252SMD固晶制程检验规范 - 图文

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2006-09-20

1.范 围:已固晶之半成品(SMD)。 2.使用设备:显微镜﹑镊子、推力计。 3.检验方式:以“片”为单位进行抽检。 4.检验项目:标示检查、外观检查、特性检查。 5.抽样计划(1)每2小时抽检3片的数量进行外观检查。 (2).特性检查:特性检查以机台进行抽样,要求每台机每批材料抽5PCS做芯片推力试验,做完试验的材料需夹芯片处理。 6.判定标准:(1).外观检查: ?不良率出现在P管制图以下(a)-(e)异常情形则开立“制程矫正措施单”且追溯前2小时之批量材料再Q检,Q检不良率在(a)-(e)情形,则将此两批材料全数退回生产线重工全检. (a)点超出管制上限. (b)点落在P管制上限线上时. (c)连续7点落在中心线之上或之下. (d)连续7点上升或下降. (e)任何其它明显非随机的图形. 芯片暗裂,芯片固重,混料有1PCS不良时,生产线停机调整,IPQC开立“制程矫正措施单”IPQC追溯前2小时材料抽检,生产线须对前2小时材 料进行全检,超过1%(含)则整批材料(含2小时材料)报废。 (2).特性检查: 1PCS(含)以上不良时,该烤箱所烘烤之半成品须再烘烤1小时后重做推力. 说 明 a.重检推力普通芯片不足50g,PTR芯片不足250g,则开立“制程矫正措施单”,材料作报废处理. b.重检推力OK,而断点在A点,需重做一次,若结果仍是如此,则开立制程矫正措施单,并把其处理结果写于制程矫正措施单备注栏。 7.记录:(1)外观检查结果记录于固晶检验表上. (2)特性检查之结果记录于芯片推力记录表上。 8.其它 P管制图界限的设定. CL中心线设定=∑r(总不良个数)/ ∑n(总检查个数) UCL(管制上限)设定=P?3P(1?P)/n 编写: 审核: 批准:

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X管制图 LCLX?X?A2R R管制图 CL=R 说 UCL上管制界限=D4R 明 LCL下管制界限=D3R (A2、D4、D3查表得之) (2)抽检时间不可超过2小时。 UCLX?X?A2R项目 检查 品质特性及标准 使用设备 / 备注 标示1.SMD流程卡填写是否确实. 检验 1.银胶过多:普通芯片银胶量不可高于芯片高度的1/3.PTR芯片银胶高度不可高于芯片高度的1/2,银胶不可超过线路边缘(与相对另一线路边缘)间距之1/2,两极间间隔必须≥90μm。(图一) 2.芯片沾胶:银胶沾于芯片表面。(图四) 3.支架短路:支架变形后大、小头相接触。(图七) 4.芯片固错:混到不同型号的芯片。(图十) 显微镜 显微镜/镊子 显微镜/镊子 显微镜/镊子 显微镜/镊子 外观检查 5.芯片破损:芯片破损大于单边芯片宽度1/5或破损到铝垫(图二)。PRTA区破损不可延伸B区。(图十五) 6.银胶过少:(1)普通芯片底部1/4周长或超过1/4周长,未在银胶上或银胶少于芯片高度的1/4。(图五) (2)PTR芯片银胶少于芯片高度的1/4或芯片底部超过1/4周长未在银胶上。 7.银胶短路:银胶沾连正、负极性。(图八) 8.芯片固反:芯片的铝垫未朝上方。(图十一) 9.芯片固歪:芯片转向超过30°。(图三) 显微镜 显微镜 显微镜/镊子 显微镜/镊子 编写: 审核: 批准:

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检查 项目 品质特性及标准 10.铝垫刮伤、断裂:铝垫刮伤面积大于铝垫总面积之1/3,或铝垫有断开现象。(图六) 11.芯片倾斜:不允许有倾斜现象。(图九) 12.漏固:遗漏未固晶。(图十二) 13.芯片方向固错:芯片未按工作指示单,圆形支架铝垫未靠近小支架处。(图十三) 14.固重芯片:芯片重叠。(图十六) 15.银胶点偏:银胶偏离支架中心点的距离大于芯片1/4宽度。(图十九) 16.掉芯片:芯片受外力作用已脱落。(图二十二) 17.支架变形:支架受外力作用尺寸不在规格内。(图十四) 18.支架沾胶:支架平面大于1/4面积沾有银胶。(图 十七) 19.杂物:杂物最大尺寸不得超过5mil。(图二十) 20.位置不正:芯片偏移支架中心不可超出±60μm,L3015系列不可超出±30μm。(图二十三) 21.绝缘胶过多:绝缘胶高度超过芯片高度的2/3。 22.绝缘胶过少:绝缘胶高度低于芯片高度的1/4或芯片底部超1/4周长未在绝缘胶上。 23.芯片暗裂:芯片受外力及应力作用而导致芯片出现裂缝现象。(图十八) 24.极性反向:PCB绿漆标示错误或正、负极位置相反。 25.芯片固偏:不在银胶与PAD中心位置。(图二十一) 使用设备 显微镜 显微镜 显微镜 显微镜/镊子 显微镜/镊子 显微镜 显微镜 显微镜 显微镜 显微镜/镊子 备注 外观检查 显微镜/镊子 显微镜 显微镜 显微镜 显微镜 显微镜 编写: 审核: 批准:

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图三 生效日期:

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图一 图二 图四 图五 图六 图七 图八 图九 图十 图十一图十二 图十三 图十四图十五 图十六 图十七图十八 编写: 审核: 批准:

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图十九 图二十 图二十一 图二十二 图二十三 编写: 审核: 批准:

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