电磁屏蔽材料的研究现状与进展

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第 3卷第 1期 6 120年 1月 08 1

塑料工业C N P。 HI A IⅡC N S RY A S I DU T

电磁屏蔽材料的研究现状与进展何和智，方望来，陈哲(华南理工大学聚合物新型成型装备国家工程研究中心，广东广州 5 04 ) 16 0摘要：简单介绍了电磁屏蔽材料的分类、应用及特点，并详细地介绍了包括结构型导电材料、复合型导电材料、 纤维织物等电磁屏蔽复合材料的研究现状与进展及其屏蔽效果，最后分析了电磁屏蔽材料研究国内外的差距。关键词：电磁屏蔽；屏蔽材料；屏蔽效果中图分类号：T 34 8 Q 2 .文献标识码：A 文章编号：10—57 (08 1— 0 1 4 0 5 70 20 ) 1 0 0—0

Pr s n iu to n o r s fElc r ma ne i h ed ng M a e i l e e tS t a i n a d Pr g e s o e t o g tc S il i tr aHE—h, F He z i ANG a g l i CHEN h W n -a, Ze

( a oa Eg ef gR sa hC ne o oe E up eto o m r rcsn, N tnl ni e n e r et f vl qim n r l e oes g i n i ec r N f Py P iS uhC iaUnvri f eh ooy o t h iesy o cn lg,Gun d n 1 6 0 hn ) n t T ag o g5 0 4,C ia

Ab t a t h l s c t n a p iain a d c a a t r t so lcr ma n t hed n tr l r r f sr c:T eca i ai, p l t h rce s c fee t s f o i c o n i i o g ei s ili g ma i e b il c e a we ey s mmaie u r d. T e p e e ts u t n a d p g e s o e r s ac n山e man k n s o e mae as s c e z h r sn i ai r rs f t e e rh o t o n o h i i d f t tr, u h a t h i l s hsr cu a y, c mp st o d cie p a t s a b u a rc s il ig mae as wee s mma ie n d tis tu t rltpe o o i c n u tv lsi nd f r sfb h e

d n tr l, e c io i i r u rz d i eal . F n l e g p b t e e r s ac n te mae asa o d a r a s n y e i a y t a ewe n t e e rh o tr l th me a o d Wa a a z d. l h h h i n b l

Ke wo d:E e t ma n t h edn;S il ig Mae a s h edn f cie e s y rs lcr g e i S il ig h ed n t r;S il ig E e t n s o c i l v

高分子材料因其质轻、比强度高、韧性好、耐腐蚀等优良特性，在 2世纪 7年代以后得到了迅速发 0 0展。19年全世界高分子材料的消耗量约 18亿 t 99 .,体积已经超过金属材料，成为材料领域之首。到 20 0 4年，我国塑料产量达到 150万 t 3,位居世界第

的多次反射损耗跑 M。高分子屏蔽材料，就是利用高

分子基体中的导电粒子或掺杂入高分子基体中的导电、导磁粒子起到屏蔽作用的。本文简单介绍了电磁屏蔽材料的分类、应用及特点，并详细地介绍了包括结构型导电塑料、复合型导电塑料、纤维织物等电磁

二。高分子材料，在许多领域已经逐步取代金属材料，特别是在电子、电器产业的应用极其广泛。然而，电子设备工作过程中产生的电磁辐射，导致人类生存空问的电磁环境日益恶化，不仅影响着生产，甚至直接威胁到人类的健康 l。随着高分子材料取代金 _ 1 J属材料在各种电子、电器产业中的广泛应用，而大部

屏蔽复合材料的研究现状与进展及其屏蔽效果。

1结构型屏蔽材料结构型 (即本征型 )导电高分子 (C )是由一 IP

些具有共扼丌的聚合物经化学或电化学掺杂后形成键的，电率可从绝缘体延伸到导体范围的一类高分子导材料 l。聚乙炔是发现最早的一种 IP 2 J C,最初由日本的 Sikw hr aa等 _ 17共同研究的。方法是将碘 a 3于 97年 3 _

