1-3章2011课后习题

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一.填空

1. 和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变 窄 ;当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变 宽 。

2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的 单向导电 特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的 反向击穿 特性。

3. 三极管工作在放大状态时,发射结应 正 偏置,集电结应 反 偏置。若工作在饱和状态时,发射结应 正 偏置,集电结应 正 偏置。若工作在截止状态时,发射结应 反 偏置,集电结应 反 偏置。

4. 三极管电流放大系数β=50,则α= 0.98 ;若α=0.99,则β= 99 。 5. 当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β 增大 ,穿透电流ICEO 增加 ,当IB不变时,发射结正向压降|UBE| 减小 。

6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 大 ;若负载电阻RL变小时,其电压增益将变 小 。

7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic偏小 ;产生饱和失真的原因是 Ic偏大 ;若两种失真同时产生,其原因是 输入信号太大 。 8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路,其中输入电阻较大的是 共集 电路;通频带较宽的是 共基 电路;输入电阻较小的是

共基 电路;输出电阻较小的是 共集 电路;输出信号与输入信号同相位的是 共集和共基 电路;电压增益小于1的是 共集 电路;带负载能力较强的是 共集 电路;既有电流放大能力又有电压放大能力的是 共射 电路。

9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100,当信号频率为上限频率fH时,这时电路的实际增益为 -70.7 ,其输出与输入信号的相位相差 -225 度。当信号频率为上限频率fL,这时电路的实际增益为 -70.7 ,其输出与输入信号的相位相差 -135度

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10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示,由图可知,该电路的中频电压放大倍数为 100 倍,上限频率fH= 2×106 Hz,下限频率fL= 20 Hz,当信号频率恰好为fH或fL时,实际电压增益为 37 dB。

11. 在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是 载流子的浓度差 作用下产生的,漂移运动是 载流子在内电场 作用下产生的。

12. 放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。

13. 在三极管多级放大电路中,已知AV1=20,AV2=-10,AV3=1,AV1是 共基 放大器,AV2是 共射 放大器,AV3是 共集 放大器。

14.射极输出器的主要特点是:电压放大倍数 近似为1 、输入电阻 比较大 、输出电阻 比较小 。

15. 半导体中有 自由电子 和 空穴 两种载流子。本征半导体的导电能力取决于 环境温度或光照强度 ,杂质半导体的导电能力主要取决于 掺杂浓度 。

16.温度升高,本征载流子浓度 增加 ;杂质半导体中少子浓度 增加 ,多子浓度 基本不变 。

17.改变半导体导电能力的方法有 受到外界光和热的刺激 和 在纯净的 半导体中加入微量的杂质 。

18.N型半导体的多数载流子是 自由电子 ,少数载流子是 空穴 。 19.P型半导体的多数载流子是 空穴 ,少数载流子是 自由电子 。 20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式,分别是多数载流子的

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扩散运动 和少数载流子的 漂移运动 。

21.PN结的电击穿分为 雪崩击穿 和 齐纳击穿 两种类型。 22.BJT所代表的电气元件是 双极型三极管 。

23.三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 线性放大区 和 截止区 。 24.静态工作点Q点一般选择在 交流 负载线的中央。

25.根据结构的不同,场效应管可分为 结型场效应管 和 绝缘栅型场效应管 两类。 26. MOSFET所代表的电气元件是 金属-氧化物-半导体场效应管 。 27.共集电极电路又被称为 电压跟随器 ;共基极电路又被称为 电流跟随器 。 28.静态工作点Q点选得过低会导致 截止 失真;Q点选得过高会导致 饱和 失真。 29. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件,即要求 发射区 杂质浓度要远大于 基区 杂质浓度,同时基区厚度要很 薄 ;另一方面要满足外部条件,即发射结要 正向 偏置、集电结要 反向 偏置。

30. 对应于BJT的三种基本放大电路,被称为射极输出器的电路是 共集电极电路 、称为电流跟随器的电路是 共基极电路 、称为电压跟随器的电路是 共集电极电路 。 31. 在BJT的三种基本放大电路中,同时具有电压和电流放大作用的电路是 共射极放大电路 ;仅具有电压放大作用的电路是 共集电极电路 ;仅具有电流放大作用的电路是 共基极电路 。

