电路中GND和GROUND、VCC,VDD,VEE,VSS有什么区别
更新时间:2023-04-11 18:22:01 阅读量: 实用文档 文档下载
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在电子电路中,常可以看到VCC、VDD和VSS三种不同的符号,它们有什么区别呢?
一、解释
V C C : C = ci rc u it 表示电路的意思,即接入电路的电压;VDD : D = device 表示器件的意思,即器件内部的工作电压;
V S S : S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压。
二、说明
1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VD D是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd ) , VSS是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS指的是元件引脚,而不表示供电电压。
说法一:
VCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点,具体接电源的极性需视器件材料而定。VCC 一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极,VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。同样,VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。例如是采用P 沟E/D MOS工艺制成的集成,那么它的VDD就应接电源的负,而VSS应接正电源。
它们是这样得名的:
VC C表示连接到三极管集电极(C)的电源。
VEE表示连接到三极管发射极(E )的电源。
VD D表示连接到场效应管的漏极(D )的电源。
VSS表示连接到场效应管的源极(S )的电源。
通常VCC和VDD为电源正,而VEE和VSS为电源负或者地。说法二:
VDD,VCC,VSS,VEE,VPP 区另U
VD D:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)
V C C :电源电压(双极器件);电源电压(7 4系列数字电路);声控载波
( Voice Control led Carrier)
VSS:地或电源负极
VEE :负电压供电;场效应管的源极(S)
VPP :编程/擦除电压。
一直不太清楚VCC,VDD,VSS的区别,上网查了下
一、解释
VC C : C = circu it表示电路的意思,即接入电路的电压;
V D D : D = device 表示器件的意思,即器件内部的工作电压;
VS S : S =series表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压二、说明
1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VD D是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd ) , VS S 是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS 指的是元件引脚,而不表示供电电压。
4、一般来说VCC =模拟电源,VDD=数字电源,VSS =数字地,VEE =负电源
另外一种解释:
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为N P N晶体管的集
电极C,和P M O S o r N M O S场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss ,含义一样。因为主流芯片结构是硅N P N 所以Vcc通常是正。如果用P N P结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。Vcc 来源于集电极电源电压,Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管,P N P 管时为负电源电压,有时也标成-Vcc,NPN 管时为正电压.
Vdd来源于漏极电源电压,Drain Voltage,用于MOS 晶体管电路,一般指正电源.因为很少单独用PMO S 晶体管,所以在CMOS 电路中Vdd 经常接在PM OS 管的源极上.
Vss源极电源电压,在CMOS 电路中指负电源,在单电源时指零伏或接地. Vee 发射极电源电压,Emitter Voltage, 一般用于 E C L 电路的负电源电压. Vbb基极电源电压,用于双极晶体管的共基电路.
Vcc, Vdd, Vss, etc.
These n o tati on s are used i n describing voltages a t various common power supply term i n a l s (at these points, only a wire lead exists between t h e point and a power source) o f a given c i rc u it. I t t u rn s o u t that these common voltage terms map to transistor technology as follows: B JT F ET "Vxx" meaning Vcc Vdd Positive supply voltage Vee Vss Neg ative supply, ground
Apparently this t erm in olog y originated i n some w ay f ro m t h e terminals o f each type o f transistor, and their common connections i n logic circuits ( i. e. , Vcc i s oft e n applied t o B J T collectors, Vee to B J T e m itters , Vdd to F E T drains, and Vss to F E T sources). This n ota tio n t h en carries across to integrated circuits --TT L I C s were o rig in a ll y based o n B J T technology, and s o often use t h e V cc / Vee terminology; CMOS I C s are based o n F ET technology, and s o o ft e n use the Vdd / Vss term i n o l o g y.
The absolute d istinctions b et we e n these common supply terms has since been blurred b y th e interchangeable a p pl ication o f TTL and CMOS logic fam i l i es. Most CMOS (74 H C / AC, etc.) IC data sheets now use Vcc an d G n d t o designate t h e positive and negative supply pins.
VDD& VCC&VSS
VD D:电源电压(单极器件);电源电压(4000系歹0数子电 路); 漏极电压(场效应管)
VCC :电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);
声控载波(V o i ce C o n t ro lle d Ca r rie r )
VSS:地或电源负极
VEE :负电压供电;场效应管的源极(S )
VPP :编程/擦除电压。
解:
电子电路中,VCC 是电路的供电电压,VDD 是芯片的工作电 VCC : C =c i rcu it 表示电路的意思,即接入电路的电压,
D = d e vi ce 表示器件的意思,即器件内部的工作电压,在普通的 电子电路中,一般Vcc>Vdd !