分高分子材料对电磁波几乎是完全透明的，毫无屏蔽作用。因此，对高分子复合屏蔽材料的研究引起了世

或氟化砷掺杂到聚乙炔中，结果聚乙炔的电导率提高了1 2个数量级以上，使其导电性接近于金属铜，具有良好的屏蔽效果。聚苯胺 (A

、聚吡咯 ( P ) P N) P v

界各国的高度重视。 自从 Sh ou o提出较系统的电磁屏蔽理论至 c knnf今，电磁屏蔽理论得到了长足的发展。他将屏蔽体看

和聚噻吩 (珊 )发现较晚，由于其环境稳定性好， P发展得比较迅速，已成为目前三大主要的 IP品种。 C Da 4 17年首次采用化学氧化的方法合成了具有 i[于 99 zj

作一段传输导线，辐射场通过屏蔽体时，在外表面处

被反射一部分，剩余部分透入屏蔽体向前传输。传输过程中，电磁波继续衰减，并在屏蔽体的两个界面问

导电性能的掺杂聚吡咯，电导率高达 10/m 2 c。聚苯 S胺与其他本征型电磁屏蔽聚合物相比，具有合成简便、导电性能优良等众多优点，被作为电磁屏蔽材料

多次反射和透射。其屏蔽机理包括屏蔽体表面的反射损耗 S 屏蔽材料的吸收损耗阳 A屏蔽体内部 E和

作者简介：何和智，男，16年生，教授，主要从事聚合物成型理论及设备研究。p hh@su. u c 93 m ze cte . d n

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研究最为广泛。 Ku_研究了在杂多酸掺杂的 P N o1 5 J A/

性好，粘接牢固。镀层厚度 5 n时，舾值约 6 0t a 0

AS B复合材料中，随着填料 P N含量的增加，复合 A材料对电磁波的屏蔽效果也逐渐增强，在频率为 1 O G z,复合材料对电磁波的屏蔽效能 ( E)可达 H下 S7 B。 0d

d。复合型导电涂料方面，四川大学管登高等L B 9以 9 _镍粉和金属纤维作为复合填料，以丙烯酸树脂作为黏结剂，制备了一种能屏蔽电磁波的复合材料，并将其

应用在有线电视网和电子工作间。该材料在射频段将有线电视传输网设备中的干扰场降低了 4%~ 0 0 5%,在电子工作间的屏蔽效能达到 3 0~5 B 0d。台湾的 Co l]为填料，研究了离心球磨干混法对体 hu等 1以镍 0系屏蔽性能的影响。研究结果表明用球磨干混法进行填料混合制得的涂料，仅需 3 (%体积分数)的镍填料即可获得 3 B的舾值。 6d 另外，通过多种金属复合的方法可以提高单一金属的导电性能。毛倩瑾等__用化学镀法在铜粉表 1采 l

Jo J究了掺杂态 P N材料的聚合物基体

和加 oE研 6 A工条件以及结晶性对材料最终屏蔽性能的影响，确定

了舾值接近铜的掺杂 P N的加工条件。研究表明， A 掺杂 P N在 1 1 0 H频率范围内，最大髓值 A 0 0M z 0为 5 B 0d。法国的 Wo i i l以樟脑磺酸 ( U)掺 j e c k w zj P杂 PN A,制得了 P N P A/ U复合材料，研究在 82~ .1 . H频率下材料的屏蔽效能。研究表明，当 P N 82G z A质量分数达到 9%时，其阳值大于 8 B 0 0d。

2复合型屏蔽材料2 1金属系复合型屏蔽材料 .

面包覆银，获得了具有优良导电性的 C/ g uA复合电磁屏蔽剂，将其制成材料后，C/ g复合涂层的电磁 uA波屏蔽效能在 11k z 15G z范围内达到 8 B 0 H . H 0d,

金属粉末或纤维等良导体与聚合物共混可得到聚合物/金属复合材料，当金属粒子达到一定含量时，在聚合物基体中形成一个微观导电网络，从而实现复

大大提高了铜系屏蔽剂的屏蔽性能。2 2金属氧化物系复合型屏蔽材料 .