32. 场效应管是一种利用 电场效应 来控制其电流大小的半导体器件。

33. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于 反向击穿 (正向导通;反向截止;反向击穿)。

34. 半导体三极管属于 电流 控制器件,而场效应管属于 电压 控制器件。

35. 射极输出器的主要特点是:电压放大倍数 近似为1 ;输入电阻 很大 ;输出电阻 很小 。

36. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的 之积 。

37. 将几级放大电路串联起来后,总电压增益虽然提高了,但通频带变 窄 了。

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38. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变 导电沟道 的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面 感应电荷 的多少,从而控制漏极电流的大小。

39.对于下图所示电路,设VCC=12V,Rb=510kΩ,Rc=8 kΩ,VBE=0.7V,VCE(sat)=0.3V,当β=50,静态电流IBQ= 22μA ,ICQ= 1.1mA ,管压降VCEQ= 3.2V ;若换上一个当β=80,静态电流IBQ= 22μA ,ICQ= 1.46mA ,管压降VCEQ= 0.3V ,三级管工作在 饱和 状态。

40.对于下图所示电路,设VCC=12V,三级管β=50,VBE=0.7V,若要求静态电流ICQ=2mA,VCEQ=4V,则电路中的Rb= 282.5 kΩ ,RC= 4 kΩ 。

题40 题41

41.对于下图所示电路,已知VCC=12V,Rb1=27 kΩ,Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA,则Rb2= 12 kΩ 。

42.已知图示的放大电路中的三级管β=40,VBE=0.7V,稳压管的稳定电压VZ=6V,则静态电流IBQ= 0.275mA ,ICQ= 11mA ,管压降VCEQ= 3V 。

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43.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作,当到了夏天后,发现输出波形失真,且幅度增大,这时发生的失真是 饱和 失真,失真的主要原因是由于夏天室温升高后,三级管的 ICBO 、 VBE 和 β 三个参数的变化,引起工作点 上移 ;输出波形幅度增大,则是因为 β 参数随温度升高而增大所造成,输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

44.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用 共射、共基 ;若希望带负载能力强,应选用 共集 组态;若希望从信号源索取的电流小,应选用 共集 组态。

二.选择

1. 由理想二极管组成的电路如图所示,其A、B两端的电压UAB应为( B )。 A、UAB=-12V B、UAB=-6V C、UAB=+6V D、UAB=+12V

题1 题2

2. 由硅二极管组成的电路如图所示,电阻R2中的电流I为( C )。 A、I=2mA B、I=0mA C、I=1.5mA D、I=-1.5mA

3. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为( A )。

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A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管

4. 测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为UC=12V,UB=1.8V和UE=0V,则该管是处于( D )。

A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、已损坏

5. 有人选用最大允许集电极电流ICM=20mA,最大允许电压UCEO=20V,集电极最大允许耗散功率PCM=100mW的三极管组成放大电路,其静态工作点IC=15mA,UCE=10V,则该管应属于下列四种状态中的( D )。

A、可以正常放大 B、可能击穿 C、放大性能较差 D、过热或烧坏

6. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kΩ的负载后,其输出电压为4V,这表明该放大电路的输出电阻是( C )。 A、10kΩ B、2kΩ C、1kΩ D、0.5kΩ

7.电路如图所示,如UCC>>UCES,且ICEO≈0,则在静态时,该三极管工作的状态是( B )。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不定

8. 电路如图所示,若不慎将旁路电容Ce断开,则将( C )。 A、不仅影响静态工作点,而且也影响电压增益。 B、只影响静态工作点,但不影响电压增益。 C、不影响静态工作点,只影响电压增益。 D、不影响静态工作点,也不影响电压增益。

9.两个独立的共射极放大电路,负载开路时的电压增益分别为A1和A2,如果将它们串

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接成两级电压放大电路时,则总的电压增益满足( D )。 A、A1+ A2 B、A1×A2 C、>|A1×A2 | D、<|A1×A2 |

10. 场效应管本质上是一个( C )。双极型三极管本质上是一个( A )。 A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件 11.N沟道JFET的跨导gm是( C )。

A、一个固定值 B、随电源电压VDD增加而加大

C、随静态栅源电压VGS增加而加大 D、随静态栅源电压VGS增加而减小 12.某场效应管的转移特性如图所示,则该管是( A B )。 A、P沟道增强型MOSFET B、N沟道JFET

