1-3章2011课后习题

一．填空

1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变 窄 ；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变 宽 。

2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的 单向导电 特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的 反向击穿 特性。

3. 三极管工作在放大状态时，发射结应 正 偏置，集电结应 反 偏置。若工作在饱和状态时，发射结应 正 偏置，集电结应 正 偏置。若工作在截止状态时，发射结应 反 偏置，集电结应 反 偏置。

4. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝ 0.98 ；若α＝0.99，则β＝ 99 。 5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β 增大 ，穿透电流ICEO 增加 ，当IB不变时，发射结正向压降|UBE| 减小 。

6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻RL变小时，其电压增益将变 小 。

7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。 8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是 共集 电路；通频带较宽的是 共基 电路；输入电阻较小的是

共基 电路；输出电阻较小的是 共集 电路；输出信号与输入信号同相位的是 共集和共基 电路；电压增益小于1的是 共集 电路；带负载能力较强的是 共集 电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是 共射 电路。

9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益为 -70.7 ，其输出与输入信号的相位相差 -225 度。当信号频率为上限频率fL，这时电路的实际增益为 -70.7 ，其输出与输入信号的相位相差 -135度

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10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为 100 倍，上限频率fH＝ 2×106 Hz，下限频率fL＝ 20 Hz，当信号频率恰好为fH或fL时，实际电压增益为 37 dB。

11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是 载流子的浓度差 作用下产生的，漂移运动是 载流子在内电场 作用下产生的。

12. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。

13. 在三极管多级放大电路中，已知AV1＝20，AV2＝-10，AV3＝1，AV1是 共基 放大器，AV2是 共射 放大器，AV3是 共集 放大器。

14.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1 、输入电阻 比较大 、输出电阻 比较小 。

15. 半导体中有 自由电子 和 空穴 两种载流子。本征半导体的导电能力取决于 环境温度或光照强度 ，杂质半导体的导电能力主要取决于 掺杂浓度 。

16．温度升高，本征载流子浓度 增加 ；杂质半导体中少子浓度 增加 ，多子浓度 基本不变 。

17.改变半导体导电能力的方法有 受到外界光和热的刺激 和 在纯净的 半导体中加入微量的杂质 。

18.N型半导体的多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是 空穴 。 19.P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 。 20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的

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扩散运动 和少数载流子的 漂移运动 。

21.PN结的电击穿分为 雪崩击穿 和 齐纳击穿 两种类型。 22.BJT所代表的电气元件是 双极型三极管 。

23.三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 线性放大区 和 截止区 。 24.静态工作点Q点一般选择在 交流 负载线的中央。

25.根据结构的不同，场效应管可分为 结型场效应管 和 绝缘栅型场效应管 两类。 26. MOSFET所代表的电气元件是 金属－氧化物－半导体场效应管 。 27.共集电极电路又被称为 电压跟随器 ；共基极电路又被称为 电流跟随器 。 28.静态工作点Q点选得过低会导致 截止 失真；Q点选得过高会导致 饱和 失真。 29. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求 发射区 杂质浓度要远大于 基区 杂质浓度，同时基区厚度要很 薄 ；另一方面要满足外部条件，即发射结要 正向 偏置、集电结要 反向 偏置。

30. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是 共集电极电路 、称为电流跟随器的电路是 共基极电路 、称为电压跟随器的电路是 共集电极电路 。 31. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是 共射极放大电路 ；仅具有电压放大作用的电路是 共集电极电路 ；仅具有电流放大作用的电路是 共基极电路 。

32. 场效应管是一种利用 电场效应 来控制其电流大小的半导体器件。

33. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于 反向击穿 （正向导通；反向截止；反向击穿）。

34. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。

35. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1 ；输入电阻 很大 ；输出电阻 很小 。

36. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的 之积 。

37. 将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变 窄 了。

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38. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变 导电沟道 的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面 感应电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。

39.对于下图所示电路，设VCC=12V，Rb=510kΩ，Rc=8 kΩ，VBE=0.7V，VCE（sat）=0.3V,当β=50，静态电流IBQ= 22μA ，ICQ= 1.1mA ，管压降VCEQ= 3.2V ；若换上一个当β=80，静态电流IBQ= 22μA ，ICQ= 1.46mA ，管压降VCEQ= 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。

40.对于下图所示电路，设VCC=12V，三级管β=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路中的Rb= 282.5 kΩ ，RC= 4 kΩ 。

题40 题41

41.对于下图所示电路，已知VCC=12V，Rb1=27 kΩ，Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2= 12 kΩ 。

42.已知图示的放大电路中的三级管β=40，VBE=0.7V，稳压管的稳定电压VZ=6V，则静态电流IBQ= 0.275mA ，ICQ= 11mA ，管压降VCEQ= 3V 。