合材料的屏蔽性能。金属中，银是最好的导体，体积电阻率可达 1~ 1 I c 0 0 5Q m,具有优良的屏蔽性能，由于银的价格昂贵，一般只应用于特殊的领域。

金属氧化物导电填料主要有氧化锡、氧化锌、氧化钛、铁氧体等。金属氧化物作为导电填料，因其密度小、在空气中稳定性好尝可制备透明塑料等优点被广泛应用于屏蔽领域。镀层方面，用物理气相沉积

镍的价格适中，具有较好的导电性和导磁性，是比较

理想的屏蔽材料。此外，还有铜、铁、不锈钢等金属粉末或纤维都可作为屏蔽材料。美国 Bu si rnwc司 k公用直径为 7 k a n的极细不锈钢纤维，其质量分数为 6%时，其舾值可达 4 B 0d。谭松庭等[研究了基体 ]材料的结晶性对材料的屏蔽性能，他们将不锈钢纤维分别加入到 P P和 A S中，得到了电磁屏蔽用导电高 B分子复合材料。研究表明，达到同等屏蔽效果，结晶

法、溅射法、离子喷镀法制成的掺杂 5一1%锡的% 0透明锡氧化膜电阻率可达 1~ 1 - cl 0 0 4 n。程国娥 Q 等 l在纳米 F 4 j 0晶体粒子存在的情况下，用十

二烷

基苯磺酸钠作乳化剂及分散剂，通过 H 1 C调节体系的酸度合成了导电、导磁的 F34苯胺纳米复合物， e0聚

该复合物具有较好的导电性及导磁性。邓建国等将 F34 e用聚吡咯包覆，使具有核壳结构的纳米微球有 O可能合成出具有优异性能的纳米复合材料，同时具有导电性、磁性和纳米效应。这种材料在导电材料、吸波材料、光电显示及静电屏蔽材料等方面具有广泛应用前景。液氮温度下电阻可降到零的低温超导体作为

性的 P基体比无定形的 A S P B基体的纤维临界填充量低。此外，这类材料对电磁波的屏蔽作用以吸收损耗为主，反射损耗量较小。谭松庭还研究了表面改性和复合工艺对不锈钢纤维/ P( A S P或 B )复合材料的电磁屏蔽性能。结果表明，用不同表面处理剂处理不锈钢纤维后，随纤维表面张力增加，复合材料的电阻率增加，S E值下降。

种新型材料，在低频波段的屏蔽性能超过目前所有的材料，近年来也引起了人们的广泛关注。粒径为一

2~6bn的 Y aC3 7 a B2uo粉末烧结成直径为 24mT圆盘 . l I状试样，在 75 25G z液氮温度下船值可达到 .~1 . H7 O~8 n 1 0a[] 3。

表面膜式导电材料、复合型导电涂料也是复合型

屏蔽材料的常见形式。表面导电膜的形成通常需要特殊施工设备，如金属喷镀是将金属锌经电弧熔化后，

2 3碳系复合型屏蔽材料 .

用高速气流将熔化的锌以极细颗粒状粉末吹到塑料壳体上，从而在塑料表面形成一层极薄的金属层，厚度约 7,体积电阻率可达 1 I n 0 02 c m以下，舾值可达 4 B以上。用电镀或化学镀的方法将金属 N或 0d i C/ i uN镀到 A S B等塑料表面，所获得的金属镀层导电

碳系主要以石墨、炭黑或碳纤维为主，主要有粉体和纤维两种。该类材料具有价格低、密度小、不易

沉降、耐腐蚀性强等优点。缺点是表面含有大量的极性物质，难以分散。近来，美国已开发出一些超细炭黑，可用于电磁屏蔽材料，如 Cbt司研制的 s. ao公 u

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第 3卷第】期 6】

何和智等：电磁屏蔽材料的研究现状与进展

pr od c v炭黑和哥伦比亚化学公司研发的 C n e- n ute C i o.

