电路中GND和GROUND、VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别

在电子电路中，常可以看到VCC、VDD和VSS三种不同的符号，它们有什么区别呢？

一、解释

V C C : C = ci rc u it 表示电路的意思，即接入电路的电压；VDD : D = device 表示器件的意思，即器件内部的工作电压；

V S S : S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。

二、说明

1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VD D是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd ） , VSS是接地点。

2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。

3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。

说法一：

VCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点，具体接电源的极性需视器件材料而定。VCC 一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极，VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。同样，VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。例如是采用P 沟E/D MOS工艺制成的集成，那么它的VDD就应接电源的负，而VSS应接正电源。

它们是这样得名的：

VC C表示连接到三极管集电极（C）的电源。

VEE表示连接到三极管发射极（E ）的电源。

VD D表示连接到场效应管的漏极（D ）的电源。

VSS表示连接到场效应管的源极（S ）的电源。

通常VCC和VDD为电源正，而VEE和VSS为电源负或者地。说法二：

VDD,VCC,VSS,VEE,VPP 区另U

VD D:电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电路）；漏极电压（场效应管）

V C C :电源电压（双极器件）；电源电压（7 4系列数字电路）；声控载波

（ Voice Control led Carrier）

VSS:地或电源负极

VEE :负电压供电；场效应管的源极（S）

VPP :编程/擦除电压。

一直不太清楚VCC,VDD,VSS的区别，上网查了下

一、解释

VC C : C = circu it表示电路的意思，即接入电路的电压；

V D D : D = device 表示器件的意思，即器件内部的工作电压；

VS S : S =series表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压二、说明

1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VD D是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd ） , VS S 是接地点。

2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。

3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS 指的是元件引脚，而不表示供电电压。

4、一般来说VCC =模拟电源，VDD=数字电源，VSS =数字地，VEE =负电源

另外一种解释：

Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为N P N晶体管的集

电极C，和P M O S o r N M O S场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss ,含义一样。因为主流芯片结构是硅N P N 所以Vcc通常是正。如果用P N P结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。Vcc 来源于集电极电源电压，Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管，P N P 管时为负电源电压，有时也标成-Vcc,NPN 管时为正电压.

Vdd来源于漏极电源电压，Drain Voltage,用于MOS 晶体管电路，一般指正电源.因为很少单独用PMO S 晶体管，所以在CMOS 电路中Vdd 经常接在PM OS 管的源极上.

Vss源极电源电压，在CMOS 电路中指负电源，在单电源时指零伏或接地. Vee 发射极电源电压,Emitter Voltage, 一般用于 E C L 电路的负电源电压. Vbb基极电源电压，用于双极晶体管的共基电路.

Vcc, Vdd, Vss, etc.

These n o tati on s are used i n describing voltages a t various common power supply term i n a l s (at these points, only a wire lead exists between t h e point and a power source) o f a given c i rc u it. I t t u rn s o u t that these common voltage terms map to transistor technology as follows: B JT F ET "Vxx" meaning Vcc Vdd Positive supply voltage Vee Vss Neg ative supply, ground

Apparently this t erm in olog y originated i n some w ay f ro m t h e terminals o f each type o f transistor, and their common connections i n logic circuits ( i. e. , Vcc i s oft e n applied t o B J T collectors, Vee to B J T e m itters , Vdd to F E T drains, and Vss to F E T sources). This n ota tio n t h en carries across to integrated circuits --TT L I C s were o rig in a ll y based o n B J T technology, and s o often use t h e V cc / Vee terminology; CMOS I C s are based o n F ET technology, and s o o ft e n use the Vdd / Vss term i n o l o g y.

The absolute d istinctions b et we e n these common supply terms has since been blurred b y th e interchangeable a p pl ication o f TTL and CMOS logic fam i l i es. Most CMOS (74 H C / AC, etc.) IC data sheets now use Vcc an d G n d t o designate t h e positive and negative supply pins.

VDD& VCC&VSS

VD D:电源电压（单极器件）；电源电压（4000系歹0数子电 路）； 漏极电压（场效应管）

VCC :电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；

声控载波（V o i ce C o n t ro lle d Ca r rie r ）

VSS:地或电源负极

VEE :负电压供电；场效应管的源极（S ）

VPP :编程/擦除电压。

解：

电子电路中，VCC 是电路的供电电压，VDD 是芯片的工作电 VCC : C =c i rcu it 表示电路的意思，即接入电路的电压，

D = d e vi ce 表示器件的意思，即器件内部的工作电压，在普通的 电子电路中，一般Vcc>Vdd !