C、N沟道增强型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET

13.已知某FET的输出特性如图所示,试判别它是( D A )。 A、N沟道增强型MOSFET B、N沟道JFET

C、P沟道耗尽型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET

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14.硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为( B )。

A、0.6V;0.6V B、0.6V;0.1V C、0.1V;0.6V D、0.1V;0.1V 15.在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于( A )。 A、温度 B、掺杂元素 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺 16.N型半导体是在纯净的本征半导体中加入( D )。 A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素

17.用万用表直流电压档,测得电路中晶体管(硅管)各电极相对于某一参考点的电位如图所示,从而可以判断出该晶体管工作在( D )。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态 1V

-5V -5.3V

题17 题18、19

18.电路如图所示,若更换晶体管,使β由50变为100,则电路的电压放大倍数( C )。 A、约为原来的一半 B、基本不变 C、约为原来的2倍 D、约为原来的4倍

19. 当上图所示电路输入1kHZ、5mV的正弦波电压时,输出电压波形的底部出现了被削

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平的失真,为了削除这种失真,应( D )。 A、增大集电极电阻RC B、改换β大的晶体管 C、减小基极偏置电阻Rb D、增大基极偏置电阻Rb 20.温度上升时,半导体三极管的( A )。

A、β和ICBO增大,uBE减小 B、β和uBE增大,ICBO减小 C、uBE和ICBO增大,β减小 D、β、uBE和ICBO均增大

21.在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( D )。

A、共集电极放大电路 B、共基极放大电路 C、共漏极放大电路 D、共射极放大电路 22.右图所示的固定偏流式放大电路中, 当Rc、Rb的参数分别是( C )时,该电路 的静态工作点处在放大区。设三极管的β=100。 A.5.6kΩ、10 kΩ B. 5.6kΩ、510 Ω

C.5.6kΩ、1MΩ D. 100kΩ、1MΩ 题22-30

23.已知放大电路中的Rb=100kΩ,Rc=1.5 kΩ,三极管的β=80,在静态时,该三极管处于( b )。

A.放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态 D. 状态不定

24.在图示放大电路中,集电极电阻Rc的作用是(c)。 A.放大电流 B. 调节IBQ

C.防止输出信号交流对地短路,把放大了的电流转换成电压 D. 调节ICQ 25.对于图所示的放大电路,当用直流电压表测得UCE≈VCC时,有可能是因为(a);当测得UCE≈0时,有可能是因为(d)。

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A.Rb开路 B. RL短路 C.Rc开路 D. Rb过小

26.对于图示放大电路,若VCC=12V,Rc=2kΩ,集电极电流IC计算值为1mA,今用直流电压表测得UCE=8V,这说明(d)。 A.工作正常 B. 三极管c-e极间开路 C.三极管b-e极间短路 D. 电容C2短路

27.对于图示电路,若仅当Rb增加时,UCEQ将(a);仅当Rc减小时,UCEQ将(a);仅当RL增加时,UCEQ将(c);仅当β减小(换三极管)时,UCEQ将(a)。 A.增大 B. 减小 C.不变 D. 不定

28.在图示的放大电路中,原来没有发生非线性失真,然而在换上一个β比原来大的三极管后,失真出现了,这个失真必定是(B);若该电路原来发生了非线性失真,但在减小Rb后,失真消失了,这失真必是(A)。 A.截止失真 B. 饱和失真 C.双重失真 D. 交越失真

29.对于图示固定偏流电路,当室温升高时,其三极管IBQ(A),ICQ(A),UCEQ(B)。 A.增大 B. 减小

C.不变(或基本不变) D. 不定

30.在图示共射极偏置电路中,若上偏流电阻Rb1短路,则该电路中的三极管处于(b)。 A.放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态 D. 状态不定

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31.32.33图

30.对于图示放大电路,若仅当Rb增加时,UCEQ将(a);仅当Rc减小时,UCEQ将(a);仅当RL增加时,UCEQ将(c);仅当β减小(换三极管)时,UCEQ将(c)。 A.增大 B. 减小 C.不变 D. 不定

32.在图示共射极偏置电路中,其静态工作点靠近截止区,当除去旁路电容Ce后,该电路的最大不失真输出电压幅值Vom(c),放大倍数Av(b)。输入电阻Ri(a),输出电