将金属纤维编入纺织品中，如碳纤维与普通纤维混纺

dc x020炭黑，其 S ut4.2 e E值达 3 B 5d。碳纤维的长径

织物、普通化纤络合铜纤维织物等，使织物既具有金属良好的屏蔽效能，同时又不失纺织品原有的柔韧性等特征。由于方便、质轻等优点，导电织物现在正成为研究的热点。化学镀铜织物，是在织物表面以自催化反应的方式，镀上一层金属铜，可利用反应的速度和时间来控制铜层的厚度和性能。H n等lj用化 a 1采 8

比大，在聚合物基体中更易形成完善的微观导电网络，比相同用量的粉体屏蔽材料具有更好的屏蔽效果。Ds1将短碳纤维加入到 P/ V中，制得 P/ a[J 4 EE A E E A短碳纤维复合材料，并在 10 2 0 H和 8 V/ 0~ 0 z 0 M~ 1 H 2G z测试了该材料的电磁屏蔽效能。结果发现，短碳纤维质量分数为 5%的 P/ V短碳纤维材料 0 PE A/

具有比同等用量炭黑复合材料更高的阳值。j￣J o1 u5 将长碳纤维和短碳纤维分别与 P 6 A 6共混制备了P 6/ A 6r维复合材料。通过对该材料的电磁屏蔽特￣纤性的研究发现，同等用量的 P 6/ A 6长碳纤维的 S E值高于 P 5/碳纤维。在 3 A 5短 0—100MH频率内，短 0 z碳纤维质量分数为 3%时，复合材料达到最高 S 0 E值，为 5 B 0d。Wu1对长碳纤维用量与取向对液晶[j 6聚合物/碳纤维复合材料的屏蔽性能的影响进行了长研究。研究发现，取向长碳纤维复合材料的 S E值比

学镀铜方法制备的镀铜织物 S E值在 10M z . 0 H一18 Gz H频率范围内可达到 3 5—6 B 8d,该类织物屏蔽电场效能很好，但屏蔽磁场能力不强。化学镀镍与化学镀铜相似，也能获得较好的屏蔽效能，采用铜镍复合镀方法制备金属化织物，可以保证织物良好的屏蔽性能。刘绍芝[]建平[ _采用先化学镀铜后化学 1和邹 9加等镀镍的方法制备导电织物，这种类型的导电织物表面电阻可达到 1 Q以下，电磁屏蔽效能在 10MH~ 0m 0 z 2 H频率范围内均在 8 B以上。 0G z 0d 将具有电磁屏蔽功能的粒子与普

通纤维切片共混

不取向的长碳纤维复合材料的阳值高。在 30M z 0 H 和 1 0 H下，阳值可达 5 B和 5 B 0 z 0 M 0d 3d,比同等用量的长碳纤维复合材料的高出 1 B 0d。

后进行纺丝，可制备具有良好导电性的纤维，又使纤维不失去原有的强度、延伸性、耐洗性和耐磨性。常用的导电粒子有银纤维、铜纤维、碳纤维、铁纤维、

碳系导电填料属于半导体，所形成的复合材料电导率远小于金属系填料形成的复合材料的电导率。在石墨、碳纤维等材料的表面镀一层金属膜或其他的导体材料，提高石墨、碳纤维等的导电性，可以获得良好的屏蔽效果。日本一研究所采用沉积聚合的新工艺

不锈钢纤维及镀金属玻璃纤维等。台湾 H ag 2 un等-_ l制备了化学镀镍的碳纤维/ B A S复合材料和碳纤维/A S化合物，研究了微观结构对其物理性能的影响， B 在 3 0 z阳最高达 4 B日本 Ymak 0~100MH时 7d。 a ai 推出的铁纤维与尼龙 6、聚丙烯、聚碳酸酯等树脂混合而制成的屏蔽塑料，其中 F .2、F . 5 C E E15 E1 M、F一 2 15 P三个品种的铁纤维填充率为 2%~ 7 ( 2H 0 2%体积

