低频基于multisim的软件仿真实验报告

低频基于multisim的软件仿真实验报告

南昌大学实验报告

基于Multisim的电路仿真实验报告

一、实验目的

利用multisim分析图所示电路中Rb、Rc和晶体管参数变化对Q点、Au、Ri、Ro和Uom的影响。

二、仿真电路

晶体管采用虚拟晶体管，VCC 12V。

1、当Rc 5k ， Rb 510k 和Rb 1M 时电路图如下（图1）：

图 1

2、当Rb 510k ，Rc 5k 和Rc 10k 时电路图如下（图2）

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图 2

3、当Rb 1M 时， Rc 5k 和Rc 10k 时的电路图如下（图3）

图 3

4、当Rb 510k ，Rc 5k 时， =80，和 =100时的电路图如下（图4）

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图 4

三、仿真内容

1. 当Rc 5k 时，分别测量Rb 510k 和Rb 1M 时的UCEQ和Au。由于输出

电压很小，为1mV，输出电压不失真，故可从万用表直流电压（为平均值）档读出静态管压降UCEQ。从示波器可读出输出电压的峰值。 2. 当Rb 510k 时，分别测量Rc 5k 和Rc 10k 时的UCEQ和Au。 3. 当Rb 1M 时，分别测量Rc 5k 和Rc 10k 时的UCEQ和Au。 4. 当Rb 510k ，Rc 5k 时，分别测量β=80，和β=100时的UCEQ和Au。

四、仿真结果

1、当Rc 5k ，（表1 仿Rb 510k 和Rb 1M 时的UCEQ和Au仿真结果如下表真数据）

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2、当Rb 510k 时， Rc 5k 和Rc 10k 时的UCEQ和Au仿真结果如下表（表2 仿真数据）

3、当Rb 1M 时， Rc 5k 和Rc 10k 时的UCEQ和A

u仿真结果如下表（表3 仿真数据）

4、当Rb 510k ，Rc 5k 时，分别测量 =80，和 =100时的UCEQ和

Au的仿真结果如下表（表4 仿真数据）。

五、结论及体会

1. 当Rc为定值时，Rb增大，ICQ减小，UCEQ增大，Au减小。

2. 当Rb为定值时，若Rb的阻值过小，则电路容易产生饱和失真，此时当Rc增

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大， 电路的放大倍数不会增大，电路没有放大作用。 3. 当Rb、Rc为定值时，当 增大时，Au的值也增大。

4. 实验心得：本次仿真实验用到了以前没有用过的元件，元器件参数复杂，由

于以前没有接触过这些参数，很多都看不懂，这给实验带来了很大困难。但是通过查阅各种资料，我终于将各参数的意思大致弄清楚了。通过本次试验，使我的自学能力得到了进一步提高。同时我也感受到了计算机在科技发展过程中的巨大作用，它使研究的效率得到了大大提高。这也进一步激发了我对专业学习的兴趣。

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