晶体结构与晶体中的缺陷习题
更新时间:2023-11-29 20:52:01 阅读量: 教育文库 文档下载
晶体结构与晶体中的缺陷习题
1、证明等径圆球面心立方最密堆积的空隙率为25.9%。
解:设球半径为a,则球的体积为4/3πa3,求的z=4,则球的总体积(晶胞)4×4/3πa3,
33立方体晶胞体积:(22a)?162a,空间利用率=球所占体积/空间体积=74.1%,
空隙率=1-74.1%=25.9%。
2、金属镁原子作六方密堆积,测得它的密度为1.74克/厘米3,求它的晶胞体积。 解:ρ=m/V =1.74g/cm3,V=1.37×10-22。
3、 根据半径比关系,说明下列离子与O2-配位时的配位数各是多少? 解:Si4+ 4; K+ 12; Al3+ 6; Mg2+ 6。
4、一个面心立方紧密堆积的金属晶体,其原子量为M,密度是8.94g/cm3。试计算其晶格常数和原子间距。 解:根据密度定义,晶格常数
a0?34M/(6.023?1023?8.94?0.906?10?8M1/3(cm)?0.0906M1/3(nm)
原子间距= 2r?2?(2a/4)?0.0906M1/3/2?0.0641M1/3(nm)
5、 试根据原子半径R计算面心立方晶胞、六方晶胞、体心立方晶胞的体积。解:面心立方晶胞:V?a0?(22R)3?162R3
六方晶胞(1/3):V?a0c?3/2?(2R)2?(8/3?2R)?3/2?82R3 体心立方晶胞:V?a0?(4R/3)3?64/33R3
6、MgO具有NaCl结构。根据O2-半径为0.140nm和Mg2+半径为0.072nm,计算球状离子所占据的体积分数和计算MgO的密度。并说明为什么其体积分数小于74.05%?
解:在MgO晶体中,正负离子直接相邻,a0=2(r++r-)=0.424(nm) 体积分数=4×(4π/3)×(0.143+0.0723)/(0.42433)=68.52% 密度=4×(24.3+16)/[6.023×1023×(0.424×10-7)3]=3.5112(g/cm3)
MgO体积分数小于74.05%,原因在于r+/r-=0.072/0.14=0.4235>0.414,正负离子紧密接触,而负离子之间不直接接触,即正离子将负离子形成的八面体空隙撑开了,负离子不再是紧密堆积,所以其体积分数小于等径球体紧密堆积的体积分数74.05%。
7、半径为R的球,相互接触排列成体心立方结构,试计算能填入其空隙中的最大小球半径r。体心立方结构晶胞中最大的空隙的坐标为(0,1/2,1/4)。
323
解:在体心立方结构中,同样存在八面体和四面体空隙,但是其形状、大小和位
置与面心立方紧密堆积略有不同(如图2-1所示)。
设:大球半径为R,小球半径为r。则位于立方体面心、棱心位置的八面体空隙能够填充的最大的小球尺寸为:
r?a0?2R?4/3R?2R?0.3094R
位于立方体(0.5,0.25,0)位置的四面体空隙能够填充的最大的小球尺寸为: r?(5/4)a0?R?5/4?(4/3)R?R?0.291R
图2-1 体心立方结构
8、纯铁在912℃由体心立方结构转变成面心立方,体积随之减小1.06%。根据面心立方结构的原子半径R面心计算体心立方结构的原子半径R体心。 解:因为面心立方结构中,单位晶胞4个原子,a0F?22RF;而体心立方
结构中,单位晶胞2个原子,a0I?4/3RI
所以,{2[4/3)RI]3?(22RF)3}/{2[(4/3)RI]3}?0.0106 解得:RF=1.0251RI,或RI=0.9755RF
9、有效离子半径可通过晶体结构测定算出。在下面NaCl型结构晶体中,测得MgS的晶胞参数为a=0.52nm(在这种结构中,阴离子是相互接触的)。若CaS(a=0.567nm)、CaO(a=0.48nm)和MgO(a=0.42nm)为一般阳离子—阴离子接触,试求这些晶体中各离子的半径。 解: ∵MgS中a=5.20,阴离子相互接触,a=22r?,
∴ rs2? =1.84;
∵CaS中a=5.67,阴-阳离子相互接触,a=2(r++r-), ∴rc2? =0.95;
a
∵CaO中a=4.80,阴-阳离子相互接触,a=2(r++r-), ∴ro2?=1.40;
∵MgO中a=4.20,阴-阳离子相互接触,a=2(r++r-), ∴rMg2?=0.70
10、氟化锂(LiF)为NaCl型结构,测得其密度为2.6g/cm3,根据此数据计算
晶胞参数,并将此值与你从离子半径计算得到数值进行比较。
解:LiF为NaCl型结构,Z=4,V?a3,??m/v?2.63g/cm3,a?4.05,
根据离子半径 a??2(r??r?)?4.14,a?a?。
11、Li2O的结构是O2-作面心立方堆积,Li+占据所有四面体空隙位置。求:
(1) 计算四面体空隙所能容纳的最大阳离子半径,并与书末附表Li+半径
比较,说明此时O2-能否互相接触。
(2) 根据离子半径数据求晶胞参数。 (3) 求Li2O的密度。