得到了表面沉积有一层石墨的碳纤维，其电导率提高了 10倍。碳纤维表面镀镍以提高碳纤维导电性能是 0最常见的形式，镀镍碳纤维的体积电阻率可达到 1。一1I c 0。 03Q m,尼龙、改性 P树脂可与 l% ( S 5质

分数 )其 S, E值可达 6— 0d。 0 8 B

4国内外的差距在国外，早期研究和开发的屏蔽材料以添加型为主。目前，在屏蔽理论、材料、结构设计等方面进行了广泛而深入的研究，开发出的各种屏蔽产品已应用

量分数 )的镀镍碳纤维制成的复合材料，舾值为 4 4 d,在 6 B 0℃和相对湿度为 9%条件下，经 200h 0 0耐久试验，导电性能基本不变。

碳纳米管是最细的“子导线”分，其独特的管状和螺旋形结构使其具有优良的导电性能。碳纳米管用于电磁屏蔽材料是近几年电磁屏蔽领域的研究热点。 Snl等制备了碳纳米管/氧树脂复合材料，当碳 ade环纳米管质量分数为 0 1%时，复合材料

的电导率可 .5

于各行各业，其产品的屏蔽性能满足各种不同场合的 需要，不仅满足电磁波屏蔽和微波防护方面的需要，而且在军事、宇航和其他高技术领域发挥了积极作用。在电磁屏蔽材料的研制与开发应用方面，美国走在了世界的前列。 目前，电磁屏蔽材料的发展趋势主要是：

达 5 03Sc×1-/m以上。这种复合材料的电性能优于 相同条件下制得的炭黑/氧树脂复合材料，具有较环好的电磁屏蔽作用。

1 )解决现有导电填料性能方面不足的问题，开发新型导电填料。如 Le等用聚吡咯和银/ ( e钯 A P )包覆碳纤维，并将与聚合物混合得到的电磁屏蔽 d

3纤维织物类屏蔽复合材料导电织物具有抗静电、电磁屏蔽等性能，在电子工业日益发展的今天，越来越显示出巨大的市场潜力。导电织物就是在一般纺织品表面镀上金属，或者

材料，比 A d P包覆碳纤维的效果要好，舾值可达8 B。 0d

2 )通过对材料的非晶化和纳米化对材料内部组

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织进行优化，甚至使材料内部晶粒细化到纳米级别， 从而大大提高材料电磁屏蔽性能及综合性能。纳米材料近年来已成为电磁屏蔽材料的一个研究热点， Km[] i 2等将多层壁的碳纳米管 ( 2 MW—N )均匀分散 CT

展[] J .材料导报，20 () 2 4 03 2:5—5 .1]WA R N L FJA N E S N D P t yo odcn 4 R E ,A D R O .A s d fcnutg u ipl e m rhlg— ee et f oatai su nodr J . o r opo yt fc o dp no p re lj m y o h n n o Ee t c e o,18,1 6 ( ) 2 6 l r h m S c 9 9 3 8:2 8 . co

到聚甲基丙烯酸甲酯 (M A P M )中，利用超声波降解法制备得到导电复合物薄膜，薄膜的厚度控制在 2 0 4Otn O,在频率为 5 z . H的范围内，其 a 0MH~35G z~

[]K U .C nutgpl n i o psef S n MI t 5 O L S odcn o ain cm i r D adE i y le o t o E a1 H J .Pl e,2O,

4 (6:90—9 1 . 0G z[J o r O 0 1 2 ) 35 30 m y

[]J 0 J B A O￣ Z U G,e a.Mco aed lc 6 O ,O L K WS,D t 1 i w v e mc r i ems o eo s c pc meal e in d te it n i mea i p n fme a o i s s tl c r g s a nr sc tl c i o n h i l

屏蔽效果很好。

s t o o ai e[] hsR vB Cn esM tr 19, te f l ni J .P y e: odn a e, 94 a py l n t4 ( ) 97—28 . 9 4:27 90

