

流子是（D ）

a、正负离子

b、电子和空穴

c、空穴

d、电子

64.一场效应管的转移特性曲线如图示，则它属于类型为（A ）

a、N沟道结型管

b、P沟道结型管

c、P沟道MOS管

d、N沟道MOS管

65.一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的V T或V P、ＩDSS分别为（ B ）

a、V P=-4V ,I DSS=0

b、V T=-4V, I DSS=0

c、V P=-4V, I DSS=3mA

d、V T=-4V, I DSS=3mA

66.结型场效应管改变导电沟道的宽度是利用栅源极间所加

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电压为（ B ）

a、正向

b、反向

c、以上均可

d、以上均否

67.MOS管中的漏极电流（ C ）

a、穿过PN结和衬底

b、穿过衬底

c、不穿过PN结

d、穿过PN结

功率放大电路

68.在甲类、乙类、甲乙类放大电路，效率最低的是（B ）

a、一样

b、甲类

c、乙类

d、甲乙类

69.在甲类、乙类、甲乙类放大电路中，属于OCL电路是（B ）

a、甲类

b、乙类

c、甲乙类

d、均不是

70.一场效应管的转移特性如图示，则它属于类型为（）

a、P沟道耗尽型管

b、N沟道耗尽型管

c、P沟道增强型管

d、N沟道增强型管

71.互补对称功率放大电路失真较小而效率又较高是采用（ B ）

a、甲类放大

b、甲乙类

c、乙类放大

d、以上均可

72.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导电角较小的是（D ）

a、一样

b、甲类

c、甲乙类

d、乙类

73.在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压（ A ）

a、提高

b、降低

c、保持稳定

d、无法确定

74.由于功放电路中的三极管常处于接近极限工作状态，因此在选择

三极管时必须特别注意的参数之一为（D ）

1 / 1

a、Ic B o

b、β

c、?T

d、Pc M

功放电路输入幅度大，增益高，因此常采用的分析方法是（ C ）

a、微变等效法

b、π型法

c、图解法

d、叠加法

75.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，存在交越失真的电路是（ B ）

a、甲类

b、乙类

c、甲乙类

d、均存在

76.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中效率最高是（ C ）

a、甲类

b、甲乙类

c、乙类

d、无法确定

77.在功放电路中属于OTL电路的是（ B ）

a、双电源甲乙类

b、甲类

c、双电源乙类

d、以上均否

78.在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压（ A ）

a、提高

b、降低

c、保持稳定

d、无法确定

79.（互补对称）功率放大电路失真较小而效率又较高是采用（ B ）

a、甲类放大

b、甲乙类

c、乙类放大

d、以上均可

负反馈

80.已知信号源内阻很小，要求充分发挥负反馈作用，应选（ B ）。

A、并联负反馈

B、串联负反馈

C、电压负反馈

D、电流负反馈

81.为稳定静态工作点，应选择的负反馈组态为（ A ）

a、直流负反馈

b、交流负反馈

c、电压负反馈

d、电流负反馈

82.要求提高输入电阻，应选择负反馈组态为（ C ）

a、交流负反馈

b、并联负反馈

c、串联负反馈

d、电流负反馈

83.要求提高输出电阻，应选择负反馈组态为（ A ）

1 / 1

1 / 1 a 、电流负反馈 b 、串联负反馈 c 、并联负反馈 d 、电压负反馈

84. 负反馈放大电路只须满足下述条件就将产生自激振荡（ B ）

a 、反馈量与净输入量幅值相等

b 、d X f X

-= c 、反馈量与净输入量同极性 d 、以上均否

85. 负反馈放大电路中，当AF= -1，则该电路将处于（ C ）

a 、开环状态

b 、深度闭环状态

c 、自激状态

d 、无法确定

差分放大电路

86. 电流源电路是一个（ D ）

a 、四口网络

b 、三口网络

c 、二口网络

d 单口网络

87. 差分放大电路的主要性能指标仅与（ B ）

a 、输入方式有关

b 、输出方式有关

c 、两者均有关

d 、两者均无关

88. 共模抑制比Kc MR 越大，表明电路（ C ）

a 、放大倍数越稳定

b 、交流放大倍数越大

c 、抑制温漂能力越强

d 、输入信号中差模成分越大

89. 集成运放内部是直接耦合放大电路，因此能放大（ C ）

a 、直流信号

b 、交流信号

c 、交直流信号

d 、两者均否

90. 为了减小温漂，减小输出电阻，大多输入级和输出级分别采用（ D ） a 、共集或共漏 b 、互补对称和电流源 c 、差分和电流源 d 、差分和互补对称

91. 差分放大电路双端输出时的差模电压增益与半边差模等效电路

的电压增益应是（ B ）

a 、1倍

b 、相等

c 、2倍

d 、一半

1 / 1 92. 差模输入电阻不论双端输入还是单端输入方式，应是半

边差模等效电路输入电阻的（ D ）

a 、一半

b 、相等

c 、1倍

d 、2倍

93. 在采用正反馈的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相

移为фf ，放大电路的相移为фa ，那么满足相位的平衡条件是

（фa+фf ）为（ B ）

a （2n-1）π

b 、2n π

c 、（2n+1）π

d 、无法确定

94. 要使电路振荡，只要满足相位条件，且︱AF ︱应（ A ）

a 、大于 1

b 、等于0.5

c 、小于 1

d 、等于零

95.正弦波振荡电路为正反馈电路，产生正弦波振荡的条件是（ C ）

A 、??F A =-1

B 、??F A =0

C 、??F A =1

D 、|1+??F A |≥1

96.RC 串并联桥式震荡电路（文氏电桥震荡电路）A=（ A ）

A 、3

B 、-3

C 、1/3

D 、-1/3

97.下列传递函数哪个为二阶低通滤波电路的传递函数（ B ）

A 、12)(22

++=s s s s A B 、121

)(2++=s s s A C 、s s s A +=1)( D 、s s A +=11)(

98. 在图示方波发生器中，已知A 为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值

为12V ；稳压管和二极

管的正向导通电压均为

0.7V 。正常工作时，输出

电压峰-峰值为（ C ）。

a 、4.6V

b 、 6V

c 、

12V d 、24V e 、9.2V

-+R1R2R3R4

C VD1~VD4A VDz Uz=4.6V

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/85kq.html