VSS : S=series 表示公共连接的意思，也就是负极。

有些IC 同时有VCC 和VDD , 这种器件带有电压转换功能。

在 场效应”即CO MS 元件中，VDD 乃CMO S 的漏极引脚，VSS 乃CMOS 的源极引脚， 这是元件引脚符号，它没有VCC ”的名 称 一、解释 VCC : C= circuit 表示电路的意思，即接入电路的电压； VDD : D= device 表示器件的意思，即器件内部的工作电压 VEE :发射极电源电压， Emitter Voltage ，一般用于 ECL 电路的负电源电压. VSS : S=series 表示公共连接的意思，通常是指 电路公共接地端电压。 VPP :不同芯片对Vpp 的定义稍有不同，比如电压峰峰值，单片机中Vpp 多数定义为编程电压 Vddf: Vddf 为Flash （闪存）供电的外部电压

、说明

点。 2、 有些IC 既有VDD 引脚又有VCC 引脚，说明这种器件自身带有 电压转换功能。| 3、 在场效应管（或COMS 器件）中，VDD 为漏极，VSS 为源极，VDD 和VSS 指的是元件引脚，而不表 示供电电压。 4、 一般来说 VCC=模拟电源，VDD=数字电源，VSS=

数字地，VEE=负电源 另外一种解释: 详在压

样。因为主流芯片结构是硅 NPN 所以Vcc 通常是正。如果用PNP 结构Vcc 就为负了。荐义选用芯片时 一定要看清电气参数。

Vcc 来源于集电极电源电压， Collector Voltage , 一般用于双极型晶体管，

PNP 管时为负电源电压，有时

也标成-Vcc , NPN 管时为正电压.

Vdd 来源于漏极电源电压，Drain Voltage ,用于MOS 晶体管电路，一般指正电源.因为很少单独用 PM

OS 晶体管，所以在

CMOS 电路中Vdd 经常接在PMOS 管的源极上.

说法一：

VCC 、VDD 、VEE 、VSS 是指芯片、分解电路的电源集结点，具体接电源的极性需视器件材料而定。

VC C 一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管 C 极，VEE 是指连接到集成或分解电路内部三极管的

E 极。同样，VDD 、VSS 就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的

D 和S 极。例如是采用P 沟

E /DMOS 工艺制成的集成，那么它的 VDD 就应接电源的负，而 VSS 应接正电源。

它们是这样得名的：

VCC 表示连接到三极管集电极（C ）的电源。

VEE 表示连接到三极管发射极（E ）的电源。

VDD 表示连接到场效应管的漏极（D ）的电源。

VSS 表示连接到场效应管的源极（S ）的电源。

通常VCC 和VDD 为电源正，而 VEE 和VSS 为电源负或者地。

说法二：

VDD,VCC,VSS,VEE,VPP 区另 U

VDD:电源电压（单极器件）；电源电压（

4000系列数字电 路）；漏极电压（场效应管） VCC ：电源电压（双极器件）；电源电压（ 74系列数字电路）；声控载波（ Voice Controlled Carrier ）

VSS:地或电源负极

VEE :负电压供电；场效应管的源极（ S ）

VPP :编程/擦除电压。

详解：

在电子电路中，VCC 是电路的供电电压，VDD 是芯片的工作电压：

VCC : C=circuit 表示电路的意思，即接入电路的电压，

D=device 表示器件的意思，即器件内部的工作电

压，在普通的电子电路中，一般 Vcc>Vdd !

VSS : S=series 表示公共连接的意思，也就是负极。

有些IC 同时有VCC 和VDD ,这种器件带有电压转换功能。

在场效应”即COMS 元件中，VDD 乃CMOS 的漏极引脚，VSS 乃CMOS 的源极引脚，

这是元件引脚符 号，它没有“VCC 的名称，你的问题包含 3个符号，VCC / VDD /VSS ,这显然是电路符号。

一、解释

VCC: C=circuit表示电路的意思，即接入电路的电压；

VDD： D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压；

VSS: S=series表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。

二、说明

1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压，VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd） , VSS是接地点。

2、有些IC既有VDD引脚乂有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。

3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS 指的是元件引脚，而不表示供电电压。

4、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源

另外一种解释：

Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc 通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看活电气参数。

Vcc来源于集电极电源电压，Collector Voltage, 一股用于双极型晶体管， PNP 管时为负电源电压，有时也标成-Vcc, NPN管时为正电压.

Vdd来源于漏极电源电压，Drain Voltage,用于MOS晶体管电路，一般指正电源.因为很少单独用PMOS晶体管，所以在CMOS电路中Vdd经常接在PMOS管的源极上.

Vss源极电源电压，在CMOS电路中指负电源，在单电源时指零伏或接地.

Vee发射极电源电压，Emitter Voltage, 一般用于ECL电路的负电源电压.

Vbb基极电源电压，用于双极晶体管的共基电路.