3 )利用工艺及结构的复合化改良材料的电磁屏蔽性能。结构设计近年来也逐渐成为研究重点，Ju o

[]WOKE C ,F U E U ,R D N N,e a.Hg 7 JIWIZ JL A V A X S E O t1 i hee t ma n t hedn f c v n s fp la in - lueh n lc o g ei s ili g e e t e e s o oy nl e p y rt a e r c i i - o

等研究了碳纤维复合材料层数和叠合方式对复合材料电磁屏蔽性能的影响。结果表明，增加复合材料的层数可以有效提高复合材料的阳值，单层复合材料的阳值可达 5 B,增加到三层时，S 0d E值达到 7 B 0d;含有三层交迭组合的复合材料阳值可达 10d,比 0 B 普通的三层复合材料高出近 3 B 0d。我国从 2纪 5 0世 0年代才开始研究和应用屏蔽材料，起步较晚，产品较为单一，最初的开发研究主要

cm ois nt ir aebn J .I pl l t m g o pse i emc w v adl] m JA p Ee r an t h o co Meh 04 9 (—4:23 0 . c,20,1 1 ) 0—26

[]谭松庭，章明秋，容明智，等 .金属纤维填充聚合物复 8合材料的导电性能和电磁屏蔽性能[] J .材料工程，19 99(2:3 . 1)—5

[]管登高 .防电磁信息泄密宽频带电磁波屏蔽集成复合材 9料研究[] D .成都：四川大学，20 . 04

[0 1]胡飞燕 .电磁屏蔽涂料研究进展[] J .涂料技术与文摘，2 o ( ) 1—1 . O 7 7: 4 6

是集中在解决抗静电问题上。目

国内开发研究的屏前蔽材料以添加型导电涂料为主，在新材料的研究与开发方面报道少，未形成名牌产品，在屏蔽性能、物理性能和环境性能上也存在许多问题。电子部 3 3所、 南京 74厂、四川大学屏蔽材料研究室等，已有小规 3模的屏蔽材料出售。近年来，随着国家的重视，在屏蔽理论与材料的研究上逐渐取得了一定的成果，在新

[1 1]毛倩瑾，丁彩霞，周美玲 .C/ g复合电磁屏蔽涂料的 uA研究[] J .涂料工业，20 ( )—1 . 04 4:8 0[2 1]程国娥，黄开勋，柯汉忠 .导电、导磁聚苯胺纳米复合物的合成与表征[] J .地球科学，20,2 1:6 6 . 0 4 9( ) 5— 8【3 A O D ISL H U H.Fr ao fpl e/e mc 1]N MB O R ,Z O o tno y rcr i m i o m a cm seg i budr aair b ehn a ly g[] o p i r n on a cpco ym cai l oi J . o t a y ts ca n lPl e,19,3 (9:4 8—49 . o m r 94 5 1) 08 0 1 y

材料开发、纳米材料、结构设计等方面也小有成就。

14 A 1jD SNC,C A I H K TK,K A T I H S GRD,ea. l t m gec t 1 Ee r ant co in e e e c h e n f c v n s h ln iy t eb s d i t fr n e s il ige e t e e s f tye evn l e t a e r d i oe c a a

5结论随着科学技术的迅速发展，电子产品的应用，电磁辐射越来越严重，对材料的屏蔽性能的要求也越来越高。不同目的和使用条件的工程应用中，往往需兼顾其他方面进行综合设计，所以开发综合性能好、方便、适用且成本低的电磁屏蔽材料具有重要的社会和经济效益。因此，电磁屏蔽聚合物材料将向屏蔽效能更高、屏蔽频率更宽、综合性能更优良的方向发展。 随着国际社会对电磁波污染的重视，各国家相应政策的颁布以及国家、企业对电磁屏蔽领域的投入，电磁屏蔽理论及新材料的开发将会取得更好的成果。

cnut e cm se otn g cr n f e . J A p odcv o p is n in a o

Ur J i o t c a i b i l] plPl c,20,8 (0:10—10 . o Si 0 1 0 1 ) 6 1 68 m y 15 0 S l tm gecs e i l - o pse印一 J UW .Ee r ant h ln o n o 6 cm is lJ co i i d g fyn6 o t

pe oae m d e[] Eet nM t,20,3 (0: ldt l r o￣ s J .J l r a r 0 1 0 1) i s c o e18 2 7— 1 9 2 3.