解:(1)如图2-2是一个四面体空隙,O为四面体中心位置。
AO?r??r?,BC?2r?, CE?3r?, CG?2/3CE?23r?/3 AG?26r?/3,
?OGC∽?EFC,OG/CG?EF/CF,OG?EF/CF?CG?6r?/6 AO?AG?OG?6r?/2,r??AO?r??(6/2r??1)?0.301
查表知rLi? +=0.68>0.301,∴O2-不能互相接触;
(2)体对角线=3a=4(r++r-),a=4.665;(3)ρ=m/V=1.963g/cm3
图2-2 四面体空隙
12、MgO和CaO同属NaCl型结构,而它们与水作用时,则CaO要比MgO
活泼,试解释之。
解:rMg2?与rCa2?,rCa2?>rMg2?,使CaO结构较MgO疏松,H2O易于进入,
所以活泼。
13、根据CaF2晶胞图画出CaF2晶胞的投影图。 解:如图2-3。
图2-3
14、算一算CdI2晶体中的I-及CaTiO3晶体中O2-的电价是否饱和。 解:CdI2晶体,Cd2+:CN=6,I-与三个在同一边的Cd2+相连;I-:CN=3,
Z??1?Z?,I-电价饱和; ?iCNCaTiO3晶体,Ca2+:CN=12,Ti4+:CN=6,O2-[OTi2Ca4]:CN=6;
Z?2-,O电价饱和。 ?2?Z2?_?OCNi15、(1) 画出O2-作面心立方堆积时,各四面体空隙和八面体空隙的所在位置(以
一个晶胞为结构基元表示出来);
(2) 计算四面体空隙数、八而休空隙数与O2-数之比;
(3) 根据电价规则,在下面情况下,空隙内各需填入何种价数的阳离子,并对每一种结构举出—个例子。 I.所有四面体空隙位置均填满; II.所有八而体空隙位置均填满; III.填满—半四面体空隙位置; IV.填满—半八面休空隙位置。 解:(1)略;
(2)四面体空隙数/O2-数=2:1,八面体空隙数/O2-数=1:1; (3)I.CN=4,z+/4×8=2,z+=1,Na2O,Li2O;
II.CN=6,z+/6×6=2,z+=2,FeO,MnO; III.CN=4,z+/4×4=2,z+=4,ZnS,SiC;
IV.CN=6,z+/6×3=2,z+=4,MnO2。
16、下列硅酸盐矿物各属何种结构类型:
Mg2[SiO4],K[AlSi3O8],CaMg[Si2O6], Mg3[Si4O10](OH)2,Ca2Al[AlSiO7] 解:岛状;架状;单链;层状(复网);组群(双四面体)。
17、石棉矿如透闪石Ca2Mg5[Si4O11](OH)2具有纤维状结晶习性,而滑石
Mg2[Si4O10](OH)2却具有片状结晶习性,试解释之。
解:透闪石双链结构,链内的Si-O键要比链间的Ca-O、Mg-O键强很多,所以
很容易沿链间结合力较弱处劈裂成为纤维状;滑石复网层结构,复网层由两个[SiO4]层和中间的水镁石层结构构成,复网层与复网层之间靠较弱的分子间作用力联系,因分子间力弱,所以易沿分子间力联系处解理成片状。 18、石墨、滑石和高岭石具有层状结构,说明它们结构的区别及由此引起的性质
上的差异。
解:石墨中同层C原子进行SP2杂化,形成大?键,每一层都是六边形网状结构。
由于间隙较大,电子可在同层中运动,可以导电,层间分子间力作用,所以石墨比较软。
19、 (1) 在硅酸盐晶体中,Al3+为什么能部分置换硅氧骨架中的Si4+;
(2) Al3+置换Si4+后,对硅酸盐组成有何影响?
(3) 用电价规则说明Al3+置换骨架中的Si4+时,通常不超过一半,否则将
使结构不稳定。
解:(1) Al3+可与O2-形成[AlO4]5-;Al3+与Si4+处于第二周期,性质类似,易于
进入硅酸盐晶体结构中与Si4+发生同晶取代,由于鲍林规则,只能部分取代;
(2) Al3+置换Si4+是部分取代,Al3+取代Si4+时,结构单元[AlSiO4][ASiO5],
失去了电中性,有过剩的负电荷,为了保持电中性,将有一些半径较大而电荷较低的阳离子如K+、Ca2+、Ba2+进入结构中;(3)设Al3+置换了一半的Si4+,则O2-与一个Si4+一个Al3+相连,阳离子静电键强度=3/4×1+4/4×1=7/4,O2-电荷数为-2,二者相差为1/4,若取代超过一半,二者相差必然>1/4,造成结构不稳定。
20、 说明下列符号的含义:
VNa,VNa’,VCl?,.(VNa’VCl?),CaK?,CaCa,Cai??
解:钠原子空位;钠离子空位,带一个单位负电荷;氯离子空位,带一个单位正
电荷;最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心;Ca2+占据K.位置,带一个单位正电荷;Ca原子位于Ca原子位置上;Ca2+处于晶格间隙位置。 21、写出下列缺陷反应式:
(1) NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体;
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