电路中的解释：

单解：

VDD:电源电压（单极器件）；电源电压（4000系歹0数字电路）；漏极电压（场效应管）

VCC:电源电压（双极器件）；电源电压（74系歹0数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier）

VSS::地或电源负极

VEE:负电压供电；场效应管的源极（S）

VPP:编程/擦除电压。

详解：

在电子电路中，VCC是电路的供电电压，VDD是芯片的工作电压：

VCC: C=circuit表示电路的意思，即接入电路的电压，D=device表示器

件的意思，即器件内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd !

VSS: S=series表示公共连接的意思，也就是负极。

有些IC同时有VCC和VDD,这种器件带有电压转换功能。

在场效应”即COMS元件中,VDD乃CMOS的漏极弓I脚,VSS乃CMOS的

源极引脚，这是元件引脚符号，它没有“VCC勺名称，你的问题包含3个符号, VCC / VDD ZVSS, 这显然是电路

DCpower 一般是指带实际电压的源，其他的都是标号（在有些仿真软件中默认的把标

号和源相连的）-------- VDD:电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电路）；漏

极电压（场效应管）VCC :电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载

波（Voice Controlled Carrier） VSS:地或电源负极VEE :负电压供电；场效应管的源极（S）V PP:编程/擦除电压。详解：在电子电路中，VCC是电路的供电电压，VDD是芯片的工作

电压：VCC : C-circuit表示电路的息思，即接入电路的电压，D-device表示器件的息思，即

器件内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd ! VSS : S-series表示公共连

接的意思，也就是负极。有些IC问时有VCC和VDD ,这种器件带有电压转换功能。在场

效应”即COMS元件中，VDD乃CMOS的漏极引脚，VSS乃CMOS的源极引脚，这是元

件引脚符号，它没有“VCC的名称，你的问题包含3个符号，VCC / VDD /VSS ,这显然

是电路符号除了正确进行接地设计、安装，确进行各种不同信号的接地处理。控制系统中，大致有以下几种地线：（1）数字地：也叫逻辑地，是各种开关量（数字量）信号的

零电位。（2）模拟地：是各种模拟量信号的零电位。（3）信号地：通常为传感器的地。（4）交流地：交流供电电源的地线，这种地通常是产生噪声的地。（5）直流地：直流供电电源

的地。（6）屏敝地：也叫机壳地，为防止静电感应和磁场感应而设。以上这些地线处理］是系统设计、安装、调试中的一个重要问题。下面就接地问题提出一些看法：（1）控制系统宜采用一点接地。一般情况下，高频电路应就近多点接地，低频电路应一点接地。在低频

电路中，布线和元件间的电感并不是什么大问题，然而接地形成的环路的干扰影响很大，因此，常以一点作为接地点；但一点接地不适用于高频，因为局频时，地线上具有电感因而增

加了地线阻抗，问时各地线之间又广生电感耦合。一般来说，频率在1MHz以下，可用一点接地；高于10MHz时，米用多点接地；在1?10MHz之间可用一点接地，也可用多点接

地。（2）交流地与信号地不能共用。由于在一段电源地线的两点间会有数mV甚至几V电压，对低电平信号电路来说，这是一个非常重要的干扰，因此必须加以隔离和防止。（3）浮地与接地的比较。全机浮空即系统各个部分与大地浮置起来，这种方法简单，但整个系统

与大地绝缘电阻不能小于50/ 。这种方法具有一定的抗干扰能力，但一旦绝缘下降就会带

来干扰。还有一种方法，就是将机壳接地，其余部分浮空。这种方法抗干扰能力强，安全可

靠，但实现起来比较复杂。（4）模拟地。模拟地的接法十分重要。为了提高抗共模干扰能

力，对于模拟信号可采用屏蔽浮技术。对于具体模拟量信号的接地处理要严格按照操作手册上的要求设计。（5）屏蔽地。在控制系统中为了减少信号中电容耦合噪声、准确检测和控

制，对信号采用屏蔽措施是十分必要的。根据屏蔽目的不同，屏蔽地的接法也不一样。电场屏蔽解决分布电容问题，一般接大地；电磁场屏蔽主要避免雷达、电台等高频电磁场辐射干扰。利用低阻金属材料高导流而制成，可接大地。磁场屏蔽用以防磁铁、电机、变压器、线圈等磁感应，其屏蔽方法是用高导磁材料使磁路闭合，一般接大地为好。当信号电路是一点

接地时，低频电缆的屏蔽层也应一点接地。如果电缆的屏蔽层地点有一个以上时，将产生噪声电流，形成噪声干扰源。当一个电路有一个不接地的信号源与系统中接地的放大器相连时，输入端的屏蔽应接至放大器的公共端；相反，当接地的信号源与系统中不接地的放大器相连

时，放大器的输入端也应接到信号源的公共端。对于电气系统的接地，要按接地的要求和

目的分类，不能将不同类接地简单地、任意地连接在一起，而是要分成若干独立的接地子系统，每个子系统都有其共同的接地点或接地干线，最后才连接在一起，实行总接地。

本文来源：https://www.bwwdw.com/article/6zgl.html