...阻Ro(c);若仅是RL增大,则Av(a),Ri(c),Ro(c);若仅是?增大,则Av(a),

Ri(c),Ro(c)。

A.增大 B. 减小 C.不变 D. 不定

33.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(c),而少数载流子的浓度则与(a)有很大关系。

A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

34.当PN结外加正向电压时,扩散电流(a)漂移电流,耗尽层(e),当PN结外加反向电压时,扩散电流(b)漂移电流,耗尽层(d)。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变

35.为了使高阻输出的放大电路(或高阻信号源)与低阻负载(或低输入电阻的放大电路)很好地配合,可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入(b);为了把一个低阻输

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出的放大电路(或内阻极小的电压源)转变为高阻输出的放大电路(或内阻尽可能大的电流源),可以在低阻输出的放大电路后面接入(c)。

A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.任何一种组态的电路

36.在单极放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共射电路时,则vo和vi的相位(b),当为共集电路时,则vo和vi的相位(a),当为共基电路时,则vo和vi的相位(a)。 A.相同 B.相反 C.相差90° D.不定

37.既能放大电压,也能放大电流的是(a)组态放大电路;可以放大电压,但不能放大电流的是(c)组态放大电路;只能放大电流,但不能放大电压的是(b)组态放大电路。 A.共射 B.共集 C.共基 D.不定

38.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中,电压放大倍数小于1的是(b)组态;输入电阻最大的是(b)组态,最小的是(c)组态;输出电阻最大的是(c)组态,最小的是(a)组态。

A.共射 B.共集 C.共基 D.不定

39. 某共射放大电路如图所示,其中Rb=470KΩ,Rc=2KΩ,若已知IC=1mA,VCE=7V,VBE=0.7V,rbe=1.6KΩ,β=50,则说明(d)。 A.AV?..VoVi...?VCE7Vo?ICRC?1?2??10 B.AV?.????3 VBE0.7VBE0.7Vi..C.AV?.VoVi..??ICRCRRC???C?????62.5 IbRiRiRbrbeRC??62.5 rbeD.AV?VoVi.???

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40.为了使高内阻信号源与低内阻负载很好地配合,可以在信号源于低内阻负载间接入(c)。

A.共射电路 B. 共基电路 C.共集电路 D.共集-共基串联电路

41.图示电路出现故障,经测量得知VE=0, VC=VCC,故障的可能原因是(d)。

A.RC开路 B.RC短路 C.Re短路 D.Rb1开路

42.某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管(D)。 A.处于放大区域 B.处于饱和区域 C.处于截止区域 D.已损坏

题44

43.某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kΩ负载后,其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为(c)。 A.10kΩ B.2kΩ C.1kΩ D.0.5kΩ

44.某放大电路如图所示,设VCC>>VBE,ICEO近似为0,则在静态时该三极管处于(b)。 A.处于放大区域 B.处于饱和区域 C.处于截止区域 D.不定

45,.P型半导体是在纯净的本征半导体中加入( C )。

A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素 46. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入( D )。

A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素

47. 工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,

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那么它的β约为( C )。

A. 83 B. 91 C. 100 D. 110

48. 若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将( D )。

A.RW减小 B.Rc增大 C.VCC减小 D。RW增大

49. 放大电路在高频信号因是( B )。

A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 50. 放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( A )。

A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适

作用时放大倍数数值下降的原

三.简答题:

1. 请写出BJT和FET组成的放大电路的六种组态,并将该六种组态与反相电压放大器、电压跟随器以及电流跟随器三种组态相对应。

BJT放大电路的组态:共射极(CE)、共集电极(CC)和共基极(CB) FET放大电路的组态:共源极(CS)、共漏极(CD)和共栅极(CG) 反相电压放大器:CE和CS;电压跟随器:CC和CD; 电流跟随器:CB和CG

2. 写出下面电路的名称并以VI恒定而RL减小情况为例叙述其工作原理。

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该电路是并联式稳压电路。电路中DZ为稳压管,R为限流电阻,它的作用是使电路有个合适的工作状态,并限定电路的工作电流。负载RL与稳压管并联,因而称为并联式稳压管电路。这种稳压管之所以能够稳定输出电压,在于当稳定电流IZ有较大幅度的变化

△IZ 时,而稳定电压的变化△VZ却很小。这样,当VI或RL变化时,电路能自动的调整IZ的大小,以改变R上的压降IRR,达到维持输出电压VO(VZ)基本恒定的目的。例如:

当RL不变,VI变化时,VI↑→VO↑→IZ ↑→IR↑→VR↑→VO↓。当VI不变,RL变小时,RL↓→IO↑→IR↑→VO↓→IZ↓→IR↓→VO↑。

3. 下图所示的为MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型,说明它的开启电压VT=?如果是耗尽型,说明它的夹断电压VP=?(图中iD的假定正向为流进漏极)

该FET为N沟道耗尽型MOSFET,其VP=—3V;该FET为P沟道增强型MOSFET,其VT=-4V。

4. 解释名词零点漂移并叙述差分式电路抑制零点漂移的工作原理。

零点漂移:就是当放大电路的输入端短路时,输出端还有缓慢变化的电压产生,即输出电压偏离原来的起始点而上下浮动。

在差分式电路中,无论是温度变化,还是电源电压的波动都会引起两管集电极电流

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以及相应的集电极电压的相同变化,其效果相当于在两个输入端加入了共模信号,由于电路的对称性和恒流源偏置,在理想的情况下,可使输出电压不变,从而抑制了零点漂移。

5. 简述BJT内部载流子传输过程及电流分配关系。

以NPN型BJT为例,为使发射区发射电子,集电区收集电子,必须具备的条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压,在这些外加电压的条件下,管内载流子的传输将发生下列过程: (1)发射区向基区注入电子 ……………………… 6. 简述PN结的形成过程。

7. 写出下面电路的名称并叙述其稳定静态工作点的物理过程。

该电路的名称是分压式偏置电路或射极偏置电路,该电路具有稳定静态工作点的作用,其稳定静态工作点的物理过程为T↑→IC↑→IE↑→IERe↑→VBE↓ IC↓←---------------------IB↓ 8、简述PN结的单向导电性原理。

9、.说明BJT放大电路的三种基本组态,并任选其一画出电路图和微变等效电路图。 10、简述BJT内部载流子电流分配及放大作用

四.判断

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1. 判断图中理想二极管的工作状态,并求出AO两端的电压。

D1处于导通状态、D2处于截止状态 VAO=0V。 VD导通 VAO=-4V

D1处于截止状态、D2处于导通状态 VAO=-6V。

2. 试判断图中的二极管是导通还是截止,为什么?(假设二极管是理想的)

VA=1V VB=1+2.5=3.5V D处于反向截止状态。

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VA=1V VB=2.5-1=1.5V D处于反向截止状态。

VA=1V VB=2.5-2=0.5V D处于正向导通状态。

3. 如图ui=2Esinωt,D1、D2为理想二极管,试求D1、D2的工作状态及uo波形。

4. 电路如图所示稳压管DZ的稳定电压VZ=8V,限流电阻R=3K,设vi=15sinωt,试画出vo的波形。

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五.电路分析与计算

1. 已知射极偏置电路的元件参数如下图所示且β=60,求:(1)用估算公式法求解Q点并画出直流通路图;(2)用小信号模型分析法求解该放大电路的动态性能指标。

题1 题2

2. 电路如图所示,晶体管的β=100,RB1=25kΩ,RB2=5kΩ,RC=5 kΩ,RE1=300Ω,RE2=1 kΩ,RL=5 kΩ。求:(1)用估算公式法求解Q点并画出直流通路图;(2)用小信号模型分析法求解该放大电路的动态性能指标。

3. 电路如图,设β=100,试求:(1)画出直流通路图求Q点;(2)画出交流小信号模型图求电压增益AV1=VO1/VS和AV2=VO2/VS;(3)输入电阻Ri;(4)输出电阻Ro1和Ro2。

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题3 题5

4. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=-9V,VB=-6V,VC=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并说明此BJT是NPN管还是PNP管。

5. 某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的电流如图,用万用表直流电流档测得IA=-2mA,IB=-0.04mA,IC=+2.04mA,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并说明此管是NPN管还是PNP管。

6、已知测得放大电路中的三极管的两个电极的电流如图2所示。

1. 求另一电极电流的大小,并标出实际极性; 2. 判断是NPN管还是PNP管; 3. 标出e,b,c电极; 4. 估算β值。

0.03mA1.8mA图2答:1、1.83mA,极性向外。 2、NPN管 3、略 4、β=1.8/0.03=60

7. 试分析下图所示的电路对正弦交流信号有无不失真放大作用,并简述理由。

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本文来源:https://www.bwwdw.com/article/813d.html

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