16 O S 1jJ UW,WU TI HU SK e a.T ei uneo br ,C I , t 1 h f ec f e n l fioin t n o lcrma n t hedn q i— rs lp l es r t i n ee t ea o o g ei s li i l u d cy t y r c i g ni a om

[j.J l t nMa r 0 2 1( ) 7—14 J Ee r co t,20,3 3:18 8 . e17 R G ,nJE A K,S I IU N.Mio aeas p o A IA T 1J JD I H MZ c w v bo tn r ri

p pre fF/ i2nn-o pse pw e J .JJnIs o i r etso eSO aocm i dr[] p nt o toMe,2 0 t 0 2,6 ( ) 3 6 3:1 5.

参考文献[]胡世祥 .电磁兼容技术[ .北京：国防工业出版社， 1 M]20 0 5: 2.

18 H N E G.Eetm geciefec h ln f cvns 1 j A l c o ant t e nes e geet ees r i n rr i d i i o e c ol sC -le E ar s[] Sn e,20, fl t e up t P T f i er s ad b c J . yt M t 01 h13 2:4 9—4 6. 6 7

[]B M A D W,S R R 2 E H R E G O M.Dse i sh n e enb— i ro a tei bt e a p s n lk ws i c街s a℃ n o meca p l a o f c n u t e p l r e rh a d c m r il a pi t n o o d ci oy s ci v me

[9 1]刘绍芝 .电磁屏蔽织物及其制作方法：中国，13 89 263 A

[] 99—1 0 . P .19 2— 1(下转第 7页)

(o ain pl

n i y l e)[3 yt e,19,9:13 4 . J .SnhM t 9 8 3 4—15

[]何益艳，杜仕国，姜志博 .电磁屏蔽导电塑料的研究进 3

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第3 6卷第 l期 1

周乐宁等：含氟化合物接枝 A S的研究 B

消耗了大量的初级自由基也降低了单体浓度，从而接枝率下降。而加入 s以后，A S的 M R先增加后降 t B F低。在 s用量较少时，刚性的 s接枝到 A S分子链 t t B上后将增加 A S分子链的柔顺性；随着 s用量进一 B t步增加，s也容易和 F t A发生共聚，生成大分子共聚物，消耗了大量的初级自由基，导致接枝率下降，并

到一定程度后，随着接枝率的降低，氢键的强度减弱，MF R有所升高。

3结论以D P C为引发剂，F A可以成功接枝到 A S B分子链上；共单体 s的加入，可以显著提高 F t A对 A S接 B枝率；当 D P用量为 06pr t C . h,S用量为 4pr A用 h,F

且AS B分子链降解程度也减小，M R也下降。 F24单体用量对接枝率和 MF的影响 . R图 4为 S和 D P用量不变的条件下，F t C A用量对

量为 7Dr h时接枝率最高，可达 1 .%;接枝对 A S 35 B的 MF R影响很大，其中最为明显的是当 D P用量增 C加时，接枝物的 MF R显著增加。参考文献[] L WA D WS IG,M IS E ,M L HE T E.S ei 1 E N O K ESN R E IC R pc l aapctn ff o ntd ogn o pud[] aa plaoso ur a r i cm ons J .J H zr i i l i e ac dMa r O 6 3: 3 5—3 1 t,2 O, 6 e 8 9 .