VSS : S=series 表示公共连接的意思,也就是负极。
有些IC 同时有VCC 和VDD , 这种器件带有电压转换功能。
在 场效应”即CO MS 元件中,VDD 乃CMO S 的漏极引脚,VSS 乃CMOS 的源极引脚, 这是元件引脚符号,它没有VCC ”的名 称 一、解释 VCC : C= circuit 表示电路的意思,即接入电路的电压; VDD : D= device 表示器件的意思,即器件内部的工作电压 VEE :发射极电源电压, Emitter Voltage ,一般用于 ECL 电路的负电源电压. VSS : S=series 表示公共连接的意思,通常是指 电路公共接地端电压。 VPP :不同芯片对Vpp 的定义稍有不同,比如电压峰峰值,单片机中Vpp 多数定义为编程电压 Vddf: Vddf 为Flash (闪存)供电的外部电压
、说明
点。 2、 有些IC 既有VDD 引脚又有VCC 引脚,说明这种器件自身带有 电压转换功能。| 3、 在场效应管(或COMS 器件)中,VDD 为漏极,VSS 为源极,VDD 和VSS 指的是元件引脚,而不表 示供电电压。 4、 一般来说 VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=
数字地,VEE=负电源 另外一种解释: 详在压
样。因为主流芯片结构是硅 NPN 所以Vcc 通常是正。如果用PNP 结构Vcc 就为负了。荐义选用芯片时 一定要看清电气参数。
Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage , 一般用于双极型晶体管,
PNP 管时为负电源电压,有时
也标成-Vcc , NPN 管时为正电压.
Vdd 来源于漏极电源电压,Drain Voltage ,用于MOS 晶体管电路,一般指正电源.因为很少单独用 PM
OS 晶体管,所以在
CMOS 电路中Vdd 经常接在PMOS 管的源极上.
说法一:
VCC 、VDD 、VEE 、VSS 是指芯片、分解电路的电源集结点,具体接电源的极性需视器件材料而定。
VC C 一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管 C 极,VEE 是指连接到集成或分解电路内部三极管的
E 极。同样,VDD 、VSS 就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的
D 和S 极。例如是采用P 沟
E /DMOS 工艺制成的集成,那么它的 VDD 就应接电源的负,而 VSS 应接正电源。
它们是这样得名的:
VCC 表示连接到三极管集电极(C )的电源。
VEE 表示连接到三极管发射极(E )的电源。
VDD 表示连接到场效应管的漏极(D )的电源。
VSS 表示连接到场效应管的源极(S )的电源。
通常VCC 和VDD 为电源正,而 VEE 和VSS 为电源负或者地。
说法二:
VDD,VCC,VSS,VEE,VPP 区另 U
VDD:电源电压(单极器件);电源电压(
4000系列数字电 路);漏极电压(场效应管) VCC :电源电压(双极器件);电源电压( 74系列数字电路);声控载波( Voice Controlled Carrier )
VSS:地或电源负极
VEE :负电压供电;场效应管的源极( S )
VPP :编程/擦除电压。
详解:
在电子电路中,VCC 是电路的供电电压,VDD 是芯片的工作电压:
VCC : C=circuit 表示电路的意思,即接入电路的电压,
D=device 表示器件的意思,即器件内部的工作电
压,在普通的电子电路中,一般 Vcc>Vdd !
VSS : S=series 表示公共连接的意思,也就是负极。
有些IC 同时有VCC 和VDD ,这种器件带有电压转换功能。
在场效应”即COMS 元件中,VDD 乃CMOS 的漏极引脚,VSS 乃CMOS 的源极引脚,
这是元件引脚符 号,它没有“VCC 的名称,你的问题包含 3个符号,VCC / VDD /VSS ,这显然是电路符号。
一、解释
VCC: C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压;
VDD: D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压;
VSS: S=series表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压。
二、说明
1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd) , VSS是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚乂有VCC引脚,说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS 指的是元件引脚,而不表示供电电压。
4、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源
另外一种解释:
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc 通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看活电气参数。
Vcc来源于集电极电源电压,Collector Voltage, 一股用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压,有时也标成-Vcc, NPN管时为正电压.
Vdd来源于漏极电源电压,Drain Voltage,用于MOS晶体管电路,一般指正电源.因为很少单独用PMOS晶体管,所以在CMOS电路中Vdd经常接在PMOS管的源极上.
Vss源极电源电压,在CMOS电路中指负电源,在单电源时指零伏或接地.
Vee发射极电源电压,Emitter Voltage, 一般用于ECL电路的负电源电压.
Vbb基极电源电压,用于双极晶体管的共基电路.