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43.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是 饱和 失真，失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的 ICBO 、 VBE 和 β 三个参数的变化，引起工作点 上移 ；输出波形幅度增大，则是因为 β 参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

44.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用 共射、共基 ；若希望带负载能力强，应选用 共集 组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用 共集 组态。

二．选择

1. 由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压UAB应为（ B ）。 A、UAB＝－12V B、UAB＝－6V C、UAB＝＋6V D、UAB＝＋12V

题1 题2

2. 由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（ C ）。 A、I＝2mA B、I＝0mA C、I＝1.5mA D、I＝－1.5mA

3. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、－10V和－9.3V，则该管为（ A ）。

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A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管

4. 测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为UC＝12V，UB＝1.8V和UE＝0V，则该管是处于（ D ）。

A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、已损坏

5. 有人选用最大允许集电极电流ICM＝20mA，最大允许电压UCEO＝20V，集电极最大允许耗散功率PCM＝100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点IC＝15mA，UCE＝10V，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。

A、可以正常放大 B、可能击穿 C、放大性能较差 D、过热或烧坏

6. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（ C ）。 A、10kΩ B、2kΩ C、1kΩ D、0.5kΩ

7.电路如图所示，如UCC>>UCES，且ICEO≈0，则在静态时，该三极管工作的状态是（ B ）。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不定

8. 电路如图所示，若不慎将旁路电容Ce断开，则将（ C ）。 A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。 B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。 C、不影响静态工作点，只影响电压增益。 D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。

9．两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为A1和A2，如果将它们串

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接成两级电压放大电路时，则总的电压增益满足（ D ）。 A、A1+ A2 B、A1×A2 C、>|A1×A2 | D、<|A1×A2 |

10. 场效应管本质上是一个（ C ）。双极型三极管本质上是一个（ A ）。 A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件 11．N沟道JFET的跨导gm是（ C ）。

A、一个固定值 B、随电源电压VDD增加而加大

C、随静态栅源电压VGS增加而加大 D、随静态栅源电压VGS增加而减小 12．某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（ A B ）。 A、P沟道增强型MOSFET B、N沟道JFET

C、N沟道增强型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET

13．已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（ D A ）。 A、N沟道增强型MOSFET B、N沟道JFET

C、P沟道耗尽型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET

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14．硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（ B ）。

A、0.6V；0.6V B、0.6V；0.1V C、0.1V；0.6V D、0.1V；0.1V 15．在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）。 A、温度 B、掺杂元素 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺 16．N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。 A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素

17.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态 1V

-5V -5.3V

题17 题18、19

18.电路如图所示，若更换晶体管，使β由50变为100，则电路的电压放大倍数（ C ）。 A、约为原来的一半 B、基本不变 C、约为原来的2倍 D、约为原来的4倍

19. 当上图所示电路输入1kHZ、5mV的正弦波电压时，输出电压波形的底部出现了被削

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平的失真，为了削除这种失真，应（ D ）。 A、增大集电极电阻RC B、改换β大的晶体管 C、减小基极偏置电阻Rb D、增大基极偏置电阻Rb 20.温度上升时，半导体三极管的（ A ）。

A、β和ICBO增大，uBE减小 B、β和uBE增大，ICBO减小 C、uBE和ICBO增大，β减小 D、β、uBE和ICBO均增大

21.在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是（ D ）。

A、共集电极放大电路 B、共基极放大电路 C、共漏极放大电路 D、共射极放大电路 22.右图所示的固定偏流式放大电路中， 当Rc、Rb的参数分别是（ C ）时，该电路 的静态工作点处在放大区。设三极管的β=100。 A．5.6kΩ、10 kΩ B. 5.6kΩ、510 Ω

C．5.6kΩ、1MΩ D. 100kΩ、1MΩ 题22-30

23.已知放大电路中的Rb=100kΩ，Rc=1.5 kΩ，三极管的β=80，在静态时，该三极管处于（ b ）。

A．放大状态 B. 饱和状态 C．截止状态 D. 状态不定

24.在图示放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（c）。 A．放大电流 B. 调节IBQ

C．防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压 D. 调节ICQ 25.对于图所示的放大电路，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为（a）；当测得UCE≈0时，有可能是因为（d）。

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A．Rb开路 B. RＬ短路 C．Rc开路 D. Rb过小

26．对于图示放大电路，若VCC＝12V，Rc＝2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA,今用直流电压表测得UCE＝8V，这说明（d）。 A．工作正常 B. 三极管c-e极间开路 C．三极管b-e极间短路 D. 电容C2短路

27.对于图示电路，若仅当Rb增加时，UCEQ将（a）；仅当Rc减小时，UCEQ将（a）；仅当RL增加时，UCEQ将（c）；仅当β减小（换三极管）时，UCEQ将（a）。 A．增大 B. 减小 C．不变 D. 不定

28.在图示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（B）；若该电路原来发生了非线性失真，但在减小Rb后，失真消失了，这失真必是（A）。 A．截止失真 B. 饱和失真 C．双重失真 D. 交越失真

29.对于图示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管IBQ（A），ICQ（A），UCEQ（B）。 A．增大 B. 减小

C．不变（或基本不变） D. 不定

30.在图示共射极偏置电路中，若上偏流电阻Rb1短路，则该电路中的三极管处于（b）。 A．放大状态 B. 饱和状态 C．截止状态 D. 状态不定

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31.32.33图

30.对于图示放大电路，若仅当Rb增加时，UCEQ将（a）；仅当Rc减小时，UCEQ将（a）；仅当RL增加时，UCEQ将（c）；仅当β减小（换三极管）时，UCEQ将（c）。 A．增大 B. 减小 C．不变 D. 不定

32.在图示共射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容Ce后，该电路的最大不失真输出电压幅值Vom（c），放大倍数Av（b）。输入电阻Ri（a），输出电

...阻Ro（c）；若仅是RL增大，则Av（a），Ri（c），Ro（c）；若仅是?增大，则Av（a），

Ri（c），Ro（c）。

A．增大 B. 减小 C．不变 D. 不定

33.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（c），而少数载流子的浓度则与（a）有很大关系。

A．温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

34.当PN结外加正向电压时，扩散电流（a）漂移电流，耗尽层（e），当PN结外加反向电压时，扩散电流（b）漂移电流，耗尽层（d）。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变

35.为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（b）；为了把一个低阻输

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出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（c）。

A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.任何一种组态的电路

36.在单极放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共射电路时，则vo和vi的相位（b），当为共集电路时，则vo和vi的相位（a），当为共基电路时，则vo和vi的相位（a）。 A.相同 B.相反 C.相差90° D.不定

37.既能放大电压，也能放大电流的是（a）组态放大电路；可以放大电压，但不能放大电流的是（c）组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是（b）组态放大电路。 A.共射 B.共集 C.共基 D.不定

38.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是（b）组态；输入电阻最大的是（b）组态，最小的是（c）组态；输出电阻最大的是（c）组态，最小的是（a）组态。

A.共射 B.共集 C.共基 D.不定

39. 某共射放大电路如图所示，其中Rb=470KΩ，Rc=2KΩ，若已知IC=1mA，VCE=7V，VBE=0.7V，rbe=1.6KΩ，β=50，则说明（d）。 A.AV?..VoVi...?VCE7Vo?ICRC?1?2??10 B.AV?.????3 VBE0.7VBE0.7Vi..C.AV?.VoVi..??ICRCRRC???C?????62.5 IbRiRiRbrbeRC??62.5 rbeD.AV?VoVi.???

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40.为了使高内阻信号源与低内阻负载很好地配合，可以在信号源于低内阻负载间接入（c）。

A.共射电路 B. 共基电路 C.共集电路 D.共集-共基串联电路

41.图示电路出现故障，经测量得知VE=0， VC=VCC，故障的可能原因是（d）。

A.RC开路 B.RC短路 C.Re短路 D.Rb1开路

42.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（D）。 A.处于放大区域 B.处于饱和区域 C.处于截止区域 D.已损坏

题44

43.某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（c）。 A.10kΩ B.2kΩ C.1kΩ D.0.5kΩ

44.某放大电路如图所示，设VCC>>VBE，ICEO近似为0，则在静态时该三极管处于（b）。 A.处于放大区域 B.处于饱和区域 C.处于截止区域 D.不定

45,.P型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ C ）。

A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素 46. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。

A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素

47. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，

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那么它的β约为（ C ）。

A. 83 B. 91 C. 100 D. 110

48. 若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将( D )。

A.RW减小 B.Rc增大 C.VCC减小 D。RW增大

49. 放大电路在高频信号因是（ B ）。

A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 50. 放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ A ）。

A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适

作用时放大倍数数值下降的原

三．简答题：

1. 请写出BJT和FET组成的放大电路的六种组态，并将该六种组态与反相电压放大器、电压跟随器以及电流跟随器三种组态相对应。

BJT放大电路的组态：共射极（CE）、共集电极（CC）和共基极（CB） FET放大电路的组态：共源极（CS）、共漏极（CD）和共栅极（CG） 反相电压放大器：CE和CS；电压跟随器：CC和CD； 电流跟随器：CB和CG

2. 写出下面电路的名称并以VI恒定而RL减小情况为例叙述其工作原理。

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该电路是并联式稳压电路。电路中DZ为稳压管，R为限流电阻，它的作用是使电路有个合适的工作状态，并限定电路的工作电流。负载RL与稳压管并联，因而称为并联式稳压管电路。这种稳压管之所以能够稳定输出电压，在于当稳定电流IZ有较大幅度的变化

△IZ 时，而稳定电压的变化△VZ却很小。这样，当VI或RL变化时，电路能自动的调整IZ的大小，以改变R上的压降IRR，达到维持输出电压VO（VZ）基本恒定的目的。例如：

当RL不变，VI变化时，VI↑→VO↑→IZ ↑→IR↑→VR↑→VO↓。当VI不变，RL变小时，RL↓→IO↑→IR↑→VO↓→IZ↓→IR↓→VO↑。

3. 下图所示的为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压VT＝？如果是耗尽型，说明它的夹断电压VP＝？（图中iD的假定正向为流进漏极）

该FET为N沟道耗尽型MOSFET，其VP＝—3V；该FET为P沟道增强型MOSFET，其VT＝－4V。

4. 解释名词零点漂移并叙述差分式电路抑制零点漂移的工作原理。

零点漂移：就是当放大电路的输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产生，即输出电压偏离原来的起始点而上下浮动。

在差分式电路中，无论是温度变化，还是电源电压的波动都会引起两管集电极电流

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以及相应的集电极电压的相同变化，其效果相当于在两个输入端加入了共模信号，由于电路的对称性和恒流源偏置，在理想的情况下，可使输出电压不变，从而抑制了零点漂移。

5. 简述BJT内部载流子传输过程及电流分配关系。

以NPN型BJT为例，为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压，在这些外加电压的条件下，管内载流子的传输将发生下列过程： （1）发射区向基区注入电子 ……………………… 6. 简述PN结的形成过程。

7. 写出下面电路的名称并叙述其稳定静态工作点的物理过程。

该电路的名称是分压式偏置电路或射极偏置电路，该电路具有稳定静态工作点的作用，其稳定静态工作点的物理过程为T↑→IC↑→IE↑→IERe↑→VBE↓ IC↓←---------------------IB↓ 8、简述PN结的单向导电性原理。

9、.说明BJT放大电路的三种基本组态，并任选其一画出电路图和微变等效电路图。 10、简述BJT内部载流子电流分配及放大作用

四．判断

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1. 判断图中理想二极管的工作状态，并求出AO两端的电压。

D1处于导通状态、D2处于截止状态 VAO＝0V。 VD导通 VAO＝-4V

D1处于截止状态、D2处于导通状态 VAO＝－6V。

2. 试判断图中的二极管是导通还是截止，为什么？（假设二极管是理想的）

VA＝1V VB＝1+2.5＝3.5V D处于反向截止状态。

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VA＝1V VB＝2.5－1＝1.5V D处于反向截止状态。

VA＝1V VB＝2.5－2＝0.5V D处于正向导通状态。

3. 如图ui=2Esinωt，D1、D2为理想二极管，试求D1、D2的工作状态及uo波形。

4. 电路如图所示稳压管DZ的稳定电压VZ＝8V，限流电阻R＝3K，设vi=15sinωt，试画出vo的波形。

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五．电路分析与计算

1. 已知射极偏置电路的元件参数如下图所示且β＝60，求：（1）用估算公式法求解Q点并画出直流通路图；（2）用小信号模型分析法求解该放大电路的动态性能指标。

题1 题2

2. 电路如图所示，晶体管的β＝100，RB1＝25kΩ，RB2＝5kΩ，RC＝5 kΩ，RE1＝300Ω，RE2＝1 kΩ，RL＝5 kΩ。求：（1）用估算公式法求解Q点并画出直流通路图；（2）用小信号模型分析法求解该放大电路的动态性能指标。

3. 电路如图，设β＝100，试求：（1）画出直流通路图求Q点；（2）画出交流小信号模型图求电压增益AV1＝VO1／VS和AV2＝VO2／VS；（3）输入电阻Ri；（4）输出电阻Ro1和Ro2。

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题3 题5

4. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA＝-9V，VB＝-6V，VC＝-6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并说明此BJT是NPN管还是PNP管。

5. 某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的电流如图，用万用表直流电流档测得IA＝-2mA，IB＝-0.04mA，IC＝+2.04mA，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并说明此管是NPN管还是PNP管。

6、已知测得放大电路中的三极管的两个电极的电流如图2所示。

1. 求另一电极电流的大小，并标出实际极性； 2. 判断是NPN管还是PNP管； 3. 标出e,b,c电极； 4. 估算β值。

0.03mA1.8mA图2答：1、1.83mA，极性向外。 2、NPN管 3、略 4、β=1.8/0.03=60

7. 试分析下图所示的电路对正弦交流信号有无不失真放大作用，并简述理由。

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本文来源：https://www.bwwdw.com/article/813d.html