接枝率和 MF的影响。从图 4可知，接枝率随 F R A单

体用量的增加显现出先升后降的变化趋势。F A的用量较少时，随着 F A单体用量的增加接枝率增加，但由于 D P的用量是恒定的，当 F C A单体增加到一定程度后，接枝率不会增加。由于 F A单体既容易均聚也容易和 S发生共聚，这都将消耗大量的初级自由基， t形成的大分子链再接枝到 A S分子链上去的可能性 B很小，导致接枝率降低。

[]S AR A SC C A Y ,R M N M 2 H M ,A H R A D P O A G

,e a.P ae t 1 hs b h vo d s r c e s n f a hp ic f o n td r d m e a ir a u f e t i s o mp i hl u r ae a o n a n o i l i n

cpl e uoss uos[] oo sSrA,2O,20 oo m r qeu o tn J .Cli u y a li ld f O6 8:1 0— 1 5. 4 4

[]P R J E 3 A K I,L ESB,C O ,e a.Sr c rpre ad H I K t 1 uf epo ts C a e i nsut eo pl (efo a y t l e ar a )[j o t c r f o prur l lh t cy t J .JCl r u y l o k e y m h le—_

li nefc c, 1 9 0d I tr e S i 9 6, 1 1 8 a 8:2 4—2 8 8 .

言褂

导

[]KM 4 I D K,L E SB.Cm ai no sr c r ei f a— E o pro f uf epo re o n s a p ts rd m,b o k a d g tc p lme sh vn r u rak la d s i o lc, n mf o o y r a i gp f o l y n i— e l o l

辎

重

cn- n in i hi J .JCl i I eaeSi O2 oe otn gs eca s[] oo t c c,2 O, c ai d n ld n r f2 7 4 0—4 3. 4: 9 9

[]丁国兰，闻荻江 .丙烯酸含氟酯改性聚合物的研究及表 5征方法[] J .塑料加工，20 () 4—6 . 07 5:4 6[]P N I— P I A DF H V TB R SEJ 6 O CN E AI R ,C E E ,B O S C.M d c. L oi a i f 图 4 A用量对接枝率和 M R的影响 F FFg 4 E e to A o tn n gat g rt n R i f c fF c n e to rf n ai a d MF i o t n o s tci p l rp ln y a c l l ma o l ee t n i l a t oy o y e e b od p a r a lcr o f o c p s l o

b a a d g a ig o t ea rl cd o t t ee a t ae lmes e m rf n h cyi a i no h s ci td p y r n t f c v o

从图 4还

可看出，随着 F A用量的增加，接枝物的 MF先降后升。接枝到 A S分子链上的 F R B A其含氟段易在表面富集，内部的酯基 ( c (一)之间也一 O) .

[J p1 o m Si 94 3 21 36 J .J p Pl c,19,5:19—10 . A y1 jU i,XEX mn,G O Bou .S d nsrn- st 7 Yn g I u ig U aha t yo teea ie u y ss dme e -a ia rf n f maec a h d ie o t o p p ln l f rd c lg a ig o li n y r n o p l r ye e tr c t d yo

将产生氢键作用使 M R下降[ F;而当 F A用量增加

[] o m r 0 1 2 4 9 45 J .Pl e,20,4:31—32 . y (修改稿于 20—0—2 08 8 6收到 )

(上接第 4页 )

lJ u aeC a T ho,2O,14 13 3 . J .Sr c ot e nl 0 4 8: 2—12 f c

[0 2]邹建平 .抗电磁波辐射屏蔽织物的制作方法：中国，14 96 P .20—0—2 . 359A[] 04 4 4[1 U N h u .Te il neo ett a et0 l t 2]H A G C/ a yn h nu c fha r t n n e co fe e m er l s i e ca df e E C )o h ehn a p pre e, c l ot br( N F ntem c ai r e i sn k e i c o ts ln MI ili g o a d E hed n f NC eno c d A l ei o o i s s E F r ifre BS p y r c mp s e o m c t

12 I w M,K 2 JKM UD Y E K,e a.T ee c o ant i.,L EI t 1 h l t m g ecn er itr rn e s il n f c du z eo i e s v r l y mut ef e e hed g e e to i i m-i xd/ i e l l . e i f n n l ao i

1 e dt nf s[] h od Fm,20,43 1 a r i l J .T i Sl i s 05 7:35— ye h i m n i l3 0. 2

(文于 20—0—0本 08 8 8收到)

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