电路中的解释:
单解:
VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系歹0数字电路);漏极电压(场效应管)
VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系歹0数字电路);声控载波(Voice Controlled Carrier)
VSS::地或电源负极
VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)
VPP:编程/擦除电压。
详解:
在电子电路中,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压:
VCC: C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压,D=device表示器
件的意思,即器件内部的工作电压,在普通的电子电路中,一般Vcc>Vdd !
VSS: S=series表示公共连接的意思,也就是负极。
有些IC同时有VCC和VDD,这种器件带有电压转换功能。
在场效应”即COMS元件中,VDD乃CMOS的漏极弓I脚,VSS乃CMOS的
源极引脚,这是元件引脚符号,它没有“VCC勺名称,你的问题包含3个符号, VCC / VDD ZVSS, 这显然是电路
DCpower 一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标
号和源相连的)-------- VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏
极电压(场效应管)VCC :电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载
波(Voice Controlled Carrier) VSS:地或电源负极VEE :负电压供电;场效应管的源极(S)V PP:编程/擦除电压。详解:在电子电路中,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作
电压:VCC : C-circuit表示电路的息思,即接入电路的电压,D-device表示器件的息思,即
器件内部的工作电压,在普通的电子电路中,一般Vcc>Vdd ! VSS : S-series表示公共连
接的意思,也就是负极。有些IC问时有VCC和VDD ,这种器件带有电压转换功能。在场
效应”即COMS元件中,VDD乃CMOS的漏极引脚,VSS乃CMOS的源极引脚,这是元
件引脚符号,它没有“VCC的名称,你的问题包含3个符号,VCC / VDD /VSS ,这显然
是电路符号除了正确进行接地设计、安装,确进行各种不同信号的接地处理。控制系统中,大致有以下几种地线:(1)数字地:也叫逻辑地,是各种开关量(数字量)信号的
零电位。(2)模拟地:是各种模拟量信号的零电位。(3)信号地:通常为传感器的地。(4)交流地:交流供电电源的地线,这种地通常是产生噪声的地。(5)直流地:直流供电电源
的地。(6)屏敝地:也叫机壳地,为防止静电感应和磁场感应而设。以上这些地线处理]是系统设计、安装、调试中的一个重要问题。下面就接地问题提出一些看法:(1)控制系统宜采用一点接地。一般情况下,高频电路应就近多点接地,低频电路应一点接地。在低频
电路中,布线和元件间的电感并不是什么大问题,然而接地形成的环路的干扰影响很大,因此,常以一点作为接地点;但一点接地不适用于高频,因为局频时,地线上具有电感因而增
加了地线阻抗,问时各地线之间又广生电感耦合。一般来说,频率在1MHz以下,可用一点接地;高于10MHz时,米用多点接地;在1?10MHz之间可用一点接地,也可用多点接
地。(2)交流地与信号地不能共用。由于在一段电源地线的两点间会有数mV甚至几V电压,对低电平信号电路来说,这是一个非常重要的干扰,因此必须加以隔离和防止。(3)浮地与接地的比较。全机浮空即系统各个部分与大地浮置起来,这种方法简单,但整个系统
与大地绝缘电阻不能小于50/ 。这种方法具有一定的抗干扰能力,但一旦绝缘下降就会带
来干扰。还有一种方法,就是将机壳接地,其余部分浮空。这种方法抗干扰能力强,安全可
靠,但实现起来比较复杂。(4)模拟地。模拟地的接法十分重要。为了提高抗共模干扰能
力,对于模拟信号可采用屏蔽浮技术。对于具体模拟量信号的接地处理要严格按照操作手册上的要求设计。(5)屏蔽地。在控制系统中为了减少信号中电容耦合噪声、准确检测和控
制,对信号采用屏蔽措施是十分必要的。根据屏蔽目的不同,屏蔽地的接法也不一样。电场屏蔽解决分布电容问题,一般接大地;电磁场屏蔽主要避免雷达、电台等高频电磁场辐射干扰。利用低阻金属材料高导流而制成,可接大地。磁场屏蔽用以防磁铁、电机、变压器、线圈等磁感应,其屏蔽方法是用高导磁材料使磁路闭合,一般接大地为好。当信号电路是一点
接地时,低频电缆的屏蔽层也应一点接地。如果电缆的屏蔽层地点有一个以上时,将产生噪声电流,形成噪声干扰源。当一个电路有一个不接地的信号源与系统中接地的放大器相连时,输入端的屏蔽应接至放大器的公共端;相反,当接地的信号源与系统中不接地的放大器相连
时,放大器的输入端也应接到信号源的公共端。对于电气系统的接地,要按接地的要求和
目的分类,不能将不同类接地简单地、任意地连接在一起,而是要分成若干独立的接地子系统,每个子系统都有其共同的接地点或接地干线,最后才连接在一起,实行总接地。
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