磁芯参数

1,磁芯向有效截面积：Ae 2,磁芯向有效磁路长度：le 3,相对幅值磁导率：μa 4,饱和磁通密度：Bs

功率铁氧体磁芯

EI EI60 EI50 EI40 EI35 EI33 EI30 EI28 EI25 EI22 EI19 EI16 EE EE80 EE72 EE70 EE60 EE55 EE50 EE49 EE42 EE42/20 — — EE EE35 EE30 EE25 EE19 EE16 EE13 EE10 — — — — PQ PQ50/50 PQ40/40 PQ35/35 PQ32/30 PQ32/20 PQ26/25 PQ26/20 PQ20/20 PQ20/16 — UF102 EC EC90 EC70 EC52 ECI70 EER49/54 EER49/43 EER49/38 EER42/43 EER42/45 EER40/45 EER28L 常用功率铁氧体材料牌号技术参数

项目 μi Br Hc Tc P — — — — 公司 条件 — H=800A/m — — 单位 PC30 PC40 2500B B25 — mT A/m ℃ 2500 2300 2500 2300 510 117 12 510 95 490 100 510 130 3C8 2000 450 — 18.8 >200 900 — — — — N27 2000 510 — 20 >220 48 — — — — Bms H=1200A/m mT 14.3 15.9 15.9 600 — — 450 410 95 70 75 — — 600 — — 450 410 >230 >215 >230 >220 KW/m3 130 200mT23℃ 25KHz60℃ KW/m3 90 100℃ KW/m3 100 100mT60℃ KW/m3 — 100KHz100℃ — KW/m3 — — TDK TDK TOKIN TOKIN FERROCXLUBE SIEMENS

EI型磁芯规格及参数

型号 A B C D EI16 EI19 EI22 EI28 EI30 EI33 EI35 EI40 EI50 EI60 E Ae Le Ve AL F H (c㎡) (cm) (cm3) nH/N2 μe 1575 1825 2255 1962 1960 1984 2030 2100 2070 2070 2126 16 — — 5 12.2 — 2 0.198 3.46 0.67 1100 20 — — 5.2 13.55 — 2.3 0.24 3.96 0.95 1400 22 12.6 6 6 14.3 10.3 4.5 0.42 3.93 1.63 2400 28 18.6 7.5 11 16.5 12.0 3.5 0.86 4.82 4.145 4300 30 19 11 11 21 16 5.5 1.11 5.80 6.44 4750 33 — — 13 23.5 — 9.7 1.185 6.75 8.00 4450 35 24.5 10 10 24 18 4.6 1.01 6.71 6.80 3950 40 26.8 12 12 27.25 21 7.5 1.48 7.7 11.3 5000 50 34 15 15 33 24.5 9 2.3 9.4 21.6 6300 60 44 16 16 36 28 8.5 2.47 10.9 27.1 6000 EI25 25.3 19 6.5 7 15.3 12.2 2.7 0.41 4.7 1.927 2140 PQ型磁芯规格及参数

型号 A B C D E F I Ae Le Ve AL μe (c㎡) (cm) (cm3) (nH/N2) PQ 20/16 20.5 8.2 14 18 8.7 12.5 5.4 0.62 3.74 2.31 3880 1868 PQ 20/20 20.5 10.2 14 18 8.7 12.5 7.4 0.62 4.54 2.79 3310 1944 PQ 26/20 26.5 10.2 19 23 12 12.6 5.9 1.19 4.63 5.49 6170 1920 PQ 26/25 26.5 12.5 19 22.5 12.2 15.5 7.9 1.18 5.55 6.53 5250 1972 PQ 32/20 32 10.4 22 27.5 13.7 19 5.6 1.70 5.55 9.42 7310 1896 PQ 32/30 32 15.3 22 27.5 13.7 19 10.5 1.61 7.46 11.97 5140 1898 PQ 35/35 35 17.5 26 32 14.6 23.5 12.35 1.96 8.79 17.26 4860 1733 PQ 40/40 41 20.0 28 37 15.2 27.5 14.6 2.01 10.19 20.45 4300 1738 PQ 50/50 50 25.1 32 44 20.35 31.5 17.9 3.28 11.3 37.24 6720 1850

EE型磁芯规格及参数

Ae Le Ve AL (c㎡) (cm) (cm3) (nH/N2) 型号 EE10 EE13 EE16 EE19 EE25 EE30 EE33 EE35 EE40 EE42 EE50 EE55 EE60 EE70 EE72 EE80 A 10.2 13 16 19 25 30 33 34.9 40 42 50 56 60 71 72.3 79.3 B C D E F μe 1767 1550 1728 1880 1952 2000 2000 1990 2040 2510 2125 1977 2135 1990 1995 1980 8 2.4 4.75 5.5 1.3 0.12 2.61 0.315 1006 10 2.7 6.15 6 1.3 0.171 3.02 0.517 1100 12 4 5 7 2 0.19 3.40 0.65 1200 14 4.8 4.9 8 2.6 0.22 3.90 0.86 1350 15.6 6.6 6.5 9.5 3.3 0.40 4.90 1.96 2000 20 11 11 13 5 1.09 5.80 6.32 4750 — — 13.7 13.8 — 1.15 7.55 8.71 3840 26.5 9.3 9.5 14.2 4 1.06 7.00 7.39 3790 28 11 11 16.5 6.5 1.48 7.70 11.40 4250 29.6 12.2 15.2 21 6.2 1.82 9.70 17.60 4700 35 15 15 21 8.5 2.26 9.60 21.7 6250 37.6 17.2 21.0 27.5 9 3.54 12.3 43.5 7100 44.6 16 16 22 8.3 2.47 11.0 27.2 6000 46.6 22.2 20 54 11.1 4.45 23.18 103.0 4820 53.5 19 19 20 9.5 3.58 13.4 48.1 6700 59.4 20 19.8 37.5 9.5 3.81 18.3 69.8 5200

EC、EER型磁芯规格及参数

Ae 型号 A B φC D E F E-E (c㎡) Ve Le AL μe (cm) (nH/N2) (cm3) EC90 91 71.2 30 30 45 9.6 91/90 6.24 21.6 13.50 5550 — EC70 71 43.4 16.8 16.8 34.5 11.7 7 1/69 2.79 14.4 40.1 4800 1963 EIC70 70 44 16.2 16.2 29.8 6.8 70/39 2.79 — — — — EC52 53 32.1 1 3.75 13.75 24.2 8.7 53/49 1.8 10.5 18.8 4200 1942 EER49 49 37.4 16.9 16.9 27 8.4 49/54 2.46 11.8 29.09 5700 1900 EER49 49 37 16.9 16.9 21.5 6.5 49/43 2.55 10.0 25.5 5700 1900

EER49 49 37.3 17 17.2 19 6.5 49/38 2.291 9.72 22.26 5500 1860 EER42 42 32.5 17.3 19.5 21.3 5.9 42/43 2.40 9.86 23.64 5760 1900 EER42 42 31.3 15.1 15.5 22.4 5.7 42/45 1.825 10.18 18.57 4200 1860

EER40 40 29.4 13.3 13.3 22.4 7 40/45 1.528 10.24 15.64 3450 1840 EER28 28 21.9 10 11.4 17 4.3 28/34 0.814 7.55 6.14 2500 1900

1 磁芯损耗：正弦波与矩形波比较

一般情况下，磁芯损耗曲线是按正弦波+/-交流(AC)激励绘制的，在标准的和正常的时候，是不提供极大值曲线的。涉及到开关电源电路设计的一个共同问题是正弦波和矩形波激励的磁芯损耗的关系。对于高电阻率的磁性材料如类似铁氧体，正弦波和矩形波产生的损耗几乎是相等的，但矩形波的损耗稍微小一些。材料中存在高的涡流损耗（如大型叠片式或大型切割磁芯）时，矩形波损耗是正弦波损耗的1/2~2/3。D.Y.Chen提供的参考资料解释了这种现象。

一般情况下，具有矩形波的磁芯损耗比具有正弦波的磁芯损耗低一些。但在元件存在铜损的情况下，这是不正确的。在变压器中，用矩形波激励时的铜损远远大于用正弦波激励时的铜损。高频元件的损耗在铜损方面显得更多，集肤效应损耗比矩形波激励磁芯的损耗给人们的印象更深刻。举个例子，在20kHz、用17#美国线规导线的绕组时，矩形波激励的磁芯损耗几乎是正弦波激励磁芯损耗的两倍。例如，对于许多开关电源来说，具有矩形波激励磁芯的5V、20A和30A输出的电源，必须采用多股绞线或利兹(Litz)线绕制线圈，不能使用粗的单股导线。 2 Q值曲线

所有磁性材料制造厂商公布的Q值曲线都是低损耗滤波器用材料的典型曲线。这些测试参数通常是用置于磁芯上的最适用的绕组完成的。对于罐形磁芯，Q值曲线指

出了用作生成曲线时的绕组匝数和导线尺寸，导线是常用的利兹线，并且绕满在线圈骨架上。

对于钼坡莫合金磁粉芯同样是正确的。用最适合的绕组，并且导线绕满了磁芯窗口时测试，则Q值曲线是标准的。Q值曲线是在典型值为5高斯或更低的低交流(AC)激励电平下测量得出的。由于在磁通密度越高时磁芯的损耗越大，故人们警告，在滤波电感器工作在高磁通密度时，磁芯的Q值是较低的。 3 电感量、AL系数和磁导率

在正常情况下，磁芯制造厂商会发布电感器和滤波器磁芯的AL系数、电感量和磁导率等参数。这些AL的极限值建立在初始磁导率范围或者低磁通密度的基础上。对于测试AL系数，这是很重要的，测试AL系数是在低磁通密度下实施的。

某些质量管理引入检验部门，希望由他们用几匝绕组检查磁芯，并用不能控制频率或激励电压的数字电桥测试磁芯。几乎毫不例外，以几百高斯、若干千高斯(kG)、甚至使磁芯饱和的磁通密度的电压激励磁芯时，该电桥是平衡的。使用这些存在很少匝数的电桥对不开气隙的磁芯进行初始磁导率测量是不合适的。

另外一种现象发生在测量低磁导率磁芯，诸如测量具有很少匝数的钼坡莫合金磁芯时，在很低电感量（如1mH或更低）时，即不再应用AL的方程式。由于邻近的线匝有通过空气隙偶合的情况，所以，所得的测试值呈现出正公差。例如，在一个10μH的电感器中，磁芯的AL存在超过20%的正误差是人们所希望的。这同样地是基于很少匝数的原因。然而，如果电感器上的线匝是集总的，则其误差会变得更加恶